本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

背景技術(shù)：

近來，正在開發(fā)比陰極射線管(CRT)輕且體積小的各種平板顯示器。平板顯示器的例子包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器等。在這些類型的平板顯示器之中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器是通過有機(jī)化合物的激發(fā)來發(fā)光的自發(fā)光顯示器。與LCD相比，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器在沒有背光的情況下進(jìn)行工作，因而有機(jī)發(fā)光二極管顯示器能夠更輕更薄并且能夠以簡化的工藝制造。此外，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器能夠以低溫制造，具有1ms或更少的快速響應(yīng)時(shí)間以及低功耗、寬視角和高對比度的特點(diǎn)，所以有機(jī)發(fā)光二極管顯示器得到廣泛使用。

有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包含將電能轉(zhuǎn)換為光能的有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光二極管包含陽極、陰極、以及位于陽極與陰極之間的有機(jī)發(fā)光層。從陽極射出空穴，并且從陰極射出電子。一旦來自陽極的空穴和來自陰極的電子注入到有機(jī)發(fā)光層EML中，它們就形成激子，該激子將其能量釋放為光，從而發(fā)光。

在這種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，每個(gè)像素包含開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，以便給顯示區(qū)域中的陽極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)。開關(guān)薄膜晶體管用于選擇像素。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管用于驅(qū)動(dòng)被開關(guān)薄膜晶體管選擇的像素的有機(jī)發(fā)光二極管。

隨著對于較大顯示尺寸所需的高分辨率的需求增加，像素尺寸變得越來越小。一個(gè)像素是通過柵極線、數(shù)據(jù)線和公共電源線的交叉來界定的。在該像素中，形成有或定位設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容器和有機(jī)發(fā)光二極管。在該構(gòu)造的情況下，由于較小的像素尺寸，薄膜晶體管和上述的線能夠被整合，從而它們彼此非常靠近地布置。

在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極和與其相鄰的線之間形成寄生電容器，該與其相鄰的線例如是被施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線。在該情形中，由于施加至數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的變化，施加至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極的柵極電壓發(fā)生變化。由于數(shù)據(jù)電壓的干擾而導(dǎo)致的柵極電壓的變化導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極-源極電壓Vgs的變化。用戶會(huì)將此感知為垂直串?dāng)_。垂直串?dāng)_劣化了顯示裝置的顯示質(zhì)量和產(chǎn)品可靠性。因此，需要努力解決該問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有屏蔽電極，以使施加至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極的柵極電壓不受相鄰線的電壓的變化影響。

一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包含像素，其中每個(gè)像素具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管用于基于施加至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極的電壓調(diào)整流過有機(jī)發(fā)光二極管的電流，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器進(jìn)一步包含：與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極相鄰的信號(hào)線；和位于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極上方的第一屏蔽電極，在所述第一屏蔽電極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間有第一絕緣層，其中所述第一屏蔽電極比所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極向著所述信號(hào)線更進(jìn)一步突出。

優(yōu)選地，所述信號(hào)線與所述第一屏蔽電極之間的距離比所述信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間的距離短。

所述第一屏蔽電極可構(gòu)造成連接至第一靜態(tài)電壓源。

所述第一屏蔽電極可構(gòu)造成第一電容器，以抑制像素電壓放電。像素電壓放電的抑制可提高每個(gè)像素的數(shù)據(jù)可維護(hù)性(data maintainability)。

所述第一電容器可通過所述第一屏蔽電極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極的重疊而形成。所述第一電容器可具有比可能形成在所述信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間的寄生電容器高的電容。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以如上所述但可進(jìn)一步包含：位于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極下方的第二屏蔽電極；和位于所述第二屏蔽電極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間的第二絕緣層，其中所述第二屏蔽電極比所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極向著所述信號(hào)線更進(jìn)一步突出。

優(yōu)選地，所述信號(hào)線與所述第二屏蔽電極之間的距離比所述信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間的距離短。

所述第二屏蔽電極可構(gòu)造成連接至第二靜態(tài)電壓源。

所述第二屏蔽電極可構(gòu)造成第二電容器，以抑制像素電壓放電。像素電壓放電的抑制可提高每個(gè)像素的數(shù)據(jù)可維護(hù)性。

所述第二電容器可通過所述第二屏蔽電極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極的重疊而形成。所述第二電容器可具有比可能形成在所述信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間的寄生電容器高的電容。

在一些情形中，所述第一靜態(tài)電壓源和所述第二靜態(tài)電壓源是相同的。

每個(gè)像素可以以六個(gè)晶體管和一個(gè)電容器結(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)造。

