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一種石墨相氮化碳量子點(diǎn)的制備方法與流程

文檔序號:11122502閱讀:4623來源:國知局
一種石墨相氮化碳量子點(diǎn)的制備方法與制造工藝

本發(fā)明涉及光催化材料領(lǐng)域,尤其涉及一種石墨相的氮化碳量子點(diǎn)的制備方法。



背景技術(shù):

石墨相氮化碳(g-C3N4) 作為一種新興的非金屬可見光催化劑得到了國內(nèi)外廣泛的關(guān)注和研究。它是一種直接帶隙半導(dǎo)體,理想條件下室溫禁帶寬度為 2.7 eV 左右,因?yàn)榫哂信c碳材料相似的層狀堆積結(jié)構(gòu)和 sp2雜化的π共軛電子能帶結(jié)構(gòu),因此 g-C3N4被認(rèn)為是最有可能代替碳材料的新型應(yīng)用功能材料。

量子點(diǎn)的特殊結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了它具有表面效應(yīng) 、量子尺寸效應(yīng) 、介電限域效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng) ,從而派生出與宏觀體系和微觀體系不同的低維物性 ,展現(xiàn)出許多不同于宏觀塊體材料的物理化學(xué)性質(zhì)和獨(dú)特的發(fā)光特性。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種石墨相氮化碳量子點(diǎn)的制備方法,本發(fā)明將g-C3N4和量子點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來,制備出石墨相氮化碳量子點(diǎn)(CNQDs)。溶液中具有熒光性質(zhì)的石墨相氮化碳量子點(diǎn)在給電子體或者供電子體的作用下會(huì)發(fā)生熒光猝滅,量子點(diǎn)的這種受到光而發(fā)生電子轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象,使得量子點(diǎn)能夠在光轉(zhuǎn)換和相關(guān)應(yīng)用中發(fā)揮重要作用,可以與多種材料復(fù)合形成異質(zhì)結(jié)催化材料,具有十分可觀的應(yīng)用價(jià)值。

本發(fā)明是通過以下步驟來實(shí)現(xiàn)的:

1、稱取40g硫脲均勻平鋪于坩堝底部,將坩堝置于馬弗爐中高溫煅燒,煅燒溫度為500℃,升溫速率3℃/min,煅燒時(shí)間為2h,得到黃色固體(石墨相氮化碳體);

2、黃色固體冷卻至室溫,將其研磨均勻,再次置于馬弗爐中高溫煅燒,煅燒溫度為520℃,升溫速率3℃/min,煅燒時(shí)間為2h,得到淡黃色片狀固體(石墨相氮化碳片狀);

3、取20—100 mg上述淡黃色片狀固體加入30—50ml水或30ml濃氨水,超聲波分散5—9 h,之后取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度180—200度、水熱時(shí)間10-12 h,冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

上述制備方法的石墨相氮化碳片取用量為25-35mg、水熱溫度為180度或200度、超聲波分散時(shí)間為5 h。

本發(fā)明通過控制水熱反應(yīng)的溫度和時(shí)間,將石墨相氮化碳片 “切”成具有熒光效應(yīng)的量子點(diǎn)。G-C3N4具有類似石墨的片層結(jié)構(gòu),片層以 3-三嗪環(huán)為基本結(jié)構(gòu)單元。3-三嗪環(huán)中,C、N 原子均發(fā)生 sp2 軌道雜化,與石墨結(jié)構(gòu)中的 C-C 不同,所有原子的 p 軌道相互重疊而形成離域π鍵,結(jié)構(gòu)中每個(gè)碳氮鍵的鍵長和鍵能都相等,這是一種與苯環(huán)結(jié)構(gòu)類似的有機(jī)環(huán)狀結(jié)構(gòu)。根據(jù)Markus Antonietti 教授對 g-C3N4的結(jié)構(gòu)的深入研究,七嗪環(huán)構(gòu)成的g-C3N4結(jié)構(gòu)中,環(huán)內(nèi)的 C-N 鍵長 0.1316 nm,C-N-C 鍵角為 116.6°;環(huán)外的 C-N 鍵長0.1442nm,C-N-C-鍵角為 120.0°。七嗪環(huán)構(gòu)成的 g-C3N4的聚合度更高,通過密度泛函理論(DFT)理論計(jì)算,縮聚反應(yīng)的過程中,七嗪環(huán)構(gòu)成的 g-C3N4的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。

