專利名稱：有機電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，所述有機電致發(fā)光器件可用作在 面狀光源、段式顯示裝置、點陣顯示裝置、液晶顯示裝置等中使用的發(fā)光 器件。
背景技術(shù)：
近年來，已經(jīng)研究在顯示裝置和照明裝置中使用有機電致發(fā)光器件(下
面，有時候稱作有機EL器件)，所述有機電致發(fā)光器件具有兩層結(jié)構(gòu)，其 中采用有機熒光染料作為發(fā)光層，并且將在電子照相感光器等中使用的染 料和有機電荷傳輸化合物相互層壓。
然而，使用有機EL器件等的顯示裝置和照明裝置各自都具有以下問
題隨著其發(fā)光面積的增加，由透明電極或半透明電極的布線電阻引起的
電壓降變得不可忽視，這增加了光亮度的變化。
為了解決這些問題，例如，JP-A-2004-14128 (專利文獻l)公開了一種 使用有機EL器件的平面發(fā)光器件，其中將有機EL器件的透明電極與電 阻低于透明電極的輔助電極電連接；其說明書描述了其中輔助電極以格子 形狀形成的面狀發(fā)光器件。
然而，在專利文獻l中描述的有機EL器件的使用造成了以下問題 在外部光反射過程中產(chǎn)生著色和由干涉所致的莫爾條紋，從而使可視性劣 化。
專利文獻l: JP-A-2004-14128

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
本發(fā)明是鑒于現(xiàn)有技術(shù)的問題而進行的，其目的是提供一種有機電致 發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件能夠降低由透明電極或半透明電極的電阻所致的電壓降，以均勻地發(fā)射光，并且甚至充分地抑制在外部光反射過程 中著色和由干涉所致的莫爾條紋的產(chǎn)生。
解決問題的手段
作為為實現(xiàn)上述目而深入研究的結(jié)果，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種有機 電致發(fā)光器件，所述有機電致發(fā)光器件配置有由透明電極或半透明電極構(gòu) 成的第一電極、面向第一電極的第二電極、以及被設(shè)置在第一電極和第二 電極之間的至少一個有機層，該有機電致發(fā)光器件可以降低由透明電極或 半透明電極的電阻所致的電壓降以均勻地發(fā)射光，并且通過在第一電極的 表面上，形成具有基于沒有周期規(guī)則性的特定有序陣列安置的開口的輔助 電極，充分地抑制了在外部光反射的過程中的著色和由干涉所致的莫爾條 紋的產(chǎn)生。由此，完成了本發(fā)明。
因此，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件是這樣一種有機電致發(fā)光器件，該 有機電致發(fā)光器件配置有由透明電極或半透明電極構(gòu)成的第一電極、面向 第一電極的第二電極、以及被設(shè)置在第一電極和第二電極之間的至少一個 有機層，其特征在于
所述有機電致發(fā)光器件包括配置有開口的輔助電極，所述輔助電極與 第一電極電連接，并且由電阻值低于第一電極的電阻值的材料組成；并且 所述輔助電極在第一電極的表面上形成為具有基于由準(zhǔn)周期性二維 陣列確定的格子點所限定的區(qū)域作為所述開口。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，輔助電極還可以在利用格子點作為
生成點的沃羅努瓦(Voronoi)剖分的沃羅努瓦邊界上形成，使得沃羅努瓦剖
分的沃羅努瓦區(qū)域為開口。
此外，在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，輔助電極還可以在利用格子
點作為生成點的德洛奈(Delaunay)三角剖分的德洛奈邊界上形成，使得德 洛奈三角剖分的德洛奈三角形區(qū)域為開口。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，優(yōu)選準(zhǔn)周期性二維陣列是與斐波那 契(Fibonacci)數(shù)列相似或類似地排列的，即，采用斐波那契陣列的陣列。
此外，在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，優(yōu)選準(zhǔn)周期性二維陣列具有 從斐波那契陣列抽取，使得格子點的平均格子間距離在10至30pm的范
5圍內(nèi)的單位陣列，并且是其中遍布單位陣列使得它們彼此不重疊的陣列。 在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，單位陣列優(yōu)選是從斐波那契陣列抽
取，使得斐波那契數(shù)列的級數(shù)(order)在300至1,000的范圍內(nèi)的陣列。
此外，在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，優(yōu)選將輔助電極設(shè)置在第一 電極的與有機層相反的一側(cè)的表面上。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，優(yōu)選將第一電極分隔成多個電分離 單元，并且多個單元通過輔助電極相互電連接。
本發(fā)明的面狀光源的特征在于包括所述有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明的 段式顯示裝置的特征也在于包括所述有機電致發(fā)光器件。此外，本發(fā)明的 點陣顯示裝置的特征在于包括所述有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明的液晶顯示 裝置的特征也在于包括所述有機電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件可以降低由透明電極或半透明電極的電阻 所引起的電壓降以均勻地發(fā)射光，并且可以充分地抑制在外部光反射過程 中產(chǎn)生著色和由干涉所致的莫爾條紋。具體地，在本發(fā)明的有機電致發(fā)光 器件中，由透明電極或半透明電極構(gòu)成的第一電極具有輔助電極，所述輔 助電極與其表面上形成的第一電極電連接。輔助電極由電阻值低于第一電
