1.一種GSG軌道型射頻電極，包括GSG型平面電極，其特征在于：所述GSG型平面電極的單側(cè)或雙側(cè)周期性地添加用于延遲電場的軌道電極，軌道電極連接到GSG型平面電極的地電極上。
2.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述軌道電極與GSG型平面電極由相同的工藝和材料加工而成。
3.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：添加軌道電極的周期小于最小工作波長的十分之一。
4.如權(quán)利要求3所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述添加軌道電極的周期為50微米。
5.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述軌道電極的橫截面呈T型結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述軌道電極與GSG型平面電極處在同一個(gè)平面層，或者處在多層平面電極體系的不同平面層。
7.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述軌道電極與GSG型平面電極處在多層平面電極體系的不同平面層時(shí)，軌道電極通過電極層間的通孔與GSG型平面電極連接導(dǎo)通。
8.一種基于如權(quán)利要求1所述GSG軌道型射頻電極的硅基行波電極光調(diào)制器，其特征在于：包括GSG軌道型射頻電極和傳統(tǒng)的硅基行波電極光調(diào)制器，GSG軌道型射頻電極通過電極層間的通孔與硅基行波電極光調(diào)制器的有源區(qū)連接導(dǎo)通。
9.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
S1、通過電磁場仿真分析軟件，計(jì)算出阻抗為45～55歐姆匹配情況下的GSG型平面電極的幾何尺寸；
S2、在GSG型平面電極上添加負(fù)載，重新通過電磁場仿真分析軟件計(jì)算出添加了負(fù)載的阻抗；
S3、如果負(fù)載的阻抗在20～50歐姆之間，則確定單側(cè)添加軌道電極；如果負(fù)載的阻抗在50～100歐姆之間，則確定雙側(cè)添加軌道電極；
S4、在確定的電極結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，通過電磁場仿真分析軟件，優(yōu)化和設(shè)計(jì)軌道電極的結(jié)構(gòu)參數(shù)，獲得一個(gè)周期的單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；
S5、將優(yōu)化的單元結(jié)構(gòu)在長度方向上周期排列，得到完整的GSG軌道型射頻電極。
10.如權(quán)利要求9所述的GSG軌道型射頻電極的制備方法，其特征在于：步驟S4中，確定雙側(cè)添加軌道電極時(shí)，雙側(cè)所添加的軌道電極的大小和形狀相同或者不同，根據(jù)負(fù)載電容的大小進(jìn)行分別優(yōu)化和設(shè)計(jì)。