本發(fā)明的技術(shù)效果是:本發(fā)明將g-C3N4 sheet七嗪環(huán)結(jié)構(gòu)破壞,得到納米級尺寸的量子點(diǎn),該方法簡便易行,操作簡單,填補(bǔ)了量子點(diǎn)制備領(lǐng)域的空白,而且,相對于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體量子點(diǎn)和有機(jī)染料,此方法制備的量子點(diǎn)水溶性好,化學(xué)惰性高,易于功能化,耐光漂白,低毒性,因此,該量子點(diǎn)在光解有機(jī)物、殺菌和生物標(biāo)記等方面,特別是在環(huán)境保護(hù)方面,有著廣闊的應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1為實(shí)施例1制得的產(chǎn)品粒徑測試結(jié)果圖。

圖2為實(shí)施例2制得的產(chǎn)品粒徑測試結(jié)果圖。

圖3為實(shí)施例3制得的產(chǎn)品粒徑測試結(jié)果圖。

圖4為實(shí)施例4制得的產(chǎn)品粒徑測試結(jié)果圖。

圖5為實(shí)施例5制得的產(chǎn)品粒徑測試結(jié)果圖。

圖6為實(shí)施例6制得的產(chǎn)品粒徑測試結(jié)果圖。

圖7為實(shí)施例7制得的產(chǎn)品粒徑測試結(jié)果圖。

圖8為實(shí)施例8制得的產(chǎn)品粒徑測試結(jié)果圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖1和實(shí)施例1-8來詳細(xì)說明本發(fā)明所具有的有益效果,旨在幫助閱讀者更好地理解本發(fā)明的實(shí)質(zhì),但不能對本發(fā)明的實(shí)施和保護(hù)范圍構(gòu)成任何限定。

實(shí)施例1

取20mg 石墨相氮化碳片加入50ml水中,超聲波分散24h,取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度200度、水熱時(shí)間10h進(jìn)行反應(yīng),待冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

實(shí)施例2

25mg 石墨相氮化碳片狀加入到30ml水,超聲波分散5h,用NaOH將溶液調(diào)節(jié)pH至12,之后取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度200度、水熱時(shí)間10 h進(jìn)行反應(yīng),待冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

實(shí)施例3

50mg石墨相氮化碳片加入到30ml水,超聲波分散5h,用NaOH將溶液調(diào)節(jié)pH至12,之后取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度200度、水熱時(shí)間10h 進(jìn)行反應(yīng),待冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

實(shí)施例4

100mg 石墨相氮化碳片加入到30ml水,超聲波分散5h,用NaOH將溶液調(diào)節(jié)pH至12,之后取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度200度、水熱時(shí)間10h進(jìn)行反應(yīng) ,待冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

實(shí)施例5

25mg 石墨相氮化碳片加入到30ml濃氨水中,超聲波分散5h,之后取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度180度、水熱時(shí)間12h進(jìn)行反應(yīng),冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

實(shí)施例6

35mg 石墨相氮化碳片加入到30ml濃氨水中,超聲波分散5h,之后取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度180度、水熱時(shí)間12h進(jìn)行反應(yīng),冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

實(shí)施例7

25mg 石墨相氮化碳片加入到30ml濃氨水中,超聲波分散9h,之后取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度180度、水熱時(shí)間12h進(jìn)行反應(yīng),冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

實(shí)施例8

35mg 石墨相氮化碳片加入到30ml濃氨水中,超聲波分散9h,之后取上層較均勻液體轉(zhuǎn)移到50ml聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,在水熱溫度180度、水熱時(shí)間12h進(jìn)行反應(yīng),冷卻至室溫即可得到產(chǎn)品。

從上述實(shí)施例可知,不同的g-C3N4 sheet量對產(chǎn)品影響不大,不同超聲波分散時(shí)間對產(chǎn)品影響較大,超聲波分散時(shí)間過長反而效果不佳,水熱反應(yīng)的溫度在180—200度效果最好。

綜上所述,本發(fā)明水熱法制備CNQDs時(shí),石墨相氮化碳片量在25-35mg、水熱反應(yīng)溫度200-180度、超聲波分散時(shí)間為5h,其技術(shù)效果最好。

以上所述的實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述,并非對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定,在不脫離本發(fā)明設(shè)計(jì)精神的前提下,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對本發(fā)明的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn),均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。

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