極的電阻值(更高的電導(dǎo)率)的材料構(gòu)成；因此，本發(fā)明可以降低由第一電 極的電阻所引起的電壓降。
典型地，使用阻光材料比如金屬作為輔助電極。因此，從有機層發(fā)射 出的光被輔助電極阻擋，由此導(dǎo)致光從在被安置于輔助電極上的開口發(fā) 出。當(dāng)與以格子形狀、條狀等形成輔助電極的情況一樣，形成具有被安置 在第一電極表面上的周期性開口的輔助電極時，由于周期規(guī)則性，產(chǎn)生在 外部光反射過程中的著色和干涉所致的莫爾條紋。相反，根據(jù)本發(fā)明，形 成輔助電極以使其具有基于準(zhǔn)周期性二維陣列確定的格子點所限定的區(qū) 域作為開口，并且在第一電極的表面上形成具有基于沒有周期規(guī)則性的特 定有序陣列安置的開口的輔助電極；因此，在外部光反射過程中的著色和 由干涉所致的莫爾條紋的產(chǎn)生得到充分抑制。
根據(jù)本發(fā)明，由于開口是基于特定有序的陣列而這樣設(shè)置的，因此還 充分降低了由設(shè)置在輔助電極上的開口的密度(開口面積比)的偏差產(chǎn)生的 光亮度的變化，這不同于任意設(shè)置開口的情況。因此，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件能夠?qū)崿F(xiàn)光的發(fā)射均勻。
此外，根據(jù)本發(fā)明，通過制造其中將第一電極分隔成多個電分離單元， 所述單元與輔助電極電連接的結(jié)構(gòu)，可以獲得改善的光亮度。具體地，將 第一電極分隔成電分離單元可以減少在第一電極的表面方向上導(dǎo)向的發(fā) 光成分，由此可以提高光亮度。在多個單元之間的光亮度的變化得到充分 降低，原因是所述單元通過輔助電極彼此電連接。
本發(fā)明的優(yōu)點
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件 可以降低由透明電極或半透明電極的電阻所致的電壓降以均勻地發(fā)射光， 并且可以充分抑制在外部光反射過程中產(chǎn)生著色和由干涉所致的莫爾條 紋。
實施本發(fā)明的最佳方式
下面，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方案，詳細地描述本發(fā)明的有機電致發(fā) 光器件。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件是這樣的一種有機電致發(fā)光器件，所述有 機電致發(fā)光器件配置有由透明電極或半透明電極構(gòu)成的第一電極、面向第 一電極的第二電極、以及被設(shè)置在第一電極和第二電極之間的至少一個有 機層，其特征在于
所述有機電致發(fā)光器件包括配置有開口的輔助電極，所述輔助電極與 第一電極電連接，并且由電阻值低于第一電極的電阻值的材料組成；并且
所述輔助電極在第一電極的表面上形成為具有基于由準(zhǔn)周期性二維 陣列確定的格子點所限定的區(qū)域作為所述開口。
(第一電極)
根據(jù)本發(fā)明的第一電極是由透明電極或半透明電極構(gòu)成的電極，并且 用作本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的陽極。作為第一電極，可以使用具有高 電導(dǎo)率的金屬氧化物、金屬硫化物或金屬薄膜；具有高的光透射率的那些
可以被適當(dāng)?shù)厥褂?，并且可以通過根據(jù)所使用的有機層適當(dāng)?shù)剡x擇來使用。用于第一電極的材料包括例如氧化銦、氧化鋅、氧化錫、由它們的復(fù)
合物氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦等中的每一種組成的導(dǎo)電玻璃(NESA等)、 金、鉑、銀和銅。這些中，優(yōu)選ITO氧化錫銦和氧化錫。
第一電極的膜厚度可以是考慮光透射性和電導(dǎo)率進行適當(dāng)選擇的；然 而，它是例如，10nm至10^im，優(yōu)選20 nm至1 pm，并且更優(yōu)選50 nm 至500 nm。
當(dāng)?shù)谝浑姌O處于其中該電極被分隔為多個電分離單元的結(jié)構(gòu)形式時， 在相鄰單元之間的間隔為l至50pm，優(yōu)選為5至30pm。低于下限的相 鄰單元之間的間隔趨向于不能夠充分減少在第一電極的表面方向上導(dǎo)向 的光。另一方面，大于上限趨向于降低光發(fā)射的效率，原因是它降低了光 發(fā)射的實際面積。
此外，這樣電分離的多個單元的形狀沒有特別的限制；其實例包括條 狀、三角形狀和矩形狀，比如四邊形狀?？紤]到確保相鄰單元之間的電連 接，多個單元的形狀優(yōu)選是與輔助電極(將稍后描述)上的開口形狀類似的 形狀。當(dāng)?shù)谝浑姌O處于其中該電極被分隔為多個電分離單元的結(jié)構(gòu)形式 時，在制備本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，將在相鄰單元之間填充用于在 形成第一電極之后所形成的物體(例如，輔助電極或有機層)的材料。
用于形成上述的第一電極的方法包括真空沉積法、濺射法、離子電鍍 法和金屬鍍覆法。用于將第一電極分隔成多個電分離單元的方法包括例 如，包括在形成第一電極之后，使用光致抗蝕劑，通過蝕刻法進行圖案形 成的方法。
作為第一電極，可以使用有機物質(zhì)比如聚苯胺或其衍生物以及聚噻吩 或其衍生物的透明導(dǎo)電膜。第一電極的有機層側(cè)表面還可以配置有導(dǎo)電聚 合物(例如，酞菁衍生物或聚噻吩(polythiophenone)衍生物)、Mo氧化物、 無定形碳、氟化碳、多胺化合物等的lnm至200nm的層，或由金屬氧化 物或氟化物、有機絕緣材料等組成、平均膜厚度為10nm以下的層。
