一種高純氧化鋁顆粒的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，該方法以高純氧化鋁粉為原料，先用氣流磨對高純氧化鋁粉料進行氣流粉碎，粉料經氣流磨破碎后粒級成正態(tài)分布，D50控制在5~25微米；然后用圓盤制粒機進行制粒，制粒后在1700~1800℃下進行高溫焙燒，焙燒得到體積密度為3.2~3.6g/cm3的高純氧化鋁顆粒料。本發(fā)明方法采用氣流磨避免了粉料破碎過程中設備對高純氧化鋁粉體的污染；造粒過程中采用的是全自動圓盤造粒機，不僅提高了產品的堆積密度和強度，減少了顆粒的掉粉，而且大大降低了工人的勞動強度。產品滿足下游藍寶石生產廠家的需求。
【專利說明】一種高純氧化鋁顆粒的制備方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種化工粉料成型方法的【技術領域】，特別是一種高純氧化鋁顆粒的制備方法。

【背景技術】
[0002]高密度高純氧化鋁顆粒主要用作藍寶石長晶的原料，由于工藝要求氧化鋁純度高、密度大，以前藍寶石用高純氧化鋁顆粒只能用糖衣機進行小規(guī)模生產，并且原工藝生產的高純氧化鋁顆粒密度低，在質量上也很難達到下游客戶的需求。


【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種工藝設計更為合理、所制得的產品密度高的高純氧化鋁顆粒的制備方法。
[0004]本發(fā)明所要解決的技術問題是通過以下的技術方案來實現的。本發(fā)明是一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，其特點是:該方法以高純氧化鋁粉為原料，先用氣流磨對高純氧化鋁粉料進行氣流粉碎，粉料經氣流磨破碎后粒級成正態(tài)分布，D50控制在5~25微米；然后用圓盤制粒機進行制粒，制粒后在1700~1800°C下進行高溫焙燒，焙燒得到體積密度為3.2-3.6g/cm3的高純氧化鋁顆粒料。
[0005]本發(fā)明所述的一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，進一步優(yōu)選的技術方案或者技術特征是:
1、制粒前將粉料加入自動喂料機，由自動喂料機向圓盤制粒機下料，下料量優(yōu)選控制在40 — 65公斤/小時，圓盤制粒機的轉速優(yōu)選控制在15 — 25轉/分鐘；
2、制粒前將粉料加入自動喂料機，由自動喂料機向圓盤制粒機下料，下料量進一步優(yōu)選控制在60公斤/小時，圓盤制粒機的轉速進一步優(yōu)選控制在18轉/分鐘；
3、制粒前將粉料加入自動喂料機，由自動喂料機向圓盤制粒機下料，下料量進一步優(yōu)選控制在40公斤/小時，圓盤制粒機的轉速進一步優(yōu)選控制在16轉/分鐘。
[0006]4、高溫焙燒在1750°C條件下進行。
[0007]與現有技術相比，本發(fā)明方法在氧化鋁粉料預處理過程中采用的是氣流磨，避免了粉料破碎過程中設備對高純氧化鋁粉體的污染；粉料經氣流磨破碎后粒級成正態(tài)分布，D50控制5~25微米；造粒過程中采用的是全自動圓盤造粒機，不僅提高了產品的堆積密度和強度，減少了顆粒的掉粉，而且大大降低了工人的勞動強度。采用該工藝制備的高純氧化鋁顆粒經高溫焙燒后，體積密度達到3.2-3.6g/cm3，完全滿足下游藍寶石生產廠家的需求。

