本發(fā)明涉及金屬氧化物的制備方法技術領域，尤其涉及一種Bi₂WO_6-x微納米材料的制備方法及其光催化性能。

背景技術：

20世紀以來，環(huán)境污染日益加重，能源短缺成為人類生存不得不面對的重大挑戰(zhàn)，開發(fā)、利用太陽能解決全球能源和環(huán)境問題得到了越來越多國家的重視。其中，利用太陽能降解有機污染物的半導體光催化技術表現出了較大優(yōu)勢，逐漸成為關注對象。

Bi₂WO₆是最簡單的Aurivillius型氧化物，屬于斜方晶系，晶體結構為(Bi₂O₂)²⁺層和WO₆^6-層相互交替排列而成的層狀結構。Bi₂WO₆是典型的n型帶隙半導體材料，禁帶寬度約為2.7eV。其能帶結構由導帶的W5d軌道和價帶的Bi6s、O2p軌道雜化組成。Bi₂WO₆的介電、催化等特性被應用于很多方面。因Bi₂WO₆的禁帶寬度小而在可見光區(qū)域有吸收，能降解許多有機污染物，從而成為了研究熱點。

據目前研究報道，在光催化劑中光生電荷和空穴對的分離效率低是導致光催化劑活性不高的本質原因之一。為提高光生電荷與空穴的分離效率以及促進電荷的遷移速率，通常通過摻雜金屬陽離子、表面貴金屬沉積、與含共軛π鍵分子的表面雜化等技術手段來實現，從而提高光催化劑的活性。值得關注的是，有研究者提出，缺陷結構能夠極大影響光生電荷及空穴對的產生、分離、遷移和光吸收過程。由于純Bi₂WO₆材料的光生電子-空穴對壽命較短，因而影響了Bi₂WO₆的光催化活性。為了適應日益發(fā)展的需要，對Bi₂WO₆改性成為必然。

Bi₂WO_6-x即氧缺陷型的Bi₂WO₆，其制備主要集中于對氧空位的引入，而引入方法可通過刻蝕、真空脫氧、氫化還原三種方式。所謂氧空位就是將氧從Bi₂WO₆的晶格中脫出，從而形成缺陷結構。而氧空位既可以充當電子給予體，也可以提高半導體光催化劑的電子密度。增加的電子能反過來可以形成施主能級，縮小禁帶寬度，延長對光的吸收范圍，從而提高光催化活性。

技術實現要素：

本發(fā)明以Bi(NO₃)₃·5H₂O、Na₂WO₄·2H₂O和NaOH為原料，先用水熱法在最佳的條件下合成出Bi₂WO₆的微納米材料，再經NaOH溶液刻蝕處理制備得Bi₂WO_6-x。本發(fā)明還探討了不同NaOH的用量、不同刻蝕時間和刻蝕溫度對制備Bi₂WO_6-x的影響。同時,對樣品進行了X射線衍射(XRD)、能譜定量分析(EDS)、紫外-可見漫反射光譜(UV-Vis DRS)、X射線光電子能譜(XPS)、掃描電子顯微鏡(SEM)、熒光光譜(PL)的相關表征以分析Bi₂WO_6-x的物相、形貌，并以羅丹明B為目標降解物，從而考察Bi₂WO_6-x的光催化性能。

一種Bi₂WO_6-x微納米材料的制備方法，包括以下步驟：

步驟一，Bi₂WO₆的制備：先在燒杯A中加入Bi(NO₃)₃·5H₂O、蒸餾水和濃硝酸，在磁力攪拌器上攪拌溶液至完全溶解；同時將Na₂WO₄·2H₂O和蒸餾水在燒杯B中攪拌至完全溶解；將Na₂WO₄溶液逐滴滴加進A燒杯中，耗時20-30min；滴加完畢后，用HNO₃和NaOH溶液調節(jié)前驅液pH值為0.9-1.1，再攪拌12-18min；將上述溶液轉移進水熱反應釜中，滿足填充度≤75％，置于烘箱，恒溫120℃反應18-24h；反應完成后，將樣品離心分離，分別多次用水洗、醇洗沉淀，再恒溫70℃干燥18-21h，研磨可得Bi₂WO₆；

步驟二，刻蝕反應：取強堿溶于去離子水，再加入Bi₂WO₆，調節(jié)磁力攪拌器至20-90℃，刻蝕0.5-6小時；反應完畢后，將樣品離心分離，用60-70℃熱水多次洗滌至溶液呈中性；再將固體置于烘箱中，恒溫70℃干燥5-8h，即得到產品Bi₂WO_6-x。