(輔助電極)
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件必須包括與第一電極電連接并且配置有開 口的輔助電極。必須在第一電極的表面上形成輔助電極，以使其具有基于 由準(zhǔn)周期性二維陣列確定的格子點所限定的區(qū)域作為開口。根據(jù)本發(fā)明，可以安置輔助電極以降低由透明電極或半透明電極的電阻所致的電壓降， 從而均勻地發(fā)射光，并且進一步充分抑制在外部光反射過程中的著色和由 干涉所致的莫爾條紋的產(chǎn)生。
根據(jù)本發(fā)明的準(zhǔn)周期性二維陣列是指與周期性陣列不同類型的有序陣 列；其實例包括斐波那契陣列。斐波那契陣列是指與斐波那契數(shù)列相似或 類似地排列的陣列，并且還指如圖l所示的接近螺旋形的陣列，該陣列像 在向日葵籽或松球等中發(fā)現(xiàn)的陣列。根據(jù)本發(fā)明，由斐波那契陣列確定的 格子點包括基于斐波那契數(shù)列的陣列、從中移除一些點的格子點。
斐波那契陣列是指由下式表示的整數(shù)n的數(shù)列
(x, y) = (Vnxcos((137.5xn兀)/180)， Vnxsin((137.5xn兀)/闊
，并且該整數(shù)n被稱作斐波那契數(shù)列的級數(shù)。
在斐波那契數(shù)列中，隨著數(shù)列的級數(shù)的增加，由斐波那契數(shù)列確定的
格子點的密度的變化性增加。這可能造成以下問題在被設(shè)置在輔助電極
上的開口之間的間隔的密度的變化性也增加，從而使輔助電極的布線電阻 升高。
根據(jù)本發(fā)明，鑒于上述情況，優(yōu)選的是，根據(jù)本發(fā)明的準(zhǔn)周期性二維
陣列具有從斐波那契陣列抽取使得格子點的平均格子間距離在10至30 pm (更優(yōu)選10至20 fim)的范圍內(nèi)的單位陣列，并且是其中遍布單位陣列
使得它們彼此不重疊的陣列。輔助電極的開口可以被安置在基于由準(zhǔn)周期 性二維陣列確定的格子點所限定的區(qū)域上，從而消除了被安置在輔助電極
上的開口的排列的周期規(guī)則性，同時抑制輔助電極的布線電阻的升高。小 于下限的平均格子點間距離趨向于不提供足夠的光亮度，原因是降低了開 口面積比。另一方面，大于上限趨向于不能夠充分地降低光亮度的變化， 原因是增大了輔助電極的布線電阻。在由斐波那契陣列確定的格子點中的 最相鄰格子點之間的距離，即，格子之間的最近的相鄰距離，優(yōu)選在5至 15^m的范圍內(nèi)。
對從斐波那契陣列抽取的單位陣列的形狀沒有特別限制；然而，考慮 到遍布單位陣列使得它們彼此不重疊，它優(yōu)選為多邊形，更優(yōu)選為三角形、 正方形、矩形或正六邊形等(參見圖2至4)。在圖2至4中，A表示斐波 那契數(shù)列的級數(shù)為300以下的區(qū)域，而B表示斐波那契數(shù)列的級數(shù)為1,000以下的區(qū)域。
此外，單位陣列優(yōu)選是從斐波那契陣列抽取使得斐波那契數(shù)列的級數(shù)
在300至1,000 (更優(yōu)選500至800)的范圍內(nèi)的陣列。斐波那契數(shù)列的級數(shù) 的上述范圍可以抑制在由一個單位陣列確定的格子點之間的距離的離散 度，并且可以更確保降低由輔助電極之間的布線電阻的散布和開口密度(開 口面積比)的偏差所致的光亮度的變化。
單位陣列優(yōu)選為從斐波那契陣列抽取使得由一個單位陣列確定的格子 點的數(shù)量在50至200(更優(yōu)選50至IOO)的范圍內(nèi)的陣列。此外，根據(jù)本發(fā) 明，考慮到確保消除在輔助電極上的開口的周期規(guī)則性，優(yōu)選遍布從斐波 那契陣列的不同部分抽取的多個不同單位陣列，使得它們彼此不重疊。
根據(jù)本發(fā)明的輔助電極形成為具有基于由如上所述的準(zhǔn)周期性二維陣 列確定的格子點所限定的區(qū)域作為開口。所述區(qū)域可以通過利用格子點作 為生成點的沃羅努瓦剖分、德洛奈三角剖分等來限定。
沃羅努瓦剖分是指將具有幾個定位的點(生成點)的平面剖分為區(qū)域(沃 羅努瓦區(qū)域)，所述區(qū)域是通過把成對的任意相鄰生成點之間引出的中垂線 相連而形成的。沃羅努瓦區(qū)域之間的邊界線被稱作沃羅努瓦邊界。當(dāng)通過 沃羅努瓦剖分限定所述區(qū)域時，根據(jù)本發(fā)明的輔助電極在(沿著)利用格子 點作為生成點的沃羅努瓦剖分的沃羅努瓦邊界上形成，使得沃羅努瓦剖分 的沃羅努瓦區(qū)域成為開口。
德洛奈三角剖分是指將具有幾個定位的點(生成點)的平面剖分為三角 形區(qū)域(德洛奈三角形區(qū)域)，所述三角形區(qū)域是通過把鉤住(hook)相鄰 的沃羅努瓦區(qū)域的生成點的線(德洛奈邊界)相連而形成的。當(dāng)通過德洛奈 三角剖分限定所述區(qū)域時，根據(jù)本發(fā)明的輔助電極在(沿著)利用格子點作 為生成點的德洛奈三角剖分的德洛奈邊界上形成，使得德洛奈三角剖分的 德洛奈三角形區(qū)域成為開口。
考慮到光的利用效率，輔助電極的線寬優(yōu)選在1至20(^m的范圍內(nèi)、 更優(yōu)選在10至100 pm的范圍內(nèi)。
對用于輔助電極的材料沒有特別的限制，只要它具有比用于第一電極 的材料更高的電導(dǎo)率(更低的電阻值)即可；然而，通常使用電導(dǎo)率為107 S/cm以上的導(dǎo)電材料。適當(dāng)?shù)厥褂媒饘俨牧媳热玟X、銀、鉻、金、銅和鉭。其中，考慮到高電導(dǎo)率和材料處理的容易性，更優(yōu)選鋁、鉻、銅和銀。
使用金屬作為輔助電極的材料使得來自有機層(稍后描述)的光被阻 擋；因此，被輔助電極覆蓋的面積與器件從中發(fā)射光的面積的比率優(yōu)選在
20至卯％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在30至80%的范圍內(nèi)。
此外，輔助電極的厚度可以被適當(dāng)?shù)剡x擇，以使表面電阻成為所需的 值；然而，它是例如10至500 nm，優(yōu)選為20至300 nm，并且更優(yōu)選為 50至150腿。
