本發(fā)明涉及制備金屬、半導體、絕緣體等多種材料的磁控濺鍍

膜技術，特別是涉及一種提高磁控濺射鍍膜均勻性及穩(wěn)定性的靶材基座。

背景技術：

磁控濺射是物理氣相沉積的一種，用于制備金屬、半導體、絕緣體等多種材料的膜。在工作中由于磁場對等離子體的影響，導致靶材會被刻蝕消耗形成一個圓環(huán)，僅占表面積的十分之一左右，利用率極低，在實際的鍍膜過程中，沉積速率與濺射功率、濺射時間、靶材到基片的距離（靶基距）、工作氣壓等影響著鍍膜質量與厚度。在磁控濺射鍍膜中，由于隨著使用次數(shù)的增加，靶材消耗，靶基距變大，當其它參數(shù)不變時，所鍍的膜會逐漸不符合要求。而磁場的均勻性則影響膜的均勻性，若磁場不對稱，則會造成鍍膜位置的偏移。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種提高磁控濺射鍍膜均勻性及穩(wěn)定性的靶材基座。

本發(fā)明采取的技術方案是：一種提高磁控濺射鍍膜均勻性及穩(wěn)定性的靶材基座，包括用于放置靶材的基座，其特征在于，在所述基座下部安裝可使基座旋轉用于調整高度的電機，電機的傳動桿的一端伸入基座下部螺紋連接，且通過螺母鎖緊。

本發(fā)明產生的有益效果是：采用本設計解決了傳統(tǒng)磁控濺射鍍膜中，由于隨著使用次數(shù)的增加，靶材消耗，靶基距變大，當其它參數(shù)不變時，所鍍的膜會逐漸不符合要求的問題。確保了磁場的均勻性，進而保證了鍍膜的均勻性及穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的主視圖；

圖2是本發(fā)明的左視圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發(fā)明做進一步說明：

參照圖1和圖2，在磁控濺射的陰極部分基本可分為三部分：用于放置靶材1的基座3、固定在基座3下方的體永磁體4和旋在基座3上的陰極罩2，陰極罩2中間留有圓孔使靶材1露出；在基座3下部安裝可使基座3旋轉用于調整高度的電機7，電機7的傳動桿5的一端伸入基座3下部螺紋連接，且通過螺母6鎖緊。

本發(fā)明的設計原理：本設計是在現(xiàn)有的基座基礎上進行的改造，在基座下方加一電機，使基座可以旋轉，而永磁體固定不可旋轉，以消除磁場可能不均勻對濺射鍍膜的影響。基座和電機使用螺紋連接，這樣可使基座調節(jié)位置高度，隨著濺射鍍膜對靶材的刻蝕，逐漸調節(jié)靶材高度，另加以螺母固定基座與電機，保證在基座旋轉時高度保持不變，這樣使靶基距始終保持在一定范圍內，保證濺射參數(shù)的穩(wěn)定性，間接的增加了靶材壽命，提高了磁控濺射鍍膜的穩(wěn)定性。

將靶材裝在基座上，由于基座與傳動桿之間使用螺紋連接，所以可通過旋轉基座調整基座高度，高度調整好后使用螺母鎖緊。開始濺射前將電機打開。在使用磁控濺射工作10h后，向上微調基座，保持靶基距與開始時一致，用螺母鎖緊。

本設計適用于硫化鎘、硒化鎘、銅、氮化鋁等鍍膜材料。