以下通過具體的實驗來對刻蝕反應的條件進行優(yōu)選，具體的實驗方法為：以控制單一變量為原則，通過大量的實驗，設置了不同的堿、不同濃度的NaOH、刻蝕時間、刻蝕溫度四個大組的變量，一共制備了23個樣品。

表1刻蝕法制備Bi₂WO_6-x的實驗條件一

通過實驗對比，利用控制變量法，在同樣的刻蝕時間、刻蝕溫度下，僅改變刻蝕所用的堿類制備了Bi₂WO_6-x樣品。通過光催化降解實驗，篩選出了適合的堿種類。

圖1為相同條件下，NaOH和KOH刻蝕處理過后Bi₂WO_6-x樣品的SEM圖，放大倍數為10000倍。其中，a為NaOH刻蝕處理過的Bi₂WO_6-x樣品，b為KOH刻蝕處理過的Bi₂WO_6-x樣品。從圖中可以看出，a仍保持球形片狀結構；而b球形結構稍有破壞，呈絮狀結構，團聚現象嚴重，從而導致其光催化活性降低。

表2刻蝕法制備Bi₂WO_6-x的實驗條件二

通過實驗對比，利用控制變量法，在不同NaOH濃度下制備了Bi₂WO_6-x樣品。最后通過光催化降解實驗，篩選出了適合的NaOH濃度。

圖2為相同條件下，不同NaOH濃度下制備的Bi₂WO_6-x樣品的SEM圖，放大倍數為10000倍。其中，a加入0.2gNaOH濃度為0.1mol/L，b加入0.4gNaOH濃度為0.2mol/L。從圖中可以看出，a仍保持球形片狀結構；b中球形結構被破壞，片狀結構突出，也出現團聚現象，導致光催化活性降低。

表3刻蝕法制備Bi₂WO_6-x的實驗條件三

通過實驗對比，利用控制變量法，在適合的NaOH濃度下,通過改變刻蝕時間制備Bi₂WO_6-x樣品。最后通過光催化降解實驗，篩選出了合適的刻蝕時間。

圖3為不同刻蝕時間下制備的Bi₂WO_6-x樣品的SEM圖，放大倍數為10000倍，其中：(a)0h(b)1h(c)2h(d)3h。刻蝕0h即為純Bi₂WO₆，未經NaOH溶液處理，形狀為球形片狀結構。隨著刻蝕時間的延長，a、b、c、d樣品仍然保持球形結構，表明在刻蝕過程中，Bi₂WO₆樣品在NaOH溶液中有一定的惰性，刻蝕發(fā)生在片狀結構之間。

表4刻蝕法制備Bi₂WO_6-x的實驗條件四

通過實驗對比，利用控制變量法，在適合的NaOH濃度、刻蝕時間下，改變刻蝕溫度制備了Bi₂WO_6-x樣品。最后通過光催化降解實驗，篩選出了合適的刻蝕溫度。

圖4是在其他條件不變的情況下，改變刻蝕溫度制備的Bi₂WO_6-x樣品SEM譜圖，放大倍數為10000倍。由圖可知，刻蝕溫度為25℃時，大部分樣品處于球形片狀結構。當刻蝕溫度逐漸升高時，片狀結構開始突顯，不過在溫度升高到80℃時，Bi₂WO_6-x樣品有團聚現象，出現結團，可能是溫度過高，結晶度過高導致。

圖5是在控制變量下，改變刻蝕溫度制備得到的Bi₂WO_6-x樣品的XRD譜圖。將該樣品圖與標準卡片(PDF#39-0256)對比分析可知，發(fā)現樣品在衍射角2θ是28.299°、32.790°、47.138°及55.820°處可以看到明顯的衍射峰，它們分別屬于Bi₂WO₆斜交晶系中(131)、(200)、(202)、(331)各晶面的衍射峰，均未出現雜峰，這表明樣品為純相Bi₂WO₆。通過對不同溫度下刻蝕處理過后的Bi₂WO_6-x樣品，各個峰形無明顯區(qū)別，推測可能由于氧缺陷結構位于Bi₂WO₆表面所致，而表面所出現的氧缺陷結構能增強光催化性能。