輔助電極可以被安置在第一電極的表面上的有機層側(cè)；然而，考慮到 更確保第一電極和輔助電極之間的電連接，它優(yōu)選被安置在第一電極的與 有機層相反的表面上。
用于形成上述輔助電極的方法包括例如，包括通過真空沉積法、濺
射法、或包括熱壓粘合薄金屬膜的層壓法形成用于輔助電極的材料膜，之 后利用光致抗蝕劑通過蝕刻法形成圖案的方法。 (第二電極)
根據(jù)本發(fā)明的第二電極是面向第一電極安置，并且用作本發(fā)明的有機 電致發(fā)光器件的陰極的電極。用于第二電極的材料優(yōu)選是具有低功函的材
料；其所用的實例包括金屬，比如鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、 鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱和鐿，以及它們中兩種以 上的合金；它們中的至少一種與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢和 錫中的一種或多種的合金；以及石墨和夾層石墨。這些合金包括鎂-銀合金、 鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金和 轉(zhuǎn)-鋁合金。
第二電極的膜厚度可以是考慮電導(dǎo)率和耐久性而適當(dāng)選擇的；然而， 它是例如10 nm至10 |im，優(yōu)選為20 nm至1 pm，并且更優(yōu)選為50 nm至 500 nm。
形成上述第二電極的方法包括真空沉積法、濺射法和包括熱壓粘合薄 金屬膜的層壓法。第二電極可以處于兩層以上的層壓結(jié)構(gòu)形式。在第二電 極和有機層之間，可以安置由導(dǎo)電聚合物構(gòu)成的層，或由金屬氧化物或氟 化物、有機絕緣材料等構(gòu)成的平均膜厚度為10nm以下的層。
(有機層)根據(jù)本發(fā)明的有機層是被安置在第一電極和第二電極之間的層。有機 層可以是含有至少一個發(fā)光材料層的層，但是還可以由多個層構(gòu)成。有機 電致發(fā)光器件的操作主要由以下過程組成從電極注入電子和空穴的過 程、其中電子和空穴穿過有機層的過程、其中電子和空穴復(fù)合以產(chǎn)生單重 態(tài)激子或三重態(tài)激子的過程，以及其中激子發(fā)射光的過程。然而，當(dāng)有機 層由多個層構(gòu)成時，可以使多種材料分擔(dān)各個過程中所需的功能，并且可 以將它們獨立地最佳化。除紅、藍和綠這三種原色之外，來自有機層的發(fā) 光色包括例如中間色和白色。這三種原色的發(fā)光色對于全色器件是優(yōu)選 的，而對于面狀光源，白色和中間色的發(fā)光色是優(yōu)選的。
根據(jù)本發(fā)明，作為用于有機層的發(fā)光材料，不僅可以使用低分子發(fā)光 材料(i)，而且可以使用高分子發(fā)光材料(ii)。用于有機層的其它材料根據(jù)發(fā) 光材料的種類而變化；因此，其描述將分為使用低分子發(fā)光材料(i)的情形
和使用高分子發(fā)光材料(ii)的情形。
(i)使用低分子發(fā)光材料
在使用低分子發(fā)光材料的情況下，用于有機層的材料包括熒光-和磷光 發(fā)射材料、空穴傳輸材料、電子阻擋材料、空穴阻擋材料和電子傳輸材料，
這在"Yuki EL Display (有機電致發(fā)光器件(Organic EL Display))" (Shizuo Tokito， ChihayaAdachi和HideyukiMurata，第一版，2004年發(fā)行第一期， Ohmsha Ltd.)第17-48、 83-99禾P 101-120頁中有描述。具體地，空穴傳輸 材料的實例為下列文獻中所述的那些JP-A-63-70257、 JP-A-63-175860、 JP-A-02-135359 、 JP-A-02-135361 、 JP-A-02-209988 、 JP-A-02-311591 、 JP-A-03-37992 、 JP-A-03-152184 、 JP-A-11-35687 、 JP-A-11-217392禾B JP-A-2000-80167。
此外，低分子發(fā)光材料(三重態(tài)發(fā)光配合物)的實例包括含有銥作為中 心金屬的Ir(ppy)3和Btp2Ir (acac)、含有鉑作為中心金屬的PtOEP以及含有 銪作為中心金屬的Eu(TTA)3phen。具體地，其實例為下列文獻中描述的那 些Nature, (1998)， 395: 151; Appl. Phys. Lett. (1999)， 75(1): 4;Proc. SPIE-Int Soc. Opt. Eng. (2001)， 4105 (有機發(fā)光材料和器件IV(Organic Light-Emitting Materials and Devices IV》，119;.Am. Chem. Soc.， (2001)， 123: 4304; Appl. Phys. Lett.， (1997)， 71(18): 2596; Syn. Met.， (1998)， 94(1): 103;Syn.Met.， (1999)， 99(2): 1361; Adv. Mater.， (1999)， 11(10): 852;禾P Jpn. J.Appl.Phys.， 34:1883 (1995)。
適當(dāng)選擇含有這些用于有機層的材料的層的厚度，使得發(fā)光效率和 驅(qū)動電壓變?yōu)樗柚?；然而，它通常?至200nm。空穴傳輸層的厚度為 例如10至100nm，優(yōu)選20至80nm。發(fā)光層的厚度為例如IO至IOO nm，優(yōu) 選20至80nm。空穴阻擋層的厚度為例如5至50 nm，優(yōu)選10至30nm。電子 注入層的厚度為例如IO至IOO nm，優(yōu)選20至80 nm。
除了真空法比如真空沉積、團簇沉積(duster deposition)和分子束沉積 之外，如果構(gòu)成這些層的材料具有溶解性或可以形成乳液，則用于形成層 的方法還包括包括使用涂布或印刷法形成膜的方法。
