1.一種層狀結(jié)構(gòu)熱障涂層的制備方法，其包括以下步驟：
(1)將蒸發(fā)材料棒放入真空室的坩堝上，工件放入真空室的水平軸上，將離子源靶材放入離子源中，對真空室抽真空；
(2)將所述工件放置到所述蒸發(fā)材料棒正上方，將擋板放置到所述工件與所述蒸發(fā)材料棒之間；
(3)用電子束將所述蒸發(fā)材料棒熔化至表面呈沸騰狀態(tài)，然后將電子束流降低，保持所述蒸發(fā)材料棒呈微紅狀態(tài)；
(4)用電子束對所述工件進行預熱；
(5)啟動離子源；
(6)調(diào)整電子束流，使所述蒸發(fā)材料棒表面呈沸騰狀態(tài)，設定所述蒸發(fā)材料棒呈上升狀態(tài)；
(7)移開所述擋板，讓所述工件完全暴露于蒸汽之中；
(8)降低離子束流，然后調(diào)整電子束流的大小，使所述蒸發(fā)材料棒表面呈沸騰狀態(tài)，設定所述蒸發(fā)材料棒呈上升狀態(tài)；
(9)增加離子束流，然后降低電子束流，使所述蒸發(fā)材料棒表面呈微紅狀態(tài)，保持所述蒸發(fā)材料棒靜止；
(10)周期性重復步驟8和9，直至沉積過程結(jié)束；
(11)關(guān)閉所述電子束和離子源，待所述工件冷卻至室溫取出，完成層狀結(jié)構(gòu)熱障涂層的制備。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，將所述蒸發(fā)材料棒熔化至表面呈沸騰狀態(tài)的電子束流強度為1.7-1.9A，優(yōu)選為1.8A，保持所述蒸發(fā)材料棒呈微紅狀態(tài)的電子束流強度為0.2-0.4A，優(yōu)選為0.3A。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，所述電子束的束流強度為0.08-0.12A，優(yōu)選為0.1A。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(5)中，所述離子源的引出電壓為5-7KV，轟擊時間為5-10min。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(8)中，降低所述離子束的引出電壓為1-3KV；所述電子束流的強度為1.7-1.9A，優(yōu)選為1.8A；所述蒸發(fā)材料棒表面呈沸騰狀態(tài)20-60s。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(9)中，增加所述離子束的引出電壓為5-7KV；所述電子束流的強度為0.2-0.4A，優(yōu)選為0.3A；所述蒸發(fā)材料棒表面呈微紅狀態(tài)30-120s。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(6)和步驟(7)中，所述上升狀態(tài)的上升速率是0.5-2mm/min。
8.如權(quán)利要求1-7中任一項所述的制備方法，其特征在于，在步驟(1)中：
所述蒸發(fā)材料棒為氧化釔部分穩(wěn)定化的氧化鋯；
所述離子源靶材為鈦、鈦合金、錸、鉿、鋯、鎳鈷鉻鋁釔、鎳鉻鋁釔或鈷鉻鋁釔。
9.如權(quán)利要求1-8中任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述真空室的真空度在1×10-2Pa以下；所述水平軸的轉(zhuǎn)速為5-20rmp。
10.如權(quán)利要求1-9中任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，所述預熱的溫度為600-800℃。