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一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板的制作方法

文檔序號:41950957發(fā)布日期:2025-05-16 14:11閱讀:8來源:國知局
一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板的制作方法

本發(fā)明涉及偽裝,具體涉及一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板。


背景技術(shù):

1、地下庫具有很好的防護和隱藏作用,是存放各種需隱藏物體的主要場所之一,在實際場景中,地下庫上方需要采用輕質(zhì)的偽裝層進行防護,以降低地下庫中目標(biāo)物被發(fā)現(xiàn)的概率,有效保障其生存能力。

2、專利cn?114311895?a提出了一種輕質(zhì)偽裝網(wǎng)及其制備方法,該輕質(zhì)偽裝網(wǎng)由面層和底層通過包邊和絎縫構(gòu)成,面層為滌綸牛津布,底層為方格網(wǎng),面層和底層表面涂覆有阻燃涂料和低發(fā)射率涂料。該偽裝網(wǎng)質(zhì)輕,且具有與綠色植物相似的反射率曲線,不僅滿足對于可見光-紅外的隱身要求,還滿足在熱紅外條件下的隱身要求。但地下偽裝在日常狀態(tài)下存在有設(shè)備的大量流動,偽裝網(wǎng)隱蔽對設(shè)備的機動性造成極大的影響,因此偽裝網(wǎng)不適用于地下目標(biāo)的偽裝。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提出了一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,達到偽裝效果的同時不影響流動設(shè)備的機動性。

2、為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取以下技術(shù)方案:

3、本發(fā)明提出一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,包括防護板本體,所述防護板本體上設(shè)置有下端開口的箱體,所述箱體上下貫穿防護板本體并與其固定連接,所述防偽本體包括自下而上的雷達吸波層、紅外調(diào)控層和覆土層。

4、優(yōu)選地,所述雷達吸波層包括聚苯乙烯板,所述聚苯乙烯板外表面涂有雷達吸波涂層。

5、優(yōu)選地,所述雷達吸波涂層由以下重量份原料組成:80~120份的樹脂、5~15份的鉻鉿硅合金粉、10~20份的碳黑、1~10份的聚苯乙烯顆粒、65~90份的無水乙醇和55~85份的固化劑,所述樹脂為聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂,所述固化劑為聚酰胺固化劑。

6、優(yōu)選地,所述紅外調(diào)控層包括泡沫板,所述泡沫板內(nèi)嵌有相變調(diào)溫膠囊。

7、優(yōu)選地,所述相變調(diào)溫膠囊內(nèi)部填充的相變材料包括相變材料a和相變材料b,且相變材料a和相變材料b的質(zhì)量比為4.5~6:1;所述相變材料a包括pt@sio2和na2so4·10h2o,所述相變材料b包括膨脹石墨和固體石蠟。

8、優(yōu)選地,相變材料a中,pt@sio2與na2so4·10h2o的質(zhì)量之比為2~3:1,相變材料b中,膨脹石墨與固體石蠟的質(zhì)量之比為1~1.5:3。

9、優(yōu)選地,所述箱體外表面涂覆有用于模擬背景環(huán)境光學(xué)和熱輻射特征的仿沙土色偽裝涂料。

10、優(yōu)選地,所述箱體的頂板與側(cè)壁轉(zhuǎn)動連接,且箱體頂板上設(shè)置有把手。

11、優(yōu)選地,所述雷達吸波層的厚度為50~80mm,紅外調(diào)控層的厚度為15~25mm,覆土層的厚度為150~180mm。

12、優(yōu)選地,所述箱體側(cè)壁為纖維板,箱體的頂板為對雷達波有吸收作用的吸波泡沫板。

13、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果為:

14、(1)本發(fā)明采用下端開口的箱體遮蓋在地下庫的口部,當(dāng)有設(shè)備需要進出時,可打開箱體的頂板,如此設(shè)備可快速穿過箱體進出地下庫,對設(shè)備的機動性能無影響;并且由于箱體的側(cè)壁為防腐木纖維板,因此其具有良好的耐腐蝕性,故而使用時限較長;再者箱體的頂板為吸波泡沫板,且頂板還涂覆有仿沙土色偽裝涂料,因此箱體的頂板兼具可見光、雷達和紅外偽裝特性,使得箱體的暴露特征大大減少,可有效對地下庫的口部進行偽裝遮蔽。

