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一種晶體加工治具的制作方法

文檔序號(hào):9481382閱讀:447來源:國知局
一種晶體加工治具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶體加工領(lǐng)域,特別是涉及一種晶體加工治具。
【背景技術(shù)】
[0002]在條狀晶體的加工過程中,需要對(duì)其進(jìn)行打磨。為了提高打磨的工作效率,通常把數(shù)個(gè)條狀晶體浸蠟,然后排列在加熱的陶瓷板上,冷卻后進(jìn)行固定,最后再同時(shí)進(jìn)行打磨。
[0003]為了確保打磨的平整度,條狀晶體在陶瓷板上的固定比較重量,因此對(duì)工人的安裝水平要求較高,不但要逐個(gè)進(jìn)行排布,還要壓實(shí),減少條狀晶體與陶瓷板之間的間隙,因此工作效率低,排布不均勻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種晶體加工治具,提高條狀晶體在陶瓷板上的排布工作效率,減少條狀晶體與陶瓷板之間的間隙。
[0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種晶體加工治具,包括:吸盤基板和蓋板,所述蓋板設(shè)置在吸盤基板的上方,所述吸盤基板和蓋板之間設(shè)置有一圈密封墊圈,所述吸盤基板的底面上陣列設(shè)置有多個(gè)方形槽,所述方形槽內(nèi)分別設(shè)置有與吸盤基板的上表面相連通的通孔,所述蓋板的底部設(shè)置有一個(gè)空腔,所述蓋板的頂部設(shè)置有與空腔相連通的進(jìn)氣接頭和吸氣接頭。
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述所述蓋板的上方設(shè)置有一個(gè)曲線手柄。
[0007]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述方形槽呈環(huán)形陣列分布在吸盤基板的底面。
[0008]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述吸盤基板和蓋板之間采用螺栓相固定。
[0009]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述進(jìn)氣接頭上連接有一根進(jìn)氣管,所述吸氣接頭上連接與一根吸氣管,所述進(jìn)氣管和吸氣管上分別設(shè)置有控制閥門。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明指出的一種晶體加工治具,條狀晶體分別放置在方形槽內(nèi),打開吸氣管的控制閥門,利用外部的吸氣裝置對(duì)空腔進(jìn)行抽氣,通孔處對(duì)條狀晶體進(jìn)行負(fù)壓吸附,然后翻轉(zhuǎn)吸盤基板,把條狀晶體壓在加熱的陶瓷板上,條狀晶體下表面的蠟被加熱熔化,這時(shí)關(guān)閉吸氣管的控制閥門,打開進(jìn)氣管的控制閥門,利用外部的空壓機(jī)對(duì)空腔進(jìn)行充氣,使得通孔中的氣流對(duì)條狀晶體進(jìn)行壓迫,減少了條狀晶體壓與陶瓷板之間的間隙,關(guān)閉進(jìn)氣管的控制閥門,條狀晶體被周圍的蠟固定在陶瓷板上,工作效率高,條狀晶體排列均勻,有利于提高打磨精度。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖,其中: 圖1是本發(fā)明一種晶體加工治具一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是圖1的仰視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0013]請(qǐng)參閱圖1至圖2,本發(fā)明實(shí)施例包括:
一種晶體加工治具,包括:吸盤基板1和蓋板3,所述蓋板3設(shè)置在吸盤基板1的上方,所述吸盤基板1和蓋板3之間設(shè)置有一圈密封墊圈2,所述吸盤基板1和蓋板3之間采用螺栓相固定,安裝和拆卸方便,使得吸盤基板1和蓋板3對(duì)密封墊圈2進(jìn)行夾持,防止氣體從接縫泄漏。
[0014]所述所述蓋板3的上方設(shè)置有一個(gè)曲線手柄4,有利于工人單手手持曲線手柄4進(jìn)行操作,翻轉(zhuǎn)靈活,提高工作效率。
[0015]所述吸盤基板1的底面上陣列設(shè)置有多個(gè)方形槽11,所述方形槽11內(nèi)分別設(shè)置有與吸盤基板1的上表面相連通的通孔12,所述蓋板3的底部設(shè)置有一個(gè)空腔31,使得通孔12與空腔31相連通。