優(yōu)選的，所述的刻蝕反應中強堿為氫氧化鈉。

優(yōu)選的，所述的刻蝕反應中NaOH和Bi₂WO₆的質量比為1:1。

優(yōu)選的，所述的刻蝕反應中刻蝕時間為3小時。

優(yōu)選的，所述的刻蝕反應中刻蝕溫度為60℃。

本發(fā)明提供的Bi₂WO_6-x微納米材料的制備方法，先以水熱法在最佳的條件下合成得到Bi₂WO₆的微納米材料為基底，再加入NaOH進行刻蝕，對NaOH的濃度和刻蝕溫度進行優(yōu)化后，制備的Bi₂WO_6-x在可見光(200W鎢燈)下對10mg/L的羅丹明B溶液降解率達到98.84％，對羅丹明B溶液有較好的光催化活性；同時，通過掩蔽劑實驗的探討，發(fā)現光生空穴是此光降解過程的主要活性物種。

附圖說明：

圖1：堿刻蝕處理的Bi₂WO_6-x樣品的SEM圖，(a)NaOH(b)KOH。

圖2：不同NaOH濃度刻蝕的Bi₂WO_6-x樣品的SEM圖，(a)0.1mol/L，(b)0.2mol/L。

圖3：不同刻蝕時間制備的Bi₂WO_6-x樣品的SEM圖，(a)0h(b)1h(c)2h(d)3h。

圖4：不同刻蝕溫度制備的Bi₂WO_6-x樣品的SEM圖，(a)80℃(b)60℃(c)40℃(d)25℃。

圖5：不同刻蝕溫度下Bi₂WO_6-x樣品的XRD譜圖。

圖6：純相Bi₂WO₆和Bi₂WO_6-x樣品的XRD譜圖。

圖7：Bi₂WO₆和Bi₂WO_6-x樣品的UV-Vis DRS譜圖。

圖8：Bi₂WO_6-x樣品的XPS譜圖。

圖9：純相Bi₂WO₆與Bi₂WO_6-x樣品的PL譜圖。

圖10：堿刻蝕處理的Bi₂WO_6-x樣品的光催化活性圖。

圖11:不同NaOH濃度刻蝕的Bi₂WO_6-x樣品的光催化活性圖。

圖12：不同刻蝕時間制備的Bi₂WO_6-x樣品的光催化活性圖。

圖13：不同刻蝕溫度制備的Bi₂WO_6-x樣品的光催化活性圖。

圖14：Bi₂WO_6-x為催化劑時RhB的紫外-可見光吸收譜圖。

圖15：不同掩蔽劑對樣品的光催化活性的影響圖。

具體實施方式

實施例1：

一種Bi₂WO_6-x微納米材料的制備方法，包括以下步驟：

步驟一，Bi₂WO₆的制備：先在燒杯A中加入1.2118g Bi(NO₃)₃·5H₂O、1mL蒸餾水和0.5mL濃硝酸，在磁力攪拌器上攪拌溶液至完全溶解；同時將0.4123g Na₂WO₄·2H₂O和30mL蒸餾水在燒杯B中攪拌至完全溶解；將Na₂WO₄溶液逐滴滴加進A燒杯中，滴加時間為25min；滴加完畢后，用HNO₃和NaOH溶液調節(jié)前驅液pH值為1，再攪拌15min；將上述溶液轉移進水熱反應釜中，滿足填充度≤75％，置于烘箱，恒溫120℃反應20h；反應完成后，將樣品離心分離，分別多次用水洗、醇洗沉淀，再恒溫70℃干燥20h，研磨可得Bi₂WO₆；

步驟二，刻蝕反應：取0.2gNaOH溶于50mL去離子水，再加入0.2g Bi₂WO₆，調節(jié)磁力攪拌器至60℃，刻蝕3h；反應完畢后，將樣品離心分離，用60-70℃熱水多次洗滌至溶液呈中性；再將固體置于烘箱中，恒溫70℃干燥6h，即得到產品Bi₂WO_6-x。

實施例2：

一種Bi₂WO_6-x微納米材料的制備方法，包括以下步驟：

步驟一，Bi₂WO₆的制備：先在燒杯A中加入1.2118g Bi(NO₃)₃·5H₂O、1mL蒸餾水和0.5mL濃硝酸，在磁力攪拌器上攪拌溶液至完全溶解；同時將0.4123g Na₂WO₄·2H₂O和30mL蒸餾水在燒杯B中攪拌至完全溶解；將Na₂WO₄溶液逐滴滴加進A燒杯中，滴加時間為22min；滴加完畢后，用HNO₃和NaOH溶液調節(jié)前驅液pH值為1，再攪拌17min；將上述溶液轉移進水熱反應釜中，滿足填充度≤75％，置于烘箱，恒溫120℃反應21h；反應完成后，將樣品離心分離，分別多次用水洗、醇洗沉淀，再恒溫70℃干燥18h，研磨可得Bi₂WO₆；

