1.制造掩模的方法，所述方法包括：
使用激光在基礎(chǔ)材料中形成第一孔，所述第一孔從第一表面至與所述第一表面不同的第二表面穿透所述基礎(chǔ)材料；以及
使用刻蝕劑擴(kuò)張所述第一孔以形成第二孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一孔和所述第二孔中至少一個(gè)的橫截面積從所述第一表面至所述第二表面減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，擴(kuò)張所述第一孔包括去除形成在所述第一孔的內(nèi)表面上的氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
在所述第一表面處跨過(guò)所述第一孔的第一直線距離以及在所述第二表面處跨過(guò)所述第一孔的第二直線距離滿足以下方程：
X2＝X1–2*T/tan(θ)；以及
X1表示所述第一直線距離、X2表示所述第二直線距離、T表示所述基礎(chǔ)材料的厚度以及θ表示所述第一孔在所述第二表面與所述第一表面之間傾斜的角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一孔和所述第二孔包括逐漸變窄的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一孔和所述第二孔的所述逐漸變窄的表面互相平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在所述基礎(chǔ)材料的所述第一表面上形成第一阻擋膜，所述第一阻擋膜配置為抵抗所述刻蝕劑，
其中，所述第一阻擋膜包括使所述基礎(chǔ)材料的所述第一表面的一部分暴露的第一開口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一阻擋膜中的所述第一開口的尺寸與所述第二孔在所述基礎(chǔ)材料的所述第一表面處的開口的尺寸相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一阻擋膜中的所述第一開口的尺寸比所述第一孔在所述基礎(chǔ)材料的所述第一表面處的開口的尺寸大。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一阻擋膜在所述第一孔形成之前形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括：
在形成所述第二孔之后，將所述第一阻擋膜從所述基礎(chǔ)材料的所述第一表面去除。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在所述基礎(chǔ)材料的所述第二表面上形成第二阻擋膜，所述第二阻擋膜配置為抵抗所述刻蝕劑，
其中，所述第二阻擋膜包括使所述基礎(chǔ)材料的所述第二表面的一部分暴露的第二開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二阻擋膜在所述第一孔形成之前形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括：
在形成所述第二孔之后，將所述第二阻擋膜從所述基礎(chǔ)材料的所述第二表面去除。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述刻蝕劑被提供至所述第一表面和所述第二表面中的至少一個(gè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一阻擋膜在所述第一孔形成之后形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二阻擋膜在所述第一孔形成之后形成。
18.制造掩模的方法，所述方法包括：
至少部分地使激光穿過(guò)基礎(chǔ)材料形成第一孔，所述第一孔從所述基礎(chǔ)材料的第一表面延伸至所述基礎(chǔ)材料的第二表面；以及
至少部分地使刻蝕劑向所述第一孔提供，所述刻蝕劑配置為擴(kuò)張所述第一孔的尺寸以形成第二孔。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第二孔與所述第一孔共心地對(duì)準(zhǔn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：
至少部分地使第一阻擋膜形成在所述第一表面上；以及
至少部分地使第二阻擋膜形成在所述第二表面上，
其中，所述第一阻擋膜和所述第二阻擋膜配置為抵抗所述刻蝕劑的作用，以及
其中，使所述刻蝕劑朝向所述第一表面和所述第二表面中的至少一個(gè)噴涂。