所述六個(gè)晶體管和一個(gè)電容器結(jié)構(gòu)可包含：

第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包含：連接至第一柵極線的柵極電極、連接至第一數(shù)據(jù)線的第一電極、以及連接至存儲(chǔ)電容器的一端的第二電極；

第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管包含：連接至第二柵極線的柵極電極、連接至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極的第一電極、以及連接至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二電極的第二電極；

第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管包含：連接至第三柵極線的柵極電極、連接至基準(zhǔn)電壓線的第一電極、以及連接至所述存儲(chǔ)電容器的所述一端的第二電極；

第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管包含：連接至所述第三柵極線的柵極電極、連接至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述第二電極的第一電極、以及連接至所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極的第二電極；

第五薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管包含：連接至所述第二柵極線的柵極電極、連接至所述基準(zhǔn)電壓線的第一電極、以及連接至所述有機(jī)發(fā)光二極管的所述陽極的第二電極；和

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括：連接至所述存儲(chǔ)電容器的另一端的所述柵極電極、連接至第一電源的第一電極、以及連接至所述第四薄膜晶體管的所述第一電極的所述第二電極。

附圖說明

被包括來給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并結(jié)合在本說明書中組成本申請文件一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是示意性圖解根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示圖；

圖2是示意性圖解圖1中所示的像素的構(gòu)造圖；

圖3是顯示圖2的像素的電路構(gòu)造的示例的示圖；

圖4是示意性圖解一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素的驅(qū)動(dòng)TFT以及與其相鄰的區(qū)域的俯視平面圖；

圖5是示意性圖解根據(jù)本發(fā)明第一典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素的驅(qū)動(dòng)TFT以及與其相鄰的區(qū)域的俯視平面圖；

圖6是沿圖5的I-I’截取的剖面圖；

圖7是示意性圖解根據(jù)本發(fā)明第二典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素的驅(qū)動(dòng)TFT以及與其相鄰的區(qū)域的俯視平面圖；以及

圖8是沿圖7的II-II’截取的剖面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參照附圖中圖解的實(shí)施方式。只要可能，在附圖和說明書中使用相同的參考標(biāo)記指代相同或相似的部分。如果確定已知技術(shù)可能誤導(dǎo)與本發(fā)明實(shí)施方式有關(guān)的讀者時(shí)，將省略已知技術(shù)的詳細(xì)描述。在描述各種實(shí)施方式時(shí)，可針對特定典型實(shí)施方式給出相同或相似部分的描述，根據(jù)該描述并且為了簡潔，在其他典型實(shí)施方式中可省略相同或相似部分的描述。

圖1是示意性圖解根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示圖。圖2是示意性圖解圖1中所示的像素的構(gòu)造圖。圖3是顯示圖2的像素的電路構(gòu)造的示例的示圖。

參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器10包含顯示驅(qū)動(dòng)器電路和顯示面板DIS。

顯示驅(qū)動(dòng)器電路包含數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12、柵極驅(qū)動(dòng)電路14和時(shí)序控制器16，顯示驅(qū)動(dòng)器電路在顯示面板DIS的像素中寫入或施加輸入圖像的視頻數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12將從時(shí)序控制器16輸入的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB轉(zhuǎn)換為模擬伽馬補(bǔ)償電壓，以產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓。從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12輸出的數(shù)據(jù)電壓被提供至數(shù)據(jù)線D1到Dm。柵極驅(qū)動(dòng)電路14按順序給柵極線G1到Gn提供與數(shù)據(jù)電壓同步的柵極脈沖并且從顯示面板DIS選擇寫入或施加數(shù)據(jù)電壓的像素。

時(shí)序控制器16接收從主機(jī)系統(tǒng)19輸入的時(shí)序信號(hào)，諸如垂直同步信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync、數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE、主時(shí)鐘MCLK等，并且將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12和柵極驅(qū)動(dòng)電路14的操作時(shí)序同步。用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12的數(shù)據(jù)時(shí)序控制信號(hào)包括源極采樣時(shí)鐘SSC、源極輸出使能信號(hào)SOE等。用于控制柵極驅(qū)動(dòng)電路14的柵極時(shí)序控制信號(hào)包括柵極起始脈沖GSP、柵極移位時(shí)鐘GSC、柵極輸出使能信號(hào)GOE等。

主機(jī)系統(tǒng)19可由電視系統(tǒng)、機(jī)頂盒、導(dǎo)航系統(tǒng)、DVD播放器、藍(lán)光播放器、個(gè)人電腦(PC)、家庭影院系統(tǒng)和電話系統(tǒng)之一實(shí)現(xiàn)。主機(jī)系統(tǒng)19包含內(nèi)置有縮放器(scaler)的芯片上系統(tǒng)(system-on-chip，SoC)，主機(jī)系統(tǒng)19將輸入圖像的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB轉(zhuǎn)換為適于在顯示面板DIS上顯示的數(shù)據(jù)格式。主機(jī)系統(tǒng)19將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB和時(shí)序信號(hào)Vsync、Hsync、DE和MCLK傳送至?xí)r序控制器16。