15、(2)本發(fā)明將箱體嵌于防護板本體中,以限定箱體的位置,使其始終位于地下庫口部的正上方,使偽裝防護板整體位置較固定,不易發(fā)生移動;另外通過雷達吸波層首先可以起到隔熱的作用,將地下庫口部周圍的熱源與外部環(huán)境隔絕,進一步減少地下軍事目標(biāo)口部的紅外暴露特征;其次雷達吸波層還可以模擬外部背景環(huán)境的雷達反射率,消除地下軍事目標(biāo)口部周圍對探測雷達波的反射,使偽裝材料在1~2ghz的平均雷達反射率<-10db,在2~18ghz的平均雷達反射率<-23db,與外部背景環(huán)境的后向散射系數(shù)差值≯3db,實現(xiàn)防護板高逼真度的雷達偽裝;通過紅外調(diào)控層可以模擬周圍外部背景環(huán)境的溫度變化,使不同季節(jié)不同時段防護板表面的溫差始終融于周圍背景,并與周圍九倍背景的平均輻射溫差絕對值在0~1.5℃之間,達到紅外偽裝,覆土層位于防護板本體的外表面,可以根據(jù)背景環(huán)境選擇覆土類型,實現(xiàn)防護板外表層的光學(xué)偽裝,使防護板與周圍九倍背景平均亮度對比值<0.15,色差<1.5l*a*b*,達到光學(xué)偽裝。如此,通過防護板本體上嵌入箱體,可使地下庫口部和其周圍均被良好偽裝防護,有效避免了被探測到的風(fēng)險,降低了地下庫被發(fā)現(xiàn)的概率,有效保障其生存能力。



技術(shù)特征:

1.一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,包括防護板本體(2),所述防護板本體(2)上設(shè)置有下端開口的箱體(1),所述箱體(1)上下貫穿防護板本體(2)并與其固定連接,所述防偽本體包括自下而上的雷達吸波層(201)、紅外調(diào)控層(202)和覆土層(203)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,所述雷達吸波層(201)包括聚苯乙烯板(2011),所述聚苯乙烯板(2011)外表面涂有雷達吸波涂層(2012)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,所述雷達吸波涂層(2012)由以下重量份原料組成:80~120份的樹脂、5~15份的鉻鉿硅合金粉、10~20份的碳黑、1~10份的聚苯乙烯顆粒、65~90份的無水乙醇和55~85份的固化劑,所述樹脂為聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂,所述固化劑為聚酰胺固化劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,所述紅外調(diào)控層(202)包括泡沫板,所述泡沫板內(nèi)嵌有相變調(diào)溫膠囊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,所述相變調(diào)溫膠囊內(nèi)部填充的相變材料包括相變材料a和相變材料b,且相變材料a和相變材料b的質(zhì)量比為4.5~6:1;所述相變材料a包括pt@sio2和na2so4·10h2o,所述相變材料b包括膨脹石墨和固體石蠟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,相變材料a中,pt@sio2與na2so4·10h2o的質(zhì)量之比為2~3:1,相變材料b中,膨脹石墨與固體石蠟的質(zhì)量之比為1~1.5:3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,所述箱體(1)外表面涂覆有用于模擬背景環(huán)境光學(xué)和熱輻射特征的仿沙土色偽裝涂料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,所述箱體(1)的頂板(101)與側(cè)壁(102)轉(zhuǎn)動連接,且箱體(1)頂板上設(shè)置有把手(103)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,所述雷達吸波層(201)的厚度為50~80mm,紅外調(diào)控層(202)的厚度為15~25mm,覆土層(203)的厚度為150~180mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,其特征在于,所述箱體(1)側(cè)壁為纖維板,箱體(1)的頂板為對雷達波有吸收作用的吸波泡沫板。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種輕質(zhì)多譜段偽裝防護板,包括防護板本體,所述防護板本體上設(shè)置有下端開口的箱體,所述箱體上下貫穿防護板本體并與其固定連接,所述防偽本體包括自下而上的雷達吸波層、紅外調(diào)控層和覆土層,本發(fā)明采用下端開口的箱體遮蓋在地下庫的口部,并在箱體四周包裹防護板本體,對設(shè)備的機動性能無影響,還可通過箱體有效對地下庫的口部進行偽裝遮蔽,由于防護板本體也兼具良好的可見光、雷達和紅外偽裝效果,因此能實現(xiàn)可見光、雷達和紅外偽裝,可使地下庫口部和其周圍均被良好偽裝防護,有效避免了被探測到的風(fēng)險,降低了地下庫被發(fā)現(xiàn)的概率,有效保障其的生存能力。

技術(shù)研發(fā)人員:翟影,黃智斌,靳凱運,牛穎婕,童垚,折生陽
受保護的技術(shù)使用者:陜西華秦科技實業(yè)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/15
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