(ii)使用高分子發(fā)光材料 在使用高分子發(fā)光材料的情況下，用于有機層的材料包括在"Kobimshi EL Zairyo (高分子EL材料(High Molecular EL Materials))"(大西敏博和小山 珠美，第一版，2004年發(fā)行第一期，Kyoritsu Shuppan股份有限公司)第33-58 頁中描述的材料；有機電致發(fā)光器件可以以其中這些材料各自被層壓到電 荷注入層和電荷傳輸層上的結(jié)構(gòu)形式進行構(gòu)造。更具體地，聚合物化合物 的空穴傳輸材料、電子傳輸材料和發(fā)光材料的實例包括在以下專利文獻中 公開的聚芴及其衍生物和共聚物、聚亞芳基及其衍生物和共聚物、聚亞芳 基亞乙烯基及其衍生物和共聚物、以及芳族胺及其衍生物的(共)聚合物 W099/13692、 WO99/48160、 GB2340304A、 WO00/53656、 WO01A9834、 WO00/55927、 GB2348316、 WO00/46321、 WO00/06665、 W099/54943、 W099/54385、 US5777070、 WO98/06773、 WO97/05184、 WO00/35987、 WO00/53655、 WO01/34722、 W099/24526、 WO00/22027、 WO00/22026、 W098/27136、 US573636、 W098/21262 、 US5741921 、 WO97/09394 、 W096/29356、 WO96/10617、 EP0707020、 WO95/07955、 JP-A-2001-181618、 JP-A-2001 -123156 、 JP-A-2001 -3045 、 JP-A-2000-3 51967 、 JP-A-2000-303066 、 JP-A-2000-299189 、 JP-A-2000-252065 、 JP-A-2000-136379 、 JP-A-2000-104057 、JP-A-2000-80167 、JP-A-10-324870 、JP-A-10-114891 、 JP-A-09-111233和JP-A-09-45478中。在使用上述低分子發(fā)光材料的情況下
13被用于有機層中的發(fā)光材料和電荷傳輸材料可以被混合到高分子發(fā)光材 料和電荷傳輸材料中。上述的低分子發(fā)光材料也可以被包含在高分子發(fā)光 材料和電荷傳輸材料的結(jié)構(gòu)中。
電荷注入層的具體實例包括含有導(dǎo)電聚合物的層；被安置在第一電 極和空穴傳輸層之間的含有這樣的材料的層，該材料具有在用于第一電極 的材料的電離勢和包含在空穴傳輸層中的空穴傳輸材料的電離勢之間的 電離勢中間值；以及被安置在第二電極和電子傳輸層之間的含有這樣的材 料的層，該材料具有在用于第二電極的電子親和勢和包含在電子傳輸層中 的電子傳輸材料的電子親和勢之間的電子親和勢中間值。
當(dāng)電荷注入層是含有導(dǎo)電聚合物的層時，將含有導(dǎo)電聚合物的層安置 成與在至少一個電極(第一電極或第二電極)和發(fā)光層之間的電極相鄰。
導(dǎo)電聚合物的電導(dǎo)率優(yōu)選為10^S/cm以上且在103 S/cm以下，并且更優(yōu) 選為10-ss/cm以上且在102 S/cm以下，尤其優(yōu)選為10—Ss/cm以上且在101 S/cm以下，以降低發(fā)光像素之間的漏電流。導(dǎo)電聚合物通常摻雜有適量的 離子，以使聚合物的電導(dǎo)率在10-SS/cm以上且在l(^S/cm以下的范圍內(nèi)。
作為摻雜離子，在空穴注入層的情況下，使用陰離子，或者在電子注 入層的情況下，使用陽離子。陰離子的實例包括聚苯乙烯磺酸根離子、垸 基苯磺酸根離子和樟腦磺酸根離子。陽離子的實例包括鋰離子、鈉離子、 鉀離子和四丁基銨離子。
在電荷注入層中使用的材料可以根據(jù)電極和用于相鄰層的材料進行 適當(dāng)?shù)剡x擇；其實例包括導(dǎo)電聚合物，比如聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及 其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亞苯基亞乙烯基及其衍生物、聚亞噻吩 基亞乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、以及 在主鏈和側(cè)鏈中含有芳族胺結(jié)構(gòu)的聚合物；金屬酞菁(例如銅酞菁)；和碳。
可以與第一電極和/或第二電極相鄰地安置厚度為10nm以下的絕緣 層，以促進電荷注入。用于絕緣層的材料包括金屬氟化物、金屬氧化物和 有機絕緣材料；優(yōu)選的是堿金屬、堿土金屬等的氟化物和金屬氧化物。
對在靠近第二電極一側(cè)的有機層中包含的電子傳輸聚合物材料沒有 特別的限制，只要它是傳輸從電極注入的電子的聚合物材料即可；根據(jù)需 要，可以使用7i-和ci-共軛聚合物和在聚合物中含有電子傳輸基團的聚合物材料。
此外，還可以將低分子電子傳輸材料與其一起使用。
作為空穴傳輸材料和電子傳輸材料，可以適當(dāng)?shù)厥褂贸姾蓚鬏斠酝?還具有發(fā)光機制的那些材料。根據(jù)本發(fā)明，這些層還可以通過摻雜發(fā)光材 料而使用。
含有上述有機層材料的層的厚度具有根據(jù)所用材料變化的最佳值；然 而，它可以被適當(dāng)?shù)剡x擇，使得驅(qū)動電壓和發(fā)光效率為適度值。發(fā)光層的
厚度為例如5至300nm，優(yōu)選30至200腿，并且更優(yōu)選40至150 nm。電荷 注入層的厚度為例如l nm至100nm，優(yōu)選2nm至10nm。電子傳輸層的厚 度為例如l nm至liam，優(yōu)選2 nm至500 nm，并且更優(yōu)選5 nm至200 nm。 用于形成包含至此提及的有機層材料中的聚合物材料的層(發(fā)光層、 電荷傳輸層或電荷注入層)的方法包括例如，涉及通過包括涂布或印刷在