顯示面板DIS上的像素陣列包含形成在或定位設(shè)置在由數(shù)據(jù)線D1到Dm(m是正整數(shù))和柵極線G1到Gn(n是正整數(shù))界定的像素區(qū)域中的像素。每個(gè)像素包含是自發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光二極管(下文中稱為OLED)。

進(jìn)一步參照圖2，多條數(shù)據(jù)線D和多條柵極線G在顯示面板DIS上彼此交叉，并且這些像素以矩陣形式布置在數(shù)據(jù)線D和柵極線G的交叉部分處。每個(gè)像素包含：驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(下文中稱為TFT)DT，驅(qū)動(dòng)TFT DT用于控制流過OLED的電流的量；和編程部SC，編程部SC用于設(shè)定驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極-源極電壓。

編程部SC可包含至少一個(gè)開關(guān)TFT和至少一個(gè)存儲(chǔ)電容器。開關(guān)TFT響應(yīng)于來自柵極線G的掃描信號(hào)而導(dǎo)通，由此把來自數(shù)據(jù)線D的數(shù)據(jù)電壓施加至存儲(chǔ)電容器的一個(gè)電極。驅(qū)動(dòng)TFT DT通過基于存儲(chǔ)電容器中存儲(chǔ)的電壓的量控制提供至OLED的電流的量，調(diào)整OLED發(fā)射的光量。OLED發(fā)射的光量與從驅(qū)動(dòng)TFT DT提供的電流成比例。這種像素連接至高電壓源EVDD和低電壓源EVSS并且從電力發(fā)生器(未示出)獲取高電壓和低電壓。像素的TFT可由p型或n型實(shí)現(xiàn)。此外，用于像素的TFT的半導(dǎo)體層可包含非晶硅或多晶硅或氧化物。OLED包含陽極ANO、陰極CAT、以及介于陽極ANO與陰極CAT之間的有機(jī)化合物層。陽極ANO連接至驅(qū)動(dòng)TFT DT。

參照圖3，像素可由6個(gè)晶體管和1個(gè)電容器(6T1C)構(gòu)成。然而，本發(fā)明的像素構(gòu)造不限于6T1C結(jié)構(gòu)。就是說，本發(fā)明可使用利用驅(qū)動(dòng)TFT調(diào)整流過OLED的電流的所有類型的OLED像素結(jié)構(gòu)。

要在下面描述的像素中包含的TFT例如是P型TFT，但并不限于此，其可以是N型TFT。源極電極和漏極電極的位置可根據(jù)TFT的類型而不同，因而在下面的描述中可將源極電極和漏極電極稱為第一電極和第二電極。

第一TFT T1包含連接至1a柵極線GL1a的柵極電極、連接至第一數(shù)據(jù)線DL1的第一電極、以及連接至存儲(chǔ)電容器Cstg的一端的第二電極。第一TFT T1用于響應(yīng)于1a柵極信號(hào)SCAN1把通過第一數(shù)據(jù)線DL1提供的數(shù)據(jù)信號(hào)傳送至存儲(chǔ)電容器Cstg。

第二TFT T2包含連接至1b柵極線GL1b的柵極電極、連接至驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極的第一電極、以及連接至驅(qū)動(dòng)TFT DT的第二電極的第二電極。第二TFT T2響應(yīng)于1b柵極信號(hào)SCAN2以二極管連接方式連接驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極和源極電極節(jié)點(diǎn)。

第三TFT T3包含連接至1c柵極線GL1c的柵極電極、連接至基準(zhǔn)電壓線VREF的第一電極、以及連接至存儲(chǔ)電容器Cstg的一端的第二電極。第三TFT T3用于響應(yīng)于1c柵極信號(hào)EM將基準(zhǔn)電壓Vref(或補(bǔ)償電壓)提供至存儲(chǔ)電容器Cstg的一端。

第四TFT T4包含連接至1c柵極線GL1c的柵極電極、連接至驅(qū)動(dòng)TFT DT的第二電極的第一電極、以及連接至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極的第二電極。第四TFT T4用于響應(yīng)于1c柵極信號(hào)EM將驅(qū)動(dòng)電流傳送至有機(jī)發(fā)光二極管，以使其發(fā)光。

第五TFT T5包含連接至1b柵極線GL1b的柵極電極、連接至基準(zhǔn)電壓線VREF的第一電極、以及連接至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極的第二電極。第五TFT T5用于響應(yīng)于1b柵極信號(hào)SCAN2將基準(zhǔn)電壓Vref提供至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極。

