技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料制備技術(shù)，特別涉及一種SiC薄膜材料的制備方法，包括以下步驟：(1)提供并清洗單晶Si襯底，并在該單晶Si襯底上設(shè)置一碳納米管層；(2)將設(shè)置有碳納米管層的生長襯底放入HFCVD系統(tǒng)，在碳納米管層表面形成SiC膜；(3)將步驟(2)形成的襯底放入MOCVD系統(tǒng)，C3H8碳化未被碳納米管覆蓋的單晶Si襯底，形成碳化膜；(4)SiH4和C3H8為生長源生長SiC，形成表面平整的SiC薄膜緩沖層；(5)SiH4和C3H8為生長源生長SiC，形成SiC薄膜層。本發(fā)明所述方法制得的SiC薄膜材料的晶體質(zhì)量良好。

技術(shù)研發(fā)人員：王文慶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市聯(lián)洲知識產(chǎn)權(quán)運(yùn)營管理有限公司
文檔號碼：201610841190
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.22
技術(shù)公布日：2017.02.15