技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明制備了一種高直流擊穿場(chǎng)強(qiáng)的聚丙烯/納米復(fù)合電介質(zhì)的制備方法，(1)選用硅烷偶聯(lián)劑KH570對(duì)AlN納米粒子和α相Al2O3納米粒子進(jìn)行表面修飾，增強(qiáng)了無(wú)機(jī)納米粒子與聚合物基體的橋接作用；(2)將聚丙烯基料添加在高溫的轉(zhuǎn)矩流變儀腔體中，待顆粒熔融后，分別加入經(jīng)硅烷偶聯(lián)劑修飾的AlN和Al2O3納米粒子，在高溫下高速攪拌一定時(shí)間，制備得到納米粒子分散均勻的納米復(fù)合電介質(zhì)；(3)用平板硫化機(jī)采用三明治結(jié)構(gòu)熱壓制得厚度為150μm的聚丙烯/AlN和聚丙烯/Al2O3的薄膜試樣。采用連續(xù)升壓方式測(cè)試直流擊穿場(chǎng)強(qiáng)，測(cè)試結(jié)果表明：聚丙烯/AlN和聚丙烯/Al2O3納米復(fù)合電介質(zhì)的直流擊穿場(chǎng)強(qiáng)相比于純聚丙烯介質(zhì)分別提高了13％和35％。

技術(shù)研發(fā)人員：謝東日;閔道敏;李盛濤;湛海涯;閔超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安交通大學(xué);中國(guó)西電電氣股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.07
技術(shù)公布日：2017.09.15