驅(qū)動(dòng)TFT DT包含連接至存儲(chǔ)電容器Cstg的另一端的柵極電極、連接至第一電源(或高電壓源)EVDD的第一電極、以及連接至第四TFT T4的第一電極的第二電極。驅(qū)動(dòng)TFT DT響應(yīng)于從存儲(chǔ)電容器Cstg提供的數(shù)據(jù)電壓而導(dǎo)通并且產(chǎn)生要被提供至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)電流。

有機(jī)發(fā)光二極管OLED包含連接至第四TFT T4的第二電極的陽極以及連接至第二電源(或低電壓源)EVSS的陰極。有機(jī)發(fā)光二極管OLED通過經(jīng)由第四TFT T4傳送的驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光。

在該情形中，在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極與相鄰的線之間形成寄生電容器Cgd。相鄰的線是指被施加與施加至驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極的柵極電壓不同的信號(hào)的線。例如，寄生電容器Cgd可形成在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極與第一數(shù)據(jù)線DL1之間。寄生電容器可導(dǎo)致顯示裝置的顯示質(zhì)量的劣化，包括非均勻的亮度(luminance)。在具有高分辨率的顯示裝置中許多元件和線彼此相鄰設(shè)置，所以該問題會(huì)尤其嚴(yán)重。

現(xiàn)在將進(jìn)一步參照圖4具體描述上述問題。圖4是示意性圖解一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中像素的驅(qū)動(dòng)TFT以及與其相鄰的區(qū)域的俯視平面圖。應(yīng)當(dāng)注意，為了便于解釋，圖4僅示意性圖解了本發(fā)明的特別元件，即，驅(qū)動(dòng)TFT的柵極電極和相鄰的信號(hào)線。

參照圖4，在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素中形成有或定位設(shè)置有驅(qū)動(dòng)TFT的柵極電極DG以及與柵極電極DG相鄰的信號(hào)線。信號(hào)線可包含第一數(shù)據(jù)線DL1、第一電源線VDL、1a柵極線GL1a、1b柵極線GL1b、以及1c柵極線GL1c。數(shù)據(jù)電壓施加至第一數(shù)據(jù)線DL1。高電壓施加至第一電源線VDL。來自柵極驅(qū)動(dòng)電路的柵極信號(hào)施加至1a柵極線GL1a、1b柵極線GL1b和1c柵極線GL1c。

驅(qū)動(dòng)TFT DT基于柵極-源極電壓Vgs調(diào)整流過有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流的量。因?yàn)橛捎跂艠O電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的寄生電容器Cgd，驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG和第一數(shù)據(jù)線DL1耦合，所以在第一數(shù)據(jù)線DL1與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間可形成電場。驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極-源極電壓Vgs隨施加至第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓的變化而變化，因而導(dǎo)致像素的亮度的變化。因此，用戶會(huì)感知到垂直串?dāng)_。

該問題可能在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與相鄰的線之間、以及驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間更嚴(yán)重。例如，在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與1a柵極線GL1a之間、驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與1b柵極線GL1b之間、以及驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與1c柵極線GL1c之間可形成寄生電容器Cgg1、Cgg2和Cge，并且由于寄生電容器Cgg1、Cgg2和Cge，可發(fā)生上述問題。

本發(fā)明特征在于具有屏蔽電極(shielding electrode)，以使施加至驅(qū)動(dòng)TFT的柵極電極的柵極電壓不受相鄰線的電壓的變化影響。本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其被設(shè)計(jì)為屏蔽在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極電極與相鄰線之間產(chǎn)生的電場。

在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，每個(gè)像素具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管基于施加至柵極電極的電壓調(diào)整流過有機(jī)發(fā)光二極管的電流。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包含：驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極、與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極相鄰的信號(hào)線、以及位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極上方的第一屏蔽電極，在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極與第一屏蔽電極之間有第一絕緣層。因而，絕緣層位于第一屏蔽電極與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極之間。第一屏蔽電極比柵極電極向著信號(hào)線更進(jìn)一步突出。信號(hào)線與第一屏蔽電極之間的距離可以比信號(hào)線與柵極電極之間的距離短。信號(hào)線是指被施加與施加至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極的柵極電壓不同的信號(hào)(或電壓)的線。第一屏蔽電極連接至靜態(tài)電壓源。靜態(tài)電壓源也可稱為恒定電壓源。