內(nèi)的方法由溶液形成膜的方法。該方法還可以被用作用于形成沒有聚合物 材料的層(發(fā)光層、電荷傳輸層或電荷注入層)的方法。該方法對于生產(chǎn)是 非常有利的，因為它只需要在涂覆之后干燥溶液以移除溶劑，并且同樣的 方法可以適用于將電荷傳輸材料和發(fā)光材料混合的情況。涂布和印刷方法 的實例包括涂覆法，比如旋涂法、流延法、微凹版式涂布法、凹版式涂布 法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、柔 性版印刷法、膠印法、毛細管涂布法、噴嘴涂布法和噴墨印刷法。通過與 用于溶液的方法相同的方法，可以將電荷注入材料以分散在水或醇中的乳 液形式形成膜。
在涂布法和印刷法中，對用于有機層的材料的溶劑沒有特別的限制， 然而，它優(yōu)選為能夠溶解或均勻分散聚合物材料的溶劑。當(dāng)聚合物材料是 可溶解在非極性溶劑中的材料時，溶劑的實例包括氯溶劑比如氯仿、二氯
甲烷和二氯乙垸.，醚溶劑，比如四氫呋喃；芳族烴溶劑，比如甲苯、二甲 苯、四氫化萘、苯甲醚、正己基苯和環(huán)己基苯；脂族烴溶劑，比如十氫化 萘和雙環(huán)己基；酮溶劑，比如丙酮、甲基乙基酮和2-庚酮；以及酯溶劑，
比如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基乙酸溶纖劑和丙二醇單甲醚乙酸酯。 當(dāng)多個層被層壓在一起時，最初形成的層優(yōu)選是不溶化的，以防止上
下層的混合。用于不溶化的方法包括包括通過使用具有可溶性基團的可溶性前體或聚合物，以利用熱處理將前體轉(zhuǎn)化為共軛聚合物或使可溶性基 團分解來降低它們的溶解性，進行不溶化的方法；包括使用在分子中具有 交聯(lián)基團的空穴傳輸聚合物的方法；以及包括將在暴露于熱、光、電子束 等之后發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的單體或大分子單體共混的方法。
被提及的是在側(cè)鏈中含有乙烯基、(甲基)丙烯酸酯基、氧雜環(huán)丁烷基、 環(huán)丁二烯基、二烯基等作為交聯(lián)基團的聚合物。對這些基團的引入比率沒 有特別的限制，只要在將電子傳輸聚合物形成膜時在所使用的溶劑中發(fā)生
不溶化即可；然而，它為例如0.01至30質(zhì)量％，優(yōu)選0.5至20質(zhì)量％，并且 更優(yōu)選1至10質(zhì)量％。
發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的單體和大分子單體的實例包括聚苯乙烯當(dāng)量形式的 重均分子量為2,000以下并且包含乙烯基、(甲基)丙烯酸酯基、氧雜環(huán)丁烷 基、環(huán)丁二烯基、二烯基等中的至少兩種的化合物。此外，其實例還包括 酸酐和能夠?qū)崿F(xiàn)分子間的交聯(lián)反應(yīng)的化合物，比如檸檬酸。作為其實例， 可以適當(dāng)?shù)厥褂迷?UV.EB Kokagijutsu No Genjo To Tembo (UV/EB固化技 術(shù):現(xiàn)狀和展望)"(由Kunihiro Ichimura監(jiān)制并且由CMC出版股份有限公司 發(fā)行，第1版，2002年發(fā)行第1期，第二章)中描述的那些。
此外，當(dāng)使用聚合物化合物作為用于有機層的材料時，其純度影響器 件的性能，比如電荷傳輸和發(fā)光特性；因此，優(yōu)選在聚合之前將單體通過 包括蒸餾、升華純化、重結(jié)晶等或柱色譜的方法進行純化，然后進行聚合。 聚合物之后，優(yōu)選使用分離、純化、干燥和其它常規(guī)操作比如酸洗、堿洗、 中和、水洗、有機溶劑洗滌、再沉淀、離心、萃取、柱色譜和透析將其進 行精制處理。
(有機電致發(fā)光器件)
典型地，通過在支持基板上形成上述的第一電極、第二電極、輔助電 極和有機層，可以制備本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件。該支持基板可以是在 制備有機電致發(fā)光器件中不經(jīng)歷變化的基板；其實例包括比如玻璃、塑料、 聚合物膜基板和硅基板的基板。當(dāng)從支持基板側(cè)發(fā)出來自有機層的光時， 優(yōu)選使用透明基板作為支持基板。本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu) 不受特別限制，并且可以是頂部發(fā)射型或底部發(fā)射型。在支持基板上形成第一電極等的順序可以根據(jù)器件結(jié)構(gòu)進行適當(dāng)?shù)剡x擇。此外，可以在本發(fā) 明的有機電致發(fā)光器件中任選地安置保護層。除玻璃、塑料、聚合物膜和 硅之外，用于保護層的材料還包括光固化性樹脂，比如丙烯酸類樹脂。.這 些保護層材料可以單獨或以它們的兩種以上的組合形式使用。當(dāng)從保護層 側(cè)發(fā)出來自有機層的光時，采用透明材料作為用于保護層的材料。
上述本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件可以造當(dāng)?shù)赜米髟谝壕э@示器背光 或照明用的曲面狀或平面狀的面狀光源中使用的發(fā)光器件；用于內(nèi)部裝潢 或廣告的段式顯示裝置；點陣顯示裝置「液晶顯示裝置等，并且可以特別 適用于照明用的曲面狀或平面狀的面狀光源。
實施例
下面，參考實施例和比較例，更具體地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明并 不意在限于下列實施例。作為在合成實施例1和2中使用的由下列結(jié)構(gòu)式(A) 至(C)表示的化合物A至C，使用根據(jù)在WO2000/046321公布說明書中描述 的方法合成的那些化合物。
<formula>formula see original document page 17</formula>[式3]
(合成實施例l)
