本發(fā)明屬于光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種多晶硅鑄錠熱場。

背景技術(shù)：

隨著光伏市場的日趨成熟，競爭日趨激烈，客戶需求不再集中在成本低的產(chǎn)品上，而是轉(zhuǎn)向高品質(zhì)的光伏產(chǎn)品。影響光伏產(chǎn)品品質(zhì)的一個關(guān)鍵點就是硅片的光衰問題，現(xiàn)在的硅片光衰率偏高，因此，如何獲得光衰較低且可大規(guī)模生產(chǎn)，不影響生產(chǎn)效率和成本的光伏產(chǎn)品是目前主要的問題。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了得到低光衰硅片，主要是使用鎵作為母合金，但由于多晶硅錠在摻鎵后電阻率分布范圍較大，不同熱區(qū)的硅錠頭部電阻率分布不均勻，頭部采用同樣劃線的情況下，會產(chǎn)生很多電阻率較低的硅片，低電阻位置的漏電流較高，電池效率較低，增加了生產(chǎn)的操作困難，導(dǎo)致生產(chǎn)效率不高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種多晶硅鑄錠熱場，能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區(qū)域，減少品檢操作人員對摻鎵硅錠不同區(qū)域頭部電阻率一一測試的繁瑣操作，提高生產(chǎn)效率。

本發(fā)明提供的一種多晶硅鑄錠熱場，包括側(cè)部加熱器和頂部加熱器，所述頂部加熱器的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度比所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度小預(yù)設(shè)數(shù)值。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域為靠近一個角或兩個角的區(qū)域。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域為靠近一個邊的位置。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述預(yù)設(shè)數(shù)值為3毫米至10毫米。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述頂部加熱器還包括設(shè)置于所述預(yù)設(shè)區(qū)域和所述其他區(qū)域之間的斜坡式平面。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度范圍為18毫米至22毫米。

通過上述描述可知，本發(fā)明提供的上述多晶硅鑄錠熱場，由于所述頂部加熱器的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度比所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度小預(yù)設(shè)數(shù)值，因此能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區(qū)域，減少品檢操作人員對摻鎵硅錠不同區(qū)域頭部電阻率一一測試的繁瑣操作，提高生產(chǎn)效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場的頂部加熱器的示意圖；

圖2為本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場的頂部加熱器的橫截面圖。

具體實施方式

本發(fā)明的核心思想在于提供一種多晶硅鑄錠熱場，能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區(qū)域，減少品檢操作人員對摻鎵硅錠不同區(qū)域頭部電阻率一一測試的繁瑣操作，提高生產(chǎn)效率。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場，包括側(cè)部加熱器和頂部加熱器，所述頂部加熱器如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場的頂部加熱器的示意圖，該頂部加熱器的預(yù)設(shè)區(qū)域1的厚度比所述預(yù)設(shè)區(qū)域1以外的其他區(qū)域的厚度2小預(yù)設(shè)數(shù)值。更多的細(xì)節(jié)參考圖2，圖2為本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場的頂部加熱器的橫截面圖，可以明顯的看出，預(yù)設(shè)區(qū)域1的厚度比其他區(qū)域2的厚度更小，這樣就能夠增加這個預(yù)設(shè)區(qū)域的電阻，雜質(zhì)都聚集到該區(qū)域，只需要后續(xù)檢查此位置的參數(shù)即可，從而降低品檢人員的工作量。

通過上述描述可知，本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場，由于所述頂部加熱器的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度比所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度小預(yù)設(shè)數(shù)值，因此能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區(qū)域，減少品檢操作人員對摻鎵硅錠不同區(qū)域頭部電阻率一一測試的繁瑣操作，提高生產(chǎn)效率。

本申請實施例提供的第二種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述預(yù)設(shè)區(qū)域為靠近一個角或兩個角的區(qū)域。

當(dāng)預(yù)設(shè)區(qū)域為靠近一個角的區(qū)域時，頂部加熱器在這種靠近一個角的區(qū)域中電阻率偏低，從而，頭部電阻率偏低的硅塊集中在該區(qū)域，后續(xù)就可以減少繁瑣操作，而當(dāng)預(yù)設(shè)區(qū)域為靠近兩個角的區(qū)域時則同理，此處不再贅述。

本申請實施例提供的第三種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述預(yù)設(shè)區(qū)域為靠近一個邊的位置。

在這種情況下，就能夠?qū)㈦娮杪势偷墓鑹K集中在靠近一個邊的位置，而不像現(xiàn)有技術(shù)中那樣分散在各個位置，這樣也方便后續(xù)質(zhì)檢人員的操作，提高工作效率。

本申請實施例提供的第四種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述預(yù)設(shè)數(shù)值為3毫米至10毫米。

需要說明的是，這種減薄的厚度范圍能夠有效保證鎵元素分凝到預(yù)設(shè)區(qū)域，使固定增強熱區(qū)的電阻率偏低。

本申請實施例提供的第五種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

繼續(xù)參考圖2，所述頂部加熱器還包括設(shè)置于所述預(yù)設(shè)區(qū)域1和所述其他區(qū)域2之間的斜坡式平面3。這種斜坡式平面能夠增加結(jié)構(gòu)強度，防止在安裝過程中出現(xiàn)折斷或者在使用過程中出現(xiàn)拉弧現(xiàn)象，當(dāng)然不做斜坡式也是可以的。

本申請實施例提供的第六種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種至第四種多晶硅鑄錠熱場中任一種的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度范圍為18毫米至22毫米。

需要說明的是，可以根據(jù)所需的電阻率來選擇對應(yīng)的厚度值。

綜上所述，上述各個方案中，在鑄錠爐內(nèi)頂部加熱器任一邊角位置的加熱區(qū)變薄，增加其電阻，強行在預(yù)設(shè)位置產(chǎn)生了熱區(qū)，使得硅錠頭部電阻率偏低集中在預(yù)定好的位置，避免現(xiàn)有技術(shù)中對不同區(qū)域硅錠電阻率一一測試而采用不同劃線標(biāo)準(zhǔn)的問題，提高了工作效率。另外需要說明的是，上述熱場除了適用于摻雜鎵元素的硅錠之外，還同樣適用于硅基體中磷等低分凝系數(shù)的摻雜劑。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。