根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可進(jìn)一步包含第二屏蔽電極。第二屏蔽電極位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極下方，在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極與第二屏蔽電極之間有第二絕緣層。第二屏蔽電極比驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極向著信號(hào)線更進(jìn)一步突出。信號(hào)線與第二屏蔽電極之間的距離可以比信號(hào)線與柵極電極之間的距離短。信號(hào)線是指被施加與施加至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極的柵極電壓不同的信號(hào)的線。第二屏蔽電極連接至一靜態(tài)電壓源。如上所述，該靜態(tài)電壓源也可稱為恒定電壓源。

根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包含第一電容器。第一電容器是通過將第一屏蔽電極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極重疊且在二者之間有絕緣層而形成的。第一電容器具有比形成在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極與相鄰信號(hào)線之間的寄生電容器高的電容。

根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可進(jìn)一步包含第二電容器。第二電容器是通過將第二屏蔽電極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極重疊且在二者之間有絕緣層而形成的。第二電容器具有比形成在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電極與相鄰信號(hào)線之間的寄生電容器高的電容。

現(xiàn)在將利用本發(fā)明的典型實(shí)施方式具體描述本發(fā)明的特點(diǎn)。

<第一典型實(shí)施方式>

下面將參照圖5和6詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第一典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。圖5是示意性圖解根據(jù)本發(fā)明第一典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素的驅(qū)動(dòng)TFT以及與其相鄰的區(qū)域的俯視平面圖。圖6是沿圖5的I-I’截取的剖面圖。

應(yīng)當(dāng)注意，為了便于解釋，圖5僅示意性圖解了本發(fā)明的特別元件，即，驅(qū)動(dòng)TFT的柵極電極和相鄰的信號(hào)線。

參照圖5和6，在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素中形成有或定位設(shè)置有驅(qū)動(dòng)TFT的柵極電極DG以及與柵極電極DG相鄰的多條信號(hào)線。例如，信號(hào)線可包含第一數(shù)據(jù)線DL1、第一電源線VDL、1a柵極線GL1a、1b柵極線GL1b、以及1c柵極線GL1c。數(shù)據(jù)電壓施加至第一數(shù)據(jù)線DL1。高電壓施加至第一電源線VDL。來自柵極驅(qū)動(dòng)電路的柵極信號(hào)施加至1a柵極線GL1a、1b柵極線GL1b和1c柵極線GL1c。

驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極位于基板SUB上?？稍跂艠O電極DG下方進(jìn)一步形成或定位設(shè)置第一絕緣層IN1。第一數(shù)據(jù)線DL1位于驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG上方，第一數(shù)據(jù)線DL1在水平方向上與柵極電極DG間隔開，且第二絕緣層IN2和第三絕緣層IN3介于第一數(shù)據(jù)線DL1與柵極電極DG之間。在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間形成寄生電容器Cgd。

根據(jù)本發(fā)明第一典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器進(jìn)一步包含形成在或定位設(shè)置在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的第一屏蔽電極TM。第一屏蔽電極TM位于與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG不同的層上，且在第一屏蔽電極TM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間有第二絕緣層IN2。第一屏蔽電極TM位于與第一數(shù)據(jù)線DL1不同的層上，且在第一屏蔽電極TM與第一數(shù)據(jù)線DL1之間有第三絕緣層IN3。

第一屏蔽電極TM以完全覆蓋與第一數(shù)據(jù)線DL1相鄰的驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的端部的這種方式與該柵極電極DG重疊。在與第一數(shù)據(jù)線DL1相鄰的區(qū)域中，第一屏蔽電極TM的端部比柵極電極DG的端部向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步延伸。因此，第一屏蔽電極TM的端部在水平方向上比柵極電極DG的端部更靠近第一數(shù)據(jù)線DL1設(shè)置。

第一屏蔽電極TM連接至靜態(tài)電壓源。例如，靜態(tài)電壓源可以是高電壓源EVDD。為此，第一屏蔽電極TM可通過第一接觸孔TH電連接至第一電源線VDL。

當(dāng)?shù)谝黄帘坞姌OTM連接至靜態(tài)電壓源時(shí)，第一屏蔽電極TM保持靜態(tài)電壓。在第一屏蔽電極TM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間形成第一電容器C1。就是說，第一屏蔽電極TM和驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG彼此重疊，且在第一屏蔽電極TM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間有第二絕緣層IN2，由此在二者之間形成第一電容器C1。

電容器的電容越大，電容器中的電荷量越大。當(dāng)多個(gè)電容器連接至TFT DT的柵極電極DG時(shí)，柵極電極DG處的柵極電壓受具有相對高電容的電容器影響。第一電容器C1具有比驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的寄生電容器Cgd高的電容值，這減小了寄生電容器Cgd對驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的影響。由此，驅(qū)動(dòng)TFF DT處的柵極電壓不受寄生電容器Cgd影響；因而不易受數(shù)據(jù)電壓的變化的影響。因?yàn)檫B接至第一電容器C1的第一屏蔽電極TM處的電壓是恒定的，所以即使驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG通過第一電容器C1耦合至第一屏蔽電極TM，也不受第一屏蔽電極TM處的電壓影響。在本發(fā)明中，為了使第一電容器C1具有比寄生電容器Cgd高的電容，優(yōu)選的是第一屏蔽電極TM比驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步突出，從而在較寬的區(qū)域上與柵極電極DG重疊。