步驟二，刻蝕反應：取0.2gNaOH溶于50mL去離子水，再加入0.1g Bi₂WO₆，調節(jié)磁力攪拌器至50℃，刻蝕4h；反應完畢后，將樣品離心分離，用60-70℃熱水多次洗滌至溶液呈中性；再將固體置于烘箱中，恒溫70℃干燥5h，即得到產品Bi₂WO_6-x。

實施例3：

一種Bi₂WO_6-x微納米材料的制備方法，包括以下步驟：

步驟一，Bi₂WO₆的制備：先在燒杯A中加入1.2118g Bi(NO₃)₃·5H₂O、1mL蒸餾水和0.5mL濃硝酸，在磁力攪拌器上攪拌溶液至完全溶解；同時將0.4123g Na₂WO₄·2H₂O和30mL蒸餾水在燒杯B中攪拌至完全溶解；將Na₂WO₄溶液逐滴滴加進A燒杯中，滴加時間為25min；滴加完畢后，用HNO₃和NaOH溶液調節(jié)前驅液pH值為1，再攪拌15min；將上述溶液轉移進水熱反應釜中，滿足填充度≤75％，置于烘箱，恒溫120℃反應20h；反應完成后，將樣品離心分離，分別多次用水洗、醇洗沉淀，再恒溫70℃干燥20h，研磨可得Bi₂WO₆；

步驟二，刻蝕反應：取0.2gNaOH溶于50mL去離子水，再加入0.2g Bi₂WO₆，調節(jié)磁力攪拌器至40℃，刻蝕3h；反應完畢后，將樣品離心分離，用60-70℃熱水多次洗滌至溶液呈中性；再將固體置于烘箱中，恒溫70℃干燥6h，即得到產品Bi₂WO_6-x。

以下對實施例1的樣品進行多項檢測并進行具體分析。

測試一：X射線衍射(XRD)

本實驗采用了荷蘭帕納科Panalytical公司XPert Powder型X-ray粉末衍射儀表征樣品的物相結構。Cu靶Kα輻射作為入射光源，X射線波長λKα＝1.5406，掃描條件為：步長0.026，掃描角度5°-75°，每步停留時間20.4s，對樣品進行物相分析。

圖6是純相Bi₂WO₆和Bi₂WO_6-x樣品的XRD譜圖。從圖中可以看出，兩者衍射峰寬和峰高幾乎沒有差異，峰形都比較尖銳，衍射峰強。相對于純相Bi₂WO₆，Bi₂WO_6-x的XRD譜圖沒有相態(tài)變化和雜質結構生成，因此推測，經過刻蝕，一定數量的氧空位的形成發(fā)生在Bi₂WO₆表面。

測試二：掃描電子顯微鏡(SEM)

本實驗采用日本日立公司的S-3400N掃描電子顯微鏡(SEM)觀察樣品的形貌和尺寸，加速電壓為20-30KV。具體的譜圖參見圖1-圖4。

測試三：紫外-可見漫反射光譜(DRS)

紫外-可見漫反射光譜在島津UV-2450型分光光度計上進行，測試波長為200-800nm，以高純BaSO₄為標準試劑。分析催化劑的光吸收范圍及光吸收強度來確定催化劑的光吸收邊帶和禁帶寬度等。

圖7是在最佳條件下合成的純Bi₂WO₆和Bi₂WO_6-x樣品的紫外-可見漫反射光譜。由圖可以看出，Bi₂WO_6-x樣品的譜線明顯紅移。根據公式計算禁帶寬度Eg＝1240/λg(λg為吸收極限，由吸收邊的切線與橫軸的交點估算出來)，如圖7得Bi₂WO₆和Bi₂WO_6-x的禁帶寬度分別2.81eV，2.69eV，Bi₂WO_6-x的禁帶寬度較小，表明刻蝕處理后樣品對可見光的吸收范圍增加，利用率也增加。這可能是由于NaOH溶液處理過后的Bi₂WO₆樣品形成了較多的氧缺陷結構，增強了對電子的捕獲能力，從而提高對可見光的利用率。