首先，將0.91 g的氯化甲基三辛基銨(來自Aldrich，商品名Aliquat 336)、 5.23 g的化合物A和4.55 g的化合物C裝到反應(yīng)容器(200ml可分離燒瓶) 中，之后用氮氣吹掃反應(yīng)系統(tǒng)。向其中添加70ml甲苯和2.0mg乙酸鈀，并 且向其中進一步添加15.1 mg的三(鄰-甲苯基)膦，隨后回流以提供混合溶 液。
接著，向所得混合溶液中滴加19ml的碳酸鈉水溶液，然后在回流下通 宵攪拌。向其中添加0.12g的苯基硼酸，然后攪拌7小時。之后，向其中添 加300ml甲苯，并且分離反應(yīng)溶液。用乙酸水溶液和水洗滌有機相，并且 向其中添加N,N-二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，然后攪拌4小時。
隨后，將攪拌之后的混合溶液分離，通過硅膠-氧化鋁柱子，用甲苯 洗滌，并且滴加到甲醇中以沉淀出聚合物。將所得聚合物過濾，在減壓下 干燥，然后溶解在甲苯中。將所得甲苯溶液再次滴加到甲醇中以產(chǎn)生沉淀 物，然后將沉淀物在減壓下過濾并且干燥，以提供聚合物化合物l。所得 的聚合物化合物l的聚苯乙烯當(dāng)量形式的重均分子量(Mw)為3.2x105，并且 其聚苯乙烯當(dāng)量形式的數(shù)均分子量(Mn)為8.8x104。
(合成實施例2)
首先，將22.5g的化合物B和17.6g的2,2'-聯(lián)吡錠裝到反應(yīng)容器中，之 后用氮氣吹掃反應(yīng)系統(tǒng)。向其中添加l，500g四氫呋喃(脫水溶劑)以提供混 合溶液，所述四氫呋喃是用氬氣鼓泡預(yù)先脫氣的。向所得的混合溶液中添
18加31g的雙(l,5-環(huán)辛二烯)鎳(0)，然后在室溫攪拌10分鐘，并且在6(TC反應(yīng) 3小時。在這點上，反應(yīng)在氮氣氛中進行。
接著，將所得反應(yīng)溶液冷卻，并且將25質(zhì)量％的氨水(200 ml) /甲醇(900 ml)/離子交換水(900ml)的混合溶液倒入該溶液中，然后攪拌約l小時。然 后，將所產(chǎn)生的沉淀物通過過濾收集，在減壓下干燥，并且溶解于甲苯中。 將所得甲苯溶液過濾以移除不溶物。然后，將該甲苯溶液通過填充有氧化 鋁的柱子進行純化。
然后，將純化的甲苯溶液用1N鹽酸水溶液洗滌，靜置并分離，之后回 收甲苯溶液。將這種甲苯溶液用約3質(zhì)量％的氨水洗滌，靜置并分離，然后 回收甲苯溶液。然后將該甲苯溶液用離子交換水洗漆，靜置并且分離，之 后回收經(jīng)洗滌的甲苯溶液。
隨后，將該洗滌的甲苯溶液倒入甲醇中，以產(chǎn)生沉淀物。將該沉淀物 用甲醇洗漆，然后在減壓下干燥以提供聚合物化合物2。所得的聚合物化 合物2的聚苯乙烯當(dāng)量形式的重均分子量為8.2><105，并且其聚苯乙烯當(dāng)量 形式的數(shù)均分子量為1.0x105。
(制備實施例)
按如下所述那樣制備用于形成輔助電極的光掩模。首先從斐波那契陣 列(最近的相鄰格子間距離10pm)抽取多個單位陣列，使得它們具有14 ym的平均格子間距離，以及500至800的范圍內(nèi)的斐波那契數(shù)列的級數(shù)。 然后，從其中遍布單位陣列使得它們彼此不重疊的陣列中確定格子點；利 用格子點作為生成點進行沃羅努瓦剖分?；谖至_努瓦剖分的結(jié)果，制備 光掩模(254 mmx254 mm)，其中將線寬為40pm的細線狀遮光部分安置在沃
羅努瓦剖分的沃羅努瓦邊界上。 (實施例)
采用玻璃基板(200 mmx200 mm)作為支持基板。通過DC濺射法，在120 °C，使用Cr靶并且使用Ar作為濺射氣體，在該支持基板上沉積膜厚度為 1,000 nm的Cr。此處的成膜壓力為0.5 Pa，濺射功率為2.0 kW。將抗蝕劑涂 覆到Cr膜上，然后在11(TC烘焙90秒，通過在制備實施例中獲得的光掩模以200 mJ的能量進行曝光，用0.5質(zhì)量％的氫氧化鉀水溶液顯影，并且在130 。C后烘焙110秒。通過在4(TC的用于Cr的蝕刻溶液中浸漬120秒，進行Cr的 圖案化。最后，在2質(zhì)量％的氫氧化鉀水溶液中進行浸漬，以剝離抗蝕劑殘 留物，從而形成由Cr構(gòu)成的輔助電極。
然后在其上形成輔助電極的基板上形成第一電極。具體地，使用作為 用于第一電極的材料的ITO烘焙靶和作為濺射氣體的Ar，以在120。C通過 DC濺射法沉積出膜厚度為3，000nm的ITO。此處的膜形成壓力為0.25 Pa， 并且濺射功率為0.25 kW。然后，在20(TC的烘箱中進行40分鐘的退火處理。 隨后，使用6(TC的弱堿洗滌劑、冷水和5(TC的溫水，將其上形成第一電極 的基板進行超聲波洗滌，從溫水中取出以進行干燥，并且進行20分鐘的 UV/03清潔。
在清潔的基板上，通過旋涂將溶液形成為厚80nm的膜，所述溶液通過 用孔徑為0.45,的過濾器過濾聚(3,4)亞乙二氧基噻吩凍苯乙烯磺酸懸浮 液(來自StarckVitecCo.，商品名Baytron P CH8000)，然后用孔徑為0.2pm 的過濾器進一步過濾而獲得，然后將所述膜在空氣氣氛中和在200。C下進 行15分鐘的熱處理，以形成空穴注入層(即，電荷注入層)。將在合成實施 例1和2中獲得的聚合物化合物1和聚合物化合物2溶解在甲苯中，以制備l
質(zhì)量％的聚合物溶液。在其上形成空穴注入層的基板上，通過旋涂將所制 備的溶液形成為厚80nm的膜，然后在氮氣氛中，在熱板上進行13(TC的熱 處理60分鐘，以形成發(fā)光層。隨后，在其上形成發(fā)光層的基板上，通過真 空沉積分別依次沉積出厚度為2nm、 5nm和200nm的LiF、 Ca和Al，以形 成第二電極。在這點上，金屬的氣相沉積是在真空度達到lxlO"Pa以下之 后開始的。最后，在惰性氣體中，用玻璃板覆蓋在其上形成第二電極的基 板之上的第二電極的表面，之后用光固化性樹脂進一步涂布基板的四個側(cè) 面。然后將光固化性樹脂固化以形成保護層。由此，制備出有機EL器件。 由此獲得的有機EL器件顯示在圖5中。具體地，在圖5中所示的有機 EL器件包括支持基板1、輔助電極2、第一電極3、電荷注入層4、發(fā)光 層5、第二電極6和保護層7。由電荷注入層4和發(fā)光層5構(gòu)成的有機層 ll被保持在第一電極3和第二電極6之間。輔助電極2形成在第一電極3 的與有機層ll相反的表面上?！从袡CEL器件的評價〉