向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步延伸的第一屏蔽電極TM提供了電場(E)屏蔽作用。換句話說，第一屏蔽電極TM可存在于驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間，以屏蔽形成在它們之間的電場E，由此防止驅(qū)動(dòng)TFT DT處的柵極電壓被數(shù)據(jù)電壓影響。

如上所述，優(yōu)選的是第一屏蔽電極TM的端部IS_T比柵極電極DG的端部IS_G向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步突出，以便賦予第一電容器C1比寄生電容器Cgd高的電容值并且屏蔽形成在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的電場E。利用向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步延伸的第一屏蔽電極TM，本發(fā)明能夠?qū)?shù)據(jù)電壓對驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的影響最小化，結(jié)果能夠防止在驅(qū)動(dòng)TFT DT處的柵極電壓隨數(shù)據(jù)電壓的變化而變化時(shí)發(fā)生的垂直串?dāng)_。

此外，形成在第一屏蔽電極TM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間的第一電容器C1起存儲(chǔ)電容器的作用。優(yōu)選的是第一屏蔽電極TM在較寬的區(qū)域上與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG重疊，以使存儲(chǔ)電容器具有足夠的電容。因此，利用具有足夠電容的存儲(chǔ)電容器，本發(fā)明能夠在為了降低的功耗而使像素以低刷新率(refresh rate)運(yùn)行時(shí)，提高像素的數(shù)據(jù)可維護(hù)性并抑制像素電壓放電，由此提高甚至具有低刷新率的畫面質(zhì)量。

本發(fā)明特征在于具有第一屏蔽電極TM，以使施加至驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的柵極電壓不受相鄰線的電壓的變化影響。相鄰線不限于被施加數(shù)據(jù)電壓的上述數(shù)據(jù)線。相鄰線可包括任何線，只要與施加至驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的柵極電壓不同的信號(hào)被施加至相鄰線并且相鄰線被定位設(shè)置成與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG相鄰即可。例如，相鄰線可包括1a柵極線GL1a、1b柵極線GL1b和1c柵極線GL1c。

<第二典型實(shí)施方式>

下面將參照圖7和8詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第二典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。圖7是示意性圖解根據(jù)本發(fā)明第二典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中像素的驅(qū)動(dòng)TFT以及與其相鄰的區(qū)域的俯視平面圖。圖8是沿圖7的II-II’截取的剖面圖。

應(yīng)當(dāng)注意，為了便于解釋，圖7僅示意性圖解了本發(fā)明的特別元件，即，驅(qū)動(dòng)TFT的柵極電極和相鄰的信號(hào)線。

參照圖7和8，在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素中形成有或定位設(shè)置有驅(qū)動(dòng)TFT的柵極電極DG以及與柵極電極DG相鄰的多條信號(hào)線。例如，信號(hào)線可包括第一數(shù)據(jù)線DL1、第一電源線VDL、1a柵極線GL1a、1b柵極線GL1b、以及1c柵極線GL1c。數(shù)據(jù)電壓施加至第一數(shù)據(jù)線DL1。高電壓施加至第一電源線VDL。來自柵極驅(qū)動(dòng)電路的柵極信號(hào)施加至1a柵極線GL1a、1b柵極線GL1b和1c柵極線GL1c。

驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極位于基板SUB上?？稍跂艠O電極DG下方進(jìn)一步形成或定位設(shè)置第一絕緣層IN1。第一數(shù)據(jù)線DL1位于驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG上方，第一數(shù)據(jù)線DL1在水平方向上與柵極電極DG間隔開，且第二絕緣層IN2和第三絕緣層IN3介于第一數(shù)據(jù)線DL1與柵極電極DG之間。在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間形成寄生電容器Cgd。

根據(jù)本發(fā)明第二典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器進(jìn)一步包含第一屏蔽電極TM和第二屏蔽電極BM。

第一屏蔽電極TM設(shè)置于驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG上方。第一屏蔽電極TM設(shè)置于驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間。第一屏蔽電極TM位于與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG不同的層上，且在第一屏蔽電極TM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間有第二絕緣層IN2。第一屏蔽電極TM位于與第一數(shù)據(jù)線DL1不同的層上，且在第一屏蔽電極TM與第一數(shù)據(jù)線DL1之間有第三絕緣層IN3。

