本申請(qǐng)涉及設(shè)定遮蔽體的進(jìn)退動(dòng)作方案的方法以及鍍覆裝置。
背景技術(shù):
1、作為鍍覆裝置的一個(gè)例子,公知有將基板與陽(yáng)極垂直配置的所謂的浸漬方式的鍍覆裝置(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。另外,作為鍍覆裝置的另一個(gè)例子,公知有杯式的電解鍍覆裝置(例如,參照專利文獻(xiàn)2)。杯式的電解鍍覆裝置通過使以被鍍覆面朝向下方的方式保持于基板支架的基板(例如半導(dǎo)體晶圓)浸漬于鍍覆液,并在基板與陽(yáng)極之間施加電壓,由此在基板的表面析出導(dǎo)電膜(鍍覆膜)。
2、在鍍覆裝置中,通常,基于作為實(shí)施鍍覆處理的基板的目標(biāo)的鍍覆膜厚、實(shí)際鍍覆面積,作為鍍覆處理方案,由用戶預(yù)先設(shè)定鍍覆電流值以及鍍覆時(shí)間等參數(shù),基于設(shè)定的處理方案,進(jìn)行鍍覆處理。另外,在鍍覆處理中,也進(jìn)行利用傳感器檢測(cè)與鍍覆膜厚相關(guān)的參數(shù)并測(cè)定鍍覆膜的膜厚,從而調(diào)整鍍覆條件。在專利文獻(xiàn)2中,提出了為了調(diào)整鍍覆條件,而設(shè)置能夠在基板的被鍍覆面與陽(yáng)極之間進(jìn)退的遮蔽體。
3、專利文獻(xiàn)1:日本特開2005-29863號(hào)公報(bào)
4、專利文獻(xiàn)2:日本專利第7074937號(hào)
5、通過使遮蔽體在介于基板的被鍍覆面與陽(yáng)極之間的遮蔽位置、和從被鍍覆面與陽(yáng)極之間退避的退避位置動(dòng)作,能夠調(diào)整特定部分的鍍覆膜的生長(zhǎng)速度。這樣的遮蔽體也被認(rèn)為是基于在鍍覆處理中檢測(cè)的檢測(cè)值而動(dòng)作,但作為鍍覆處理方案的一部分而預(yù)先決定動(dòng)作,由此能夠提高控制效率并且能夠提高鍍覆膜的均勻性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于以上的實(shí)際情況,本申請(qǐng)的一個(gè)目的為提出能夠提高形成于基板的鍍覆膜的均勻性的鍍覆裝置。
2、根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式,提出一種方法,其在計(jì)算機(jī)中設(shè)定具備遮蔽體的鍍覆裝置中的上述遮蔽體的進(jìn)退動(dòng)作方案,上述遮蔽體能夠向介于基板的被鍍覆面與陽(yáng)極之間的遮蔽位置、和從上述基板的上述被鍍覆面與上述陽(yáng)極之間退避的退避位置移動(dòng),上述方法包括如下步驟:獲取上述基板的抗蝕圖案;基于獲取到的上述抗蝕圖案,計(jì)算上述基板的每個(gè)規(guī)定角度區(qū)域的鍍覆生長(zhǎng)系數(shù);以及基于計(jì)算出的上述鍍覆生長(zhǎng)系數(shù),設(shè)定上述遮蔽體的進(jìn)退動(dòng)作方案。
1.一種方法,其在計(jì)算機(jī)中設(shè)定具備遮蔽體的鍍覆裝置中的所述遮蔽體的進(jìn)退動(dòng)作方案,所述遮蔽體能夠向介于基板的被鍍覆面與陽(yáng)極之間的遮蔽位置、和從所述基板的所述被鍍覆面與所述陽(yáng)極之間退避的退避位置移動(dòng),
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,包括如下步驟:
10.一種鍍覆裝置,其特征在于,具備: