本申請(qǐng)涉及一種頂環(huán)和基板處理裝置。

背景技術(shù)：

1、為了將基板的表面平坦化，會(huì)使用化學(xué)機(jī)械研磨(cmp)裝置于半導(dǎo)體組件的制造。半導(dǎo)體組件的制造所使用的基板大多為圓板狀。另外，不限于半導(dǎo)體組件，在將覆銅箔層基板(ccl，copper?clad?laminate)或印刷電路基板(pcb，printed?circuit?board)、光罩基板、顯示器面板等四邊形(方形)基板表面平坦化時(shí)的平坦度的要求亦有提高。又，對(duì)于將配置有pcb基板等電子組件的封裝基板的表面平坦化的要求亦有提高。

2、化學(xué)機(jī)械研磨裝置等基板處理裝置例如包含用于保持基板的頂環(huán)。在此頂環(huán)中，通過基板吸附部件進(jìn)行真空吸附保持基板wf，在該狀態(tài)下一邊使頂環(huán)旋轉(zhuǎn)，一邊將其按壓于相同地旋轉(zhuǎn)的研磨臺(tái)上的研磨墊而將基板wf化學(xué)機(jī)械研磨。

3、并且，為了調(diào)節(jié)由頂環(huán)造成基板對(duì)于研磨墊的按壓力(按壓力)，在頂環(huán)配置多個(gè)壓電元件(日本特開平9-225820號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)及日本特開2000-094301號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2))。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1：日本特開平9-225820號(hào)公報(bào)

7、專利文獻(xiàn)2：日本特開2000-094301號(hào)公報(bào)

8、發(fā)明要解決的課題

9、在上述研磨裝置中，以基板的厚度不均、構(gòu)成頂環(huán)的基板吸附部的多孔質(zhì)部件/遮蔽部件的面內(nèi)均勻性為主因，可能在基板的被研磨面發(fā)生研磨不均勻。例如，就多孔質(zhì)部件而言，為了得到平坦性(厚度的均勻性)，會(huì)進(jìn)行使用平面銑刀的平面加工(銑削加工)，但其加工痕有原樣轉(zhuǎn)印至研磨率的情況。

10、在基于銑削的平面切削加工的情況下，難以高精度地將多孔質(zhì)部件的基板吸附面的平面度及/或厚度精度加工至不會(huì)影響研磨性能的等級(jí)，為了追求不產(chǎn)生影響的等級(jí)，有必要選擇更高精度的加工方法，導(dǎo)致成本上升。并且，方形基板在其特性上與半導(dǎo)體晶片不同，有厚度不均勻的程度大的傾向，亦有厚度不均勻大幅影響研磨的擔(dān)憂。

11、為了提升研磨率的面內(nèi)均勻性，頂環(huán)有時(shí)會(huì)具備由彈性膜隔開的多個(gè)加壓室。通過對(duì)各加壓室的壓力賦予差異，可在某種程度上修正按壓基板的力的均勻性，但并無法賦予微小且復(fù)雜的壓力差，即使可以也會(huì)成為昂貴的構(gòu)成。又，當(dāng)設(shè)計(jì)一旦確定，要變更則需要大量的勞力。又，即使具備多個(gè)壓電元件的頂環(huán)(日本特開平9-225820號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)及日本特開2000-094301號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2))中，以提升研磨率的面內(nèi)均勻性的觀點(diǎn)，仍有改善的空間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一個(gè)目的在于實(shí)現(xiàn)可提升研磨均勻性的頂環(huán)。

2、根據(jù)一實(shí)施方式，公開一種用于保持基板的頂環(huán)，具備：基座部件，該基座部件與旋轉(zhuǎn)軸連結(jié)；基板吸附部件，該基板吸附部件包含多孔質(zhì)部件，該多孔質(zhì)部件具有用于吸附基板的基板吸附面及與減壓手段連通的減壓部；及第一加壓組件，該第一加壓組件配置于所述基座部件與所述基板吸附部件之間，且具有配置于該基板吸附部件的與所述基板吸附面相反的一側(cè)的多個(gè)第一加壓手段，各第一加壓手段構(gòu)成為能夠彼此完全獨(dú)立地對(duì)于所述基板吸附部件施加按壓力。

技術(shù)特征：

1.一種頂環(huán)，用于保持基板，其特征在于，具備：

2.如權(quán)利要求1所述的頂環(huán)，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1或2所述的頂環(huán)，其特征在于，

4.如權(quán)利要求3所述的頂環(huán)，其特征在于，

5.如權(quán)利要求1或2所述的頂環(huán)，其特征在于，

6.如權(quán)利要求5所述的頂環(huán)，其特征在于，

7.如權(quán)利要求5所述的頂環(huán)，其特征在于，

8.如權(quán)利要求7所述的頂環(huán)，其特征在于，

9.如權(quán)利要求5所述的頂環(huán)，其特征在于，

10.如權(quán)利要求1或2所述的頂環(huán)，其特征在于，

11.如權(quán)利要求10所述的頂環(huán)，其特征在于，

12.如權(quán)利要求11所述的頂環(huán)，其特征在于，

13.如權(quán)利要求1或2所述的頂環(huán)，其特征在于，

14.如權(quán)利要求1或2所述的頂環(huán)，其特征在于，

15.如權(quán)利要求1或2所述的頂環(huán)，其特征在于，

16.如權(quán)利要求2所述的頂環(huán)，其特征在于，

17.一種基板處理裝置，其特征在于，具備：

18.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，

19.如權(quán)利要求17或18所述的基板處理裝置，其特征在于，

20.一種校正方法，使用遺傳算法對(duì)具備多個(gè)壓電元件的頂環(huán)進(jìn)行校正，其特征在于，

21.一種記錄介質(zhì)，存儲(chǔ)有使計(jì)算機(jī)執(zhí)行使用遺傳算法對(duì)具備多個(gè)壓電元件的頂環(huán)進(jìn)行校正的方法的程序，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
實(shí)現(xiàn)可提高研磨的均勻性的頂環(huán)。一種用于保持基板的頂環(huán)，具備：基座部件，與旋轉(zhuǎn)軸連結(jié)；基板吸附部件，包含具有用于吸附基板的基板吸附面及與減壓手段連通的減壓部的多孔質(zhì)部件；及第一加壓組件，配置于該基座部件與該基板吸附部件之間，且具有配置于該基板吸附部件的與該基板吸附面相反的一側(cè)的多個(gè)第一加壓手段的第一加壓組件，各第一加壓手段構(gòu)成為能夠彼此完全獨(dú)立地對(duì)于該基板吸附部件施加按壓力。

技術(shù)研發(fā)人員：柏木誠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社荏原制作所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15