測試四：X射線光電子能譜(XPS)

本實驗的XPS分析是在Thermo escalab 250Xi光電子能譜儀上進行。所有的XPS測試均以表面吸附碳化合物的C1s峰284.6eV為參照。

圖8為Bi₂WO_6-x樣品的XPS分析譜圖。

為了進一步了解Bi₂WO_6-x樣品中的各元素價態(tài)信息，通過XPS對樣品進行分析。從圖8a中可以看出樣品中含有Bi、W、O、C四種元素，其中C元素來自外來碳源。圖b、c、d分別給出了Bi4f、W4f、O1s的區(qū)域高分辨XPS譜圖。圖b中電子結合能159.2eV和164.5eV處的峰分別對應于Bi4f_7/2和Bi4f_5/2，說明Bi元素是以+3價態(tài)存在的。圖c中電子結合能為35.0eV和37.2eV處的峰分別對應為W4f_7/2和W4f_5/2，說明W元素是以+6價態(tài)存在的。圖d中O1s電子結合能為531.9eV和530.2eV處的峰分別對應于羥基氧和吸附氧。在刻蝕處理形成氧空位后，Bi₂WO_6-x樣品中各元素的價態(tài)并未改變，但Bi₂WO_6-x樣品的Bi4f，W4f和O1s的峰發(fā)生了少許移動，這可以歸因于Bi³⁺和W⁶⁺費米能級和電子密度的變化。

測試五：熒光光譜(PL)

本實驗采用日本SHIMADZU公司RF-5301PC熒光分光光度計掃描樣品所發(fā)出的熒光光譜。

圖9為純的Bi₂WO₆與Bi₂WO_6-x樣品的PL譜圖。

光致發(fā)光光譜能夠有效地探究半導體光催化材料中載流子(光生電子和光生空穴)的分離效率。PL峰強度大意味著光生電子和光生空穴的復合幾率高，而峰強度小則可說明光生電子和光生空穴的復合幾率低，進而可說明光生電子和光生空穴的分離效率高，從而有較好的光催化活性。在激發(fā)波長為332nm下，純的Bi₂WO₆和Bi₂WO_6-x樣品的PL譜見圖9，由圖可以看出，Bi₂WO₆的峰強高于Bi₂WO_6-x的，由于峰強越高，光生電子與空穴結合率就越高，而催化效率越低，由此可證明Bi₂WO_6-x的催化活性高于Bi₂WO₆的。

以下對Bi₂WO_6-x樣品的光催化性能進行檢測

不同堿的影響

圖10是在其它條件不變，使用KOH或NaOH刻蝕樣品的光催化活性圖。當使用KOH刻蝕處理樣品時，其光催化降解效率80.00％；而NaOH刻蝕處理樣品的降解效率為86.04％。兩者相比，可能由于KOH堿性比NaOH強，造成表面氧缺陷數量較少而體相缺陷較多，空穴與電子復合率高，從而導致活性較弱。

不同的NaOH用量的影響

圖11是在加入不同量的NaOH下制備得到的Bi₂WO_6-x樣品的光催化活性圖。其中，1號未加入NaOH，2號加入0.2g NaOH，3號加入0.4g NaOH。在其它條件相同的情況下，分別測定各個樣品的催化活性。其中，1號樣品活性為70％，2號樣品活性達到86.01％，3號樣品活性為81.81％。因此，NaOH的加入量定為0.2g。

不同刻蝕時間的影響

圖12是在其它條件相同僅改變刻蝕時間的情況下，制備得到的Bi₂WO_6-x樣品的光催化活性圖。從圖中可以看出，不同刻蝕時間0h、0.5h、1h、2h、3h、4h、5h、6h處理下的樣品對羅丹明B的降解率分別為70％、72％、78％、93％、99％、92％、92％、90％。從中可以知道，降解率基本呈先升后降的趨勢，隨著刻蝕時間的增加，氧缺陷數量增加，且大多數為表面缺陷，對光催化有促進作用，活性一直增大至最大值。當刻蝕時間為3h時，降解率最高，對羅丹明B光催化效果最好。當刻蝕時間進一步延長后，氧缺陷由表面轉至體相，導致對光生空穴與電荷的捕獲能力降低，抑制空穴與電荷的分離，降低了光催化性能，活性開始減弱。