[0016]所述方形槽11呈環(huán)形陣列分布在吸盤基板1的底面。方形槽11的深度小于條狀晶體的厚度,使得條狀晶體放置在方形槽11內(nèi)時(shí),條狀晶體的表面突出在方形槽11外部,有利于條狀晶體與陶瓷板的接觸。
[0017]所述蓋板3的頂部設(shè)置有與空腔31相連通的進(jìn)氣接頭5和吸氣接頭6。所述進(jìn)氣接頭5上連接有一根進(jìn)氣管7,所述吸氣接頭6上連接與一根吸氣管8,所述進(jìn)氣管7和吸氣管8上分別設(shè)置有控制閥門9。所述進(jìn)氣管7與外部的空壓機(jī)相連接進(jìn)行充氣,所述吸氣管與外部的吸氣裝置相連接進(jìn)行抽氣。
[0018]操作時(shí),方形槽11朝上,把條狀晶體分別放置在方形槽11內(nèi),打開吸氣管8的控制閥門,利用外部的吸氣裝置對(duì)空腔31進(jìn)行抽氣,通孔12處形成負(fù)壓,分別對(duì)條狀晶體進(jìn)行吸附,然后翻轉(zhuǎn)吸盤基板1,把條狀晶體壓在加熱的陶瓷板上,條狀晶體下表面的蠟被加熱熔化,這時(shí)關(guān)閉吸氣管8的控制閥門,打開進(jìn)氣管7的控制閥門,利用外部的空壓機(jī)對(duì)空腔31進(jìn)行充氣,使得通孔12中的氣流對(duì)條狀晶體進(jìn)行壓迫,減少了條狀晶體壓與陶瓷板之間的間隙,關(guān)閉進(jìn)氣管7的控制閥門,條狀晶體被周圍的蠟固定在陶瓷板上。
[0019]綜上所述,本發(fā)明指出的一種晶體加工治具,提高了條狀晶體的組裝工作效率,而且條狀晶體在陶瓷板上的排列更加均勻,條狀晶體與陶瓷板之間的間隙更小,有利于提高打磨精度。
[0020]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體加工治具,包括:吸盤基板和蓋板,所述蓋板設(shè)置在吸盤基板的上方,其特征在于,所述吸盤基板和蓋板之間設(shè)置有一圈密封墊圈,所述吸盤基板的底面上陣列設(shè)置有多個(gè)方形槽,所述方形槽內(nèi)分別設(shè)置有與吸盤基板的上表面相連通的通孔,所述蓋板的底部設(shè)置有一個(gè)空腔,所述蓋板的頂部設(shè)置有與空腔相連通的進(jìn)氣接頭和吸氣接頭。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體加工治具,其特征在于,所述蓋板的上方設(shè)置有一個(gè)曲線手柄。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體加工治具,其特征在于,所述方形槽呈環(huán)形陣列分布在吸盤基板的底面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體加工治具,其特征在于,所述吸盤基板和蓋板之間采用螺栓相固定。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體加工治具,其特征在于,所述進(jìn)氣接頭上連接有一根進(jìn)氣管,所述吸氣接頭上連接與一根吸氣管,所述進(jìn)氣管和吸氣管上分別設(shè)置有控制閥門。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶體加工治具,包括:吸盤基板和蓋板,所述蓋板設(shè)置在吸盤基板的上方,所述吸盤基板和蓋板之間設(shè)置有一圈密封墊圈,所述吸盤基板的底面上陣列設(shè)置有多個(gè)方形槽,所述方形槽內(nèi)分別設(shè)置有與吸盤基板的上表面相連通的通孔,所述蓋板的底部設(shè)置有一個(gè)空腔,所述蓋板的頂部設(shè)置有與空腔相連通的進(jìn)氣接頭和吸氣接頭。通過上述方式,本發(fā)明所述的晶體加工治具,條狀晶體分別放置在方形槽內(nèi),利用外部的空壓機(jī)對(duì)空腔進(jìn)行充氣,通孔對(duì)條狀晶體進(jìn)行壓迫,減少了條狀晶體壓與陶瓷板之間的間隙,條狀晶體被周圍的蠟固定在陶瓷板上,工作效率高,條狀晶體排列均勻,有利于提高打磨精度。
【IPC分類】B25B11/00
【公開號(hào)】CN105234860
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510692232
【發(fā)明人】彭志豪, 陳遠(yuǎn)帆, 吳承, 陳冠廷
【申請(qǐng)人】蘇州晶特晶體科技有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年10月23日
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