第一屏蔽電極TM以完全覆蓋與第一數(shù)據(jù)線DL1相鄰的柵極電極DG的端部IS_G的這種方式與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG重疊。在與第一數(shù)據(jù)線DL1相鄰的區(qū)域中，第一屏蔽電極TM的端部IS_T比柵極電極DG的端部IS_G向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步延伸。因此，第一屏蔽電極TM的端部IS_T在水平方向上比柵極電極DG的端部IS_G更靠近第一數(shù)據(jù)線DL1設(shè)置。

第一屏蔽電極TM連接至靜態(tài)電壓源。換句話說，第一屏蔽電極TM可連接至恒定電壓源。例如，靜態(tài)電壓源可以是高電壓源EVDD。為此，第一屏蔽電極TM可通過第一接觸孔TH電連接至第一電源線VDL。

第二屏蔽電極BM設(shè)置于驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG下方。第二屏蔽電極BM位于與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG不同的層上，且在第二屏蔽電極BM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間有第一絕緣層IN1。

第二屏蔽電極BM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG重疊。在與第一數(shù)據(jù)線DL1相鄰的區(qū)域中，第二屏蔽電極BM的端部IS_B比柵極電極DG的端部IS_G向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步延伸。因此，第二屏蔽電極BM的端部IS_B在水平方向上比柵極電極DG的端部IS_G更靠近第一數(shù)據(jù)線DL1設(shè)置。

第二屏蔽電極BM連接至靜態(tài)電壓源。換句話說，第二屏蔽電極BM可連接至恒定電壓源。例如，靜態(tài)電壓源可以是高電壓源EVDD。為此，第二屏蔽電極BM可通過第二接觸孔BH電連接至第一電源線VDL。

當(dāng)?shù)谝黄帘坞姌OTM和第二屏蔽電極BM連接至靜態(tài)電壓源時(shí)，第一屏蔽電極TM和第二屏蔽電極BM保持靜態(tài)電壓。在第一屏蔽電極TM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間形成第一電容器C1。就是說，第一屏蔽電極TM和驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG彼此重疊且在第一屏蔽電極TM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間有第二絕緣層IN2，由此在二者之間形成第一電容器C1。在第二屏蔽電極BM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間形成第二電容器C2。就是說，第二屏蔽電極BM和驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG彼此重疊且在第二屏蔽電極BM與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間有第一絕緣層IN1，由此在二者之間形成第二電容器C2。

電容器的電容越大，電容器中的電荷量越大。當(dāng)多個(gè)電容器連接至TFT DT的柵極電極DG時(shí)，柵極電極DG處的柵極電壓受具有相對高電容的電容器影響。第一電容器C1和第二電容器C2具有比第一數(shù)據(jù)線DL1與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG之間的寄生電容器Cgd高的電容值，這減小了寄生電容器Cgd對驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的影響。由此，驅(qū)動(dòng)TFTDT處的柵極電壓不受寄生電容器Cgd影響；因而不易受數(shù)據(jù)電壓的變化的影響。

因?yàn)檫B接至第一電容器C1的第一屏蔽電極TM處的電壓是恒定的，所以即使驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG通過第一電容器C1耦合至第一屏蔽電極TM，也不受第一屏蔽電極TM處的電壓影響。在本發(fā)明中，為了使第一電容器C1具有比寄生電容器Cgd高的電容，優(yōu)選的是第一屏蔽電極TM比驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步突出，從而在較寬的區(qū)域上與柵極電極DG重疊。

因?yàn)檫B接至第二電容器C2的第二屏蔽電極BM處的電壓是恒定的，所以即使驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG通過第二電容器C2耦合至第二屏蔽電極BM，也不受第二屏蔽電極BM處的電壓影響。在本發(fā)明中，為了使第二電容器C2具有比寄生電容器Cgd高的電容，優(yōu)選的是第二屏蔽電極BM比驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步突出，從而在較寬的區(qū)域上與柵極電極DG重疊。

向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步延伸的第一屏蔽電極TM在從驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG起向上的方向上提供了電場(E)屏蔽作用。換句話說，第一屏蔽電極TM可存在于驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間，以屏蔽形成在它們之間的向上的電場E，由此防止驅(qū)動(dòng)TFT DT處的柵極電壓被數(shù)據(jù)電壓影響。向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步延伸的第二屏蔽電極BM在從驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG起向下的方向上提供了電場(E)屏蔽作用。換句話說，第二屏蔽電極BM可存在于驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG下方，以屏蔽形成在它們之間的向下的電場E，由此防止驅(qū)動(dòng)TFT DT處的柵極電壓被數(shù)據(jù)電壓影響。