不同刻蝕溫度的影響

圖13是在其它條件不變，僅改變刻蝕溫度后樣品的光催化活性圖。從圖中可以看出，在光照3h后，不同溫度40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃處理的樣品對羅丹明B降解率分別為：76.76％、77.52％、98.84％、83.24％、63.05％、53.79％?？偟膩碚f，升高溫度處理后的樣品性能得到了改變，呈先升高后減小的趨勢，在60℃時性能達到最大值。推測原因可能是在溫度低的時候，氧缺陷濃度低，且大多為表面缺陷，隨溫度升高而缺陷結構增加；當溫度上升到一定程度后，缺陷數量達到最大值，活性也最大；溫度進一步上升后，缺陷結構從表面轉移到體相，而體相缺陷捕獲光生電荷和空穴的能力減弱，從而抑制光催化活性。

Bi₂WO_6-x樣品的光活性分析

采用羅丹明B的降解過程來評價(0.2gNaOH，刻蝕3h，刻蝕溫度25℃)所制備Bi₂WO_6-x樣品的可見光光催化活性。圖14是羅丹明B的光催化降解曲線。由圖可知，在羅丹明B最大吸收波長554nm處，隨著光照時間的加長，吸光度一直下降，證明Bi₂WO_6-x樣品對羅丹明B有降解作用。羅丹明B溶液顏色逐漸變淺，說明羅丹明B分子結構被破壞降解生成別的物質。

Bi₂WO_6-x催化降解羅丹明B溶液的活性物種掩蔽實驗

為進一步了解光催化反應的主要活性物種，在加入不同掩蔽劑后對Bi₂WO_6-x進行了光催化實驗。實驗使用了如下掩蔽劑：AgNO₃(e^-掩蔽劑)，對苯醌(O₂^-掩蔽劑)，叔丁醇(·OH掩蔽劑)，EDTA-2Na(h⁺掩蔽劑)。

圖15為對最佳條件制備的Bi₂WO_6-x樣品中分別加入不同掩蔽劑進行的活性物種掩蔽實驗。其中，1為0.01mol/L AgNO₃，2為0.001mol/L對苯醌，3為0.01mol/L叔丁醇，4為0.01mol/L EDTA-2Na。光照3h后，1、2、3、4的最后降解率為66.21％、53.67％、86.22％、32.49％。從結果來分析，加入的t-BuOH對羅丹明的光降解影響不大，這說明羥基自由基不是反應的主要活性物種。AgNO₃對反應有一定的影響，但EDTA-2Na和對苯醌均大幅抑制了Bi₂WO_6-x的光催化活性，其中加入對苯醌的體系活性比加入EDTA-2Na的體系活性要好。由此可見，光生空穴h⁺是主要活性物種，O₂^-是次要活性物種。推斷相關反應方程式可能如下：

Bi₂WO_6-x+hv→e^-+h⁺ (1)

Major:h⁺+H₂O→·OH+H⁺ (2)

·OH+RhB→CO₂+H₂O (3)

h⁺+RhB→CO₂+H₂O (4)

Minor:O₂+e^-→·O₂^- (5)

·O₂^-+RhB→CO₂+H₂O (6)

由以上分析得出以下結論：

(1)當NaOH用量為0.2g時，刻蝕效果最好；

(2)當刻蝕時間為3h、刻蝕溫度為60℃時，制備得到的Bi₂WO_6-x樣品光催化活性最好。在可見光下，對10mg/L羅丹明B降解率達98.84％，比沒處理過的Bi₂WO₆高了約29％；

(3)在刻蝕時間、溫度分別為3h、60℃時，加入0.2gKOH刻蝕處理過后的Bi₂WO_6-x樣品催化活性為83.99％，低于同樣條件下NaOH刻蝕處理過的Bi₂WO_6-x樣品；

(4)活性物種掩蔽實驗表明，Bi₂WO_6-x中起主要催化作用的是光生空穴h⁺，O₂^-為次要活性物種。

總之，通過引入缺陷結構，尤其是表面氧缺陷結構，從而使Bi₂WO₆帶隙變窄，光生電子和空穴的復合率都大大降低，提高了光催化活性。本論文將為改善Bi₂WO₆光催化活性提供實驗依據，同時為有效控制、降解印染廢水中的有機污染物提供新的思路。

此檢測數據只針對上述檢測樣品。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，根據本發(fā)明的技術方案及其發(fā)明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。