本發(fā)明涉及多晶硅制造，具體而言，涉及一種硅料篩分裝置。

背景技術(shù)：

1、電子級多晶硅主要采用改良西門子法進(jìn)行生產(chǎn)，利用化學(xué)氣相沉積在反應(yīng)器內(nèi)生產(chǎn)電子級多晶硅棒，電子級多晶硅棒再經(jīng)過破碎、篩分、清洗等后續(xù)工藝獲得直徑范圍在6～100mm的硅塊產(chǎn)品。電子級多晶硅棒經(jīng)過破碎后，使用篩分設(shè)備進(jìn)行分選，將電子級多晶硅塊分選為不同粒徑分布的規(guī)格。

2、相關(guān)技術(shù)中，破碎后的硅料經(jīng)多級篩分，篩網(wǎng)網(wǎng)孔自上而下依次減小，極易發(fā)生硅料堵塞篩孔的情況，干擾篩分過程的正常進(jìn)行，影響篩分效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明提出一種硅料篩分裝置，該硅料篩分裝置具有不易堵塞、篩分效果好、可靠性強(qiáng)、硅料磨損小等優(yōu)點(diǎn)。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提出一種硅料篩分裝置，所述硅料篩分裝置包括：驅(qū)動(dòng)底座；振動(dòng)盤，所述振動(dòng)盤可振動(dòng)地設(shè)在所述驅(qū)動(dòng)底座上且所述驅(qū)動(dòng)底座適于驅(qū)動(dòng)所述振動(dòng)盤振動(dòng)，所述振動(dòng)盤內(nèi)適于容納顆粒硅料；上料盤軌，所述上料盤軌沿所述振動(dòng)盤的內(nèi)周面螺旋盤繞，所述上料盤軌的底壁設(shè)有多個(gè)篩分孔，所述上料盤軌在延伸方向上分為多個(gè)篩分區(qū)段，相鄰兩個(gè)所述篩分區(qū)段中位于上方的所述篩分區(qū)段內(nèi)的所述篩分孔的孔徑大于位于下方的所述篩分區(qū)段的所述篩分孔的孔徑，所述上料盤軌構(gòu)造為適于在所述振動(dòng)盤的振動(dòng)下使所述振動(dòng)盤內(nèi)的顆粒硅料沿所述上料盤軌螺旋上升；接料槽體，所述接料槽體沿所述振動(dòng)盤的內(nèi)周面螺旋盤繞且分為多個(gè)承接區(qū)段，多個(gè)所述承接區(qū)段分別適于承接多個(gè)所述篩分區(qū)段的所述篩分孔落下的硅料。

3、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的硅料篩分裝置，具有不易堵塞、篩分效果好、可靠性強(qiáng)、硅料磨損小等優(yōu)點(diǎn)。

4、另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的硅料篩分裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

5、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，相鄰兩個(gè)所述承接區(qū)段之間設(shè)有隔板。

6、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述振動(dòng)盤上設(shè)有多個(gè)出料口，多個(gè)所述出料口分別與多個(gè)所述承接區(qū)段連通。

7、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，每個(gè)所述出料口位于所連通的所述承接區(qū)段的下端。

8、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述振動(dòng)盤的外周面設(shè)有分別與多個(gè)所述出料口相連的周壁出料導(dǎo)槽，所述上料盤軌的上端連接有上端出料導(dǎo)槽。

9、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，多個(gè)所述承接區(qū)段一一對應(yīng)地設(shè)在多個(gè)所述篩分區(qū)段下方。

10、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述篩分區(qū)段和對應(yīng)的所述接料區(qū)段組成一個(gè)上料區(qū)段，每相鄰兩個(gè)所述上料區(qū)段中位于上方的所述上料區(qū)段的所述篩分區(qū)段和所述接料區(qū)段在上下方向上的距離大于位于下方的所述上料區(qū)段的所述篩分區(qū)段和所述接料區(qū)段在上下方向上的距離。

11、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，每個(gè)所述篩分區(qū)段內(nèi)的所述篩分孔的孔徑相同。

12、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述上料盤軌的下端與所述振動(dòng)盤的底壁相連。

13、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述振動(dòng)盤的底壁上設(shè)有電磁鐵。

14、本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種硅料篩分裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料篩分裝置，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述承接區(qū)段之間設(shè)有隔板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料篩分裝置，其特征在于，所述振動(dòng)盤上設(shè)有多個(gè)出料口，多個(gè)所述出料口分別與多個(gè)所述承接區(qū)段連通。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅料篩分裝置，其特征在于，每個(gè)所述出料口位于所連通的所述承接區(qū)段的下端。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅料篩分裝置，其特征在于，所述振動(dòng)盤的外周面設(shè)有分別與多個(gè)所述出料口相連的周壁出料導(dǎo)槽，所述上料盤軌的上端連接有上端出料導(dǎo)槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料篩分裝置，其特征在于，多個(gè)所述承接區(qū)段一一對應(yīng)地設(shè)在多個(gè)所述篩分區(qū)段下方。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅料篩分裝置，其特征在于，所述篩分區(qū)段和對應(yīng)的所述接料區(qū)段組成一個(gè)上料區(qū)段，每相鄰兩個(gè)所述上料區(qū)段中位于上方的所述上料區(qū)段的所述篩分區(qū)段和所述接料區(qū)段在上下方向上的距離大于位于下方的所述上料區(qū)段的所述篩分區(qū)段和所述接料區(qū)段在上下方向上的距離。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料篩分裝置，其特征在于，每個(gè)所述篩分區(qū)段內(nèi)的所述篩分孔的孔徑相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料篩分裝置，其特征在于，所述上料盤軌的下端與所述振動(dòng)盤的底壁相連。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料篩分裝置，其特征在于，所述振動(dòng)盤的底壁上設(shè)有電磁鐵。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種硅料篩分裝置，硅料篩分裝置包括：驅(qū)動(dòng)底座；振動(dòng)盤，振動(dòng)盤內(nèi)適于容納顆粒硅料；上料盤軌，上料盤軌沿振動(dòng)盤的內(nèi)周面螺旋盤繞，上料盤軌的底壁設(shè)有多個(gè)篩分孔，上料盤軌在延伸方向上分為多個(gè)篩分區(qū)段，相鄰兩個(gè)篩分區(qū)段中位于上方的篩分區(qū)段內(nèi)的篩分孔的孔徑大于位于下方的篩分區(qū)段的篩分孔的孔徑；接料槽體，接料槽體沿振動(dòng)盤的內(nèi)周面螺旋盤繞且分為多個(gè)承接區(qū)段，多個(gè)承接區(qū)段分別適于承接多個(gè)篩分區(qū)段的篩分孔落下的硅料。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的硅料篩分裝置具有不易堵塞、篩分效果好、可靠性強(qiáng)、硅料磨損小等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：廖璞,張旭,吳鋒,陳元龍,徐志明,閆家強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/7