【具體實施方式】
[0008]以下進一步對本發(fā)明技術方案進行描述，以使本領域技術人員進一步理解本發(fā)明，而不構成對其權利的限制。
[0009]實施例1，一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，該方法以高純氧化鋁粉為原料，先用氣流磨對高純氧化鋁粉料進行氣流粉碎，粉料經氣流磨破碎后粒級成正態(tài)分布，D50控制在5微米；然后用圓盤制粒機進行制粒，制粒后在1700°C下進行高溫焙燒，焙燒得到體積密度為3.2-3.6g/cm3的高純氧化鋁顆粒料。
[0010]實施例2，一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，該方法以高純氧化鋁粉為原料，先用氣流磨對高純氧化鋁粉料進行氣流粉碎，粉料經氣流磨破碎后粒級成正態(tài)分布，D50控制在25微米；然后用圓盤制粒機進行制粒，制粒后在1800°C下進行高溫焙燒，焙燒得到體積密度為3.2-3.6g/cm3的高純氧化鋁顆粒料。
[0011]實施例3，一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，該方法以高純氧化鋁粉為原料，先用氣流磨對高純氧化鋁粉料進行氣流粉碎，粉料經氣流磨破碎后粒級成正態(tài)分布，D50控制在15微米；然后用圓盤制粒機進行制粒，制粒后在1750°C下進行高溫焙燒，焙燒得到體積密度為3.2-3.6g/cm3的高純氧化鋁顆粒料。
[0012]實施例4，一種高純氧化鋁顆粒的制備實驗一:取200公斤高純氧化鋁粉，用氣流磨粉碎后，用馬爾文激光粒度儀檢測D50=21微米，將磨細后的粉料加入自動喂料機，下料量控制在60公斤/小時，圓盤制粒機轉速控制在18轉/分鐘，制得顆粒經1750度高溫焙燒后，顆粒體積密度3.55 g/cm3且外表光滑不掉粉。
[0013]實施例5，一種高純氧化鋁顆粒的制備實驗二:取200公斤高純氧化鋁粉，用氣流磨粉碎后，用馬爾文激光粒度儀檢測D50=15微米，將磨細后的粉料加入自動喂料機，下料量控制在40公斤/小時，圓盤制粒機轉速控制在16轉/分鐘，制得顆粒經1720度高溫焙燒后，顆粒體積密度3.45 g/cm3且外表光滑不掉粉。
[0014]實施例6，一種高純氧化鋁顆粒的制備實驗三:取200公斤高純氧化鋁粉，用氣流磨粉碎后，用馬爾文激光粒度儀檢測D50=12微米，將磨細后的粉料加入自動喂料機，下料量控制在40公斤/小時，圓盤制粒機轉速控制在20轉/分鐘，制得顆粒經1750度高溫焙燒后，顆粒體積密度3.58 g/cm3且外表光滑不掉粉。
【權利要求】
1.一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，其特征在于:該方法以高純氧化鋁粉為原料，先用氣流磨對高純氧化鋁粉料進行氣流粉碎，粉料經氣流磨破碎后粒級成正態(tài)分布，D50控制在5~25微米；然后用圓盤制粒機進行制粒，制粒后在1700~1800°C下進行高溫焙燒，焙燒得到體積密度為3.2-3.6g/cm3的高純氧化鋁顆粒料。
2.根據權利要求1所述的一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，其特征在于:制粒前將粉料加入自動喂料機，由自動喂料機向圓盤制粒機下料，下料量控制在40 — 65公斤/小時，圓盤制粒機的轉速控制在15 — 25轉/分鐘。
3.根據權利要求2所述的一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，其特征在于:制粒前將粉料加入自動喂料機，由自動喂料機向圓盤制粒機下料，下料量控制在60公斤/小時，圓盤制粒機的轉速控制在18轉/分鐘。
4.根據權利要求2所述的一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，其特征在于:制粒前將粉料加入自動喂料機，由自動喂料機向圓盤制粒機下料，下料量控制在40公斤/小時，圓盤制粒機的轉速控制在16轉/分鐘。
5.根據權利要求1一 4任何一項所述的一種高純氧化鋁顆粒的制備方法，其特征在于:高溫焙燒在1750°C條件下進行。
【文檔編號】C01F7/02GK104477954SQ201410668691
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年11月21日 優(yōu)先權日:2014年11月21日
【發(fā)明者】朱立起, 李文成, 李方慶 申請人:連云港樂園新材料科技有限公司