如上所述，優(yōu)選的是第一屏蔽電極TM的端部IS_T比柵極電極DG的端部IS_G向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步突出，以便賦予第一電容器C1比寄生電容器Cgd高的電容值并且屏蔽形成在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的向上的電場E。此外，優(yōu)選的是第二屏蔽電極BM的端部IS_B比柵極電極DG的端部IS_G向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步突出，以便賦予第二電容器C2比寄生電容器Cgd高的電容值并且屏蔽形成在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的向下的電場E。利用均向著第一數(shù)據(jù)線DL1更進(jìn)一步延伸的第一屏蔽電極TM和第二屏蔽電極BM，本發(fā)明能夠?qū)?shù)據(jù)電壓對驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的影響最小化，結(jié)果能夠防止在驅(qū)動(dòng)TFT DT處的柵極電壓隨數(shù)據(jù)電壓的變化而變化時(shí)發(fā)生的垂直串?dāng)_。

第一電容器C1和第二電容器C2起存儲(chǔ)電容器的作用。優(yōu)選的是第一屏蔽電極TM和第二屏蔽電極BM二者在較寬的區(qū)域上與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG重疊，以使存儲(chǔ)電容器具有足夠的電容。因此，利用具有足夠電容的存儲(chǔ)電容器，本發(fā)明能夠在為了降低的功耗而使像素以低刷新率運(yùn)行時(shí)，提高像素的數(shù)據(jù)可維護(hù)性并抑制像素電壓放電，由此提高甚至具有低刷新率的畫面質(zhì)量。

此外，因?yàn)槟軌虼怪钡匦纬苫蚨ㄎ辉O(shè)置雙存儲(chǔ)電容器，所以本發(fā)明在有限的區(qū)域中使存儲(chǔ)電容器具有足夠的電容。因此，本發(fā)明的第二典型實(shí)施方式可應(yīng)用于在有限區(qū)域中需要存儲(chǔ)電容器的具有高分辨率的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

本發(fā)明的第二典型實(shí)施方式特征在于具有第一屏蔽電極TM和第二屏蔽電極BM，以使施加至驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的柵極電壓不受相鄰線的電壓的變化影響。相鄰線不限于被施加數(shù)據(jù)電壓的上述數(shù)據(jù)線。相鄰線可包括任何線，只要與施加至驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG的柵極電壓不同的信號(hào)施加至相鄰線并且相鄰線定位成與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極電極DG相鄰即可。例如，參照附圖，相鄰線可包括1a柵極線GL1a、1b柵極線GL1b和1c柵極線GL1c。

盡管參照多個(gè)示例性的實(shí)施方式描述了實(shí)施方式，但應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能設(shè)計(jì)出多個(gè)其他修改例和實(shí)施方式，這落在本公開內(nèi)容的原理的范圍內(nèi)。更具體地說，在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在組成部件和/或主題組合構(gòu)造的配置中可進(jìn)行各種變化和修改。除了組成部件和/或配置中的變化和修改之外，多個(gè)可選擇的使用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也將是顯而易見的。

下面是本發(fā)明的典型方面的清單。

方面1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中每個(gè)像素具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管用于基于施加至柵極電極的電壓調(diào)整流過有機(jī)發(fā)光二極管的電流，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包含：

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極；

與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極相鄰的信號(hào)線；和

位于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極上方的第一屏蔽電極，在所述第一屏蔽電極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間有第一絕緣層，

其中所述第一屏蔽電極向著所述信號(hào)線比所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極向著所述信號(hào)線更進(jìn)一步突出。

方面2.根據(jù)方面1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號(hào)線與所述第一屏蔽電極之間的距離比所述信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間的距離短。

方面3.根據(jù)方面1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一屏蔽電極電連接至靜態(tài)電壓源。

方面4.根據(jù)方面3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包含：

形成在所述信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間的寄生電容器；和

通過所述第一屏蔽電極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極的重疊形成的第一電容器，

其中所述第一電容器具有比所述寄生電容器高的電容。

方面5.根據(jù)方面4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包含位于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極下方的第二屏蔽電極，在所述第二屏蔽電極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間有第二絕緣層，

其中所述第二屏蔽電極向著所述信號(hào)線比所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極向著所述信號(hào)線更進(jìn)一步突出。

方面6.根據(jù)方面5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號(hào)線與所述第二屏蔽電極之間的距離比所述信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極之間的距離短。

方面7.根據(jù)方面5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第二屏蔽電極電連接至靜態(tài)電壓源。

方面8.根據(jù)方面7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包含：

通過所述第二屏蔽電極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述柵極電極的重疊形成的第二電容器，

其中所述第二電容器具有比所述寄生電容器高的電容。