在對實施例中獲得的整個有機EL器件施加8伏電壓的過程中，當(dāng)在視
覺上觀察其發(fā)光表面的外觀時，該發(fā)光表面的光亮度沒有變化，并且沒有 遇到在外部光反射過程中的著色現(xiàn)象和莫爾條紋的產(chǎn)生。因此，證實了本 發(fā)明的有機電致發(fā)光器件可以降低由透明電極或半透明電極的電阻所致 的電壓降以均勻地發(fā)射光，并且可以充分地抑制在外部光的反射過程中的 著色和由干涉所致的莫爾條紋的產(chǎn)生。
工業(yè)適用性
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種有機電致發(fā)光器件，該有機電 致發(fā)光器件可以降低由透明電極或半透明電極的電阻所致的電壓降以均 勻地發(fā)射光，并且可以充分地抑制在外部光的反射過程中的著色和由干涉 所致的莫爾條紋的產(chǎn)生。
因此，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件可用作在面狀光源、段式顯示裝置、 點陣顯示裝置、液晶顯示裝置等中使用的發(fā)光器件。
附圖
簡述
圖l是顯示斐波那契陣列的平面圖2是顯示從斐波那契陣列抽取的單位陣列的一個實施方案的示意性 平面圖3是顯示從斐波那契陣列抽取的單位陣列的另一個實施方案的示意 性平面圖4是顯示從斐波那契陣列抽取的單位陣列的另一個實施方案的示意 性平面圖；以及
圖5是顯示在實施例中獲得的有機電致發(fā)光器件的層壓結(jié)構(gòu)的示意性 橫截面圖。
標(biāo)記的說明
1 支持基板
2 輔助電極3 第一電極
4 電荷注入層
5 發(fā)光層
6 第二電極
7 保護層 11 有機層
A 斐波那契數(shù)列的級數(shù)為300以下的區(qū)域
B 斐波那契數(shù)列的級數(shù)為1,000以下的區(qū)域
2權(quán)利要求
1. 一種有機電致發(fā)光器件，所述有機電致發(fā)光器件配置有由透明電極或半透明電極構(gòu)成的第一電極、面向第一電極的第二電極、以及被設(shè)置在第一電極和第二電極之間的至少一個有機層，其特征在于所述有機電致發(fā)光器件包括配置有開口的輔助電極，所述輔助電極與第一電極電連接，并且由電阻值低于第一電極的電阻值的材料組成；并且所述輔助電極在第一電極的表面上形成為具有基于由準(zhǔn)周期性二維陣列確定的格子點所限定的區(qū)域作為所述開口。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述輔助電極在利 用所述格子點作為生成點的沃羅努瓦剖分的沃羅努瓦邊界上形成，使得所 述沃羅努瓦剖分的沃羅努瓦區(qū)域成為所述開口。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述輔助電極在利 用所述格子點作為生成點的德洛奈三角剖分的德洛奈邊界上形成，使得所 述德洛奈三角剖分的德洛奈三角形區(qū)域為所述開口。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述準(zhǔn)周期性二維陣列是與斐波那契數(shù)列相似或類似地排列的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述 準(zhǔn)周期性二維陣列具有從斐波那契陣列抽取使得所述格子點的平均格子 間距離在10至30)Lim的范圍內(nèi)的單位陣列，并且是其中遍布所述單位陣列使得它們彼此不重疊的陣列。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述單位陣列是從 所述斐波那契陣列抽取使得所述斐波那契數(shù)列的級數(shù)在300至l，OOO的范 圍內(nèi)的陣列。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中第一 電極被分隔為多個電分離單元，并且所述多個單元通過所述輔助電極相互 電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述 輔助電極被設(shè)置在第一電極的與所述有機層相反一側(cè)的表面上。
9. 一種面狀光源，其特征在于包括根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的有機電致發(fā)光器件。
10. —種段式顯示裝置，其特征在于包括根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一 項所述的有機電致發(fā)光器件。
11. 一種點陣顯示裝置，其特征在于包括根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一 項所述的有機電致發(fā)光器件。
12. —種液晶顯示裝置，其特征在于包括根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的有機電致發(fā)光器件。
全文摘要
有機電致發(fā)光器件配置有由透明電極或半透明電極構(gòu)成的第一電極、面向第一電極的第二電極、以及被安置在第一電極和第二電極之間的至少一個有機層。所述有機電致發(fā)光器件還配置有輔助電極，所述輔助電極與第一電極電連接，由電阻值比第一電極的電阻值更低的材料組成，并且具有開口。所述輔助電極在第一電極的表面上形成為具有基于由準(zhǔn)周期性二維陣列確定的格子點所決定的區(qū)域作為所述開口部分。
文檔編號H05B33/26GK101513126SQ20078003191
公開日2009年8月19日 申請日期2007年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月30日
發(fā)明者田中慎也 申請人:住友化學(xué)株式會社