本發(fā)明涉及電力領(lǐng)域，具體而言，涉及一種TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備、方法及裝置。

背景技術(shù)：

調(diào)研表明，目前尚未有科學(xué)有效的TEV局放檢測裝置現(xiàn)場方法，一般也是采用打火器簡單在RFCT附近打火方式系統(tǒng)有反應(yīng)即可，只能發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)存在嚴(yán)重的性能下降或損壞，而無法有效發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)性能輕微的下降或進行量化評價。

針對相關(guān)技術(shù)無法對TEV局部放電帶電檢測裝置進行現(xiàn)場校驗的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備、方法及裝置，以至少解決相關(guān)技術(shù)無法對TEV局部放電帶電檢測裝置進行現(xiàn)場校驗的技術(shù)問題。

根據(jù)本發(fā)明實施例的一個方面，提供了一種TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備，包括：脈沖發(fā)生器，用于發(fā)射標(biāo)定信號；耦合裝置，通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連，被測TEV傳感器貼在金屬板預(yù)定位置處；以及TEV檢測儀主機，用于檢測脈沖響應(yīng)信號，其中，脈沖信號與標(biāo)定信號的對比結(jié)果用于指示TEV局部放電帶電檢測裝置的測試性能。

進一步地，耦合裝置的芯線分別與脈沖發(fā)生器以及金屬板連接。

進一步地，被測TEV傳感器貼在金屬板朝向TEV檢測儀主機的一側(cè)。

進一步地，耦合裝置的阻抗總和為50歐姆。

進一步地，脈沖發(fā)生器的正負(fù)極性可變換，脈沖波形的上升時間小于等于5ns，下降時間大于等于200ns，輸出波形電壓峰值在在10mV至5V之間，包括10mV、20mV、50mV、1V、2V、3V、4V、5V檔位，輸出幅度的穩(wěn)定度高于95％。

進一步地，脈沖發(fā)生器為手持式。

根據(jù)本發(fā)明實施例的另一方面，還提供了一種TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗方法，包括：控制TEV傳感器采集脈沖發(fā)生器發(fā)射的標(biāo)定信號；獲取TEV檢測儀主機檢測到的脈沖響應(yīng)信號；通過比對脈沖信號與標(biāo)定信號分析TEV局部放電帶電檢測裝置的測試性能。

進一步地，在控制TEV傳感器采集脈沖發(fā)生器發(fā)射的標(biāo)定信號之前，校驗方法還包括：控制脈沖發(fā)生器連接耦合裝置；將TEV傳感器貼在金屬板預(yù)定位置處，其中，耦合裝置通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連。

根據(jù)本發(fā)明實施例的另一方面，還提供了一種TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗裝置，包括：第一控制單元，用于控制TEV傳感器采集脈沖發(fā)生器發(fā)射的標(biāo)定信號；獲取單元，用于獲取TEV檢測儀主機檢測到的脈沖響應(yīng)信號；分析單元，用于通過比對脈沖信號與標(biāo)定信號分析TEV局部放電帶電檢測裝置的測試性能。

進一步地，校驗裝置還包括：第二控制單元，用于在控制TEV傳感器采集脈沖發(fā)生器發(fā)射的標(biāo)定信號之前，控制脈沖發(fā)生器連接耦合裝置；放置單元，用于將TEV傳感器貼在金屬板預(yù)定位置處，其中，耦合裝置通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連。

在本發(fā)明實施例中，TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備包括脈沖發(fā)生器，用于發(fā)射標(biāo)定信號；耦合裝置，通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連，被測TEV傳感器貼在金屬板預(yù)定位置處；以及TEV檢測儀主機，用于檢測脈沖響應(yīng)信號，其中，脈沖信號與標(biāo)定信號的對比結(jié)果用于指示TEV局部放電帶電檢測裝置的測試性能。達(dá)到了在現(xiàn)場實時對TEV局部放電帶電檢測裝置進行校驗的目的，進而解決了相關(guān)技術(shù)無法對TEV局部放電帶電檢測裝置進行現(xiàn)場校驗的技術(shù)問題，從而實現(xiàn)了提高TEV局部放電帶電檢測裝置對局部放電檢測是的準(zhǔn)確性的技術(shù)效果。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備的示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗方法的流程圖；以及

圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗裝置的示意圖。

具體實施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護的范圍。

需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

根據(jù)本發(fā)明實施例，提供了一種TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備的實施例。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備的示意圖，如圖1所示，TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備可以包括：脈沖發(fā)生器，用于發(fā)射標(biāo)定信號；耦合裝置，通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連，被測TEV傳感器貼在金屬板預(yù)定位置處；以及TEV檢測儀主機，用于檢測脈沖響應(yīng)信號，其中，脈沖信號與標(biāo)定信號的對比結(jié)果用于指示TEV局部放電帶電檢測裝置的測試性能。

可選地，耦合裝置的芯線分別與脈沖發(fā)生器以及金屬板連接。

可選地，被測TEV傳感器貼在金屬板朝向TEV檢測儀主機的一側(cè)。

可選地，耦合裝置的阻抗總和為50歐姆。

可選地，脈沖發(fā)生器的正負(fù)極性可變換，脈沖波形的上升時間小于等于5ns，下降時間大于等于200ns，輸出波形電壓峰值在在10mV至5V之間，包括10mV、20mV、50mV、1V、2V、3V、4V、5V檔位，輸出幅度的穩(wěn)定度高于95％。

可選地，脈沖發(fā)生器為手持式。

本發(fā)明還提供了一種優(yōu)選實施例，該優(yōu)選實施例為TEV局放帶電檢測裝置的現(xiàn)場校驗方案，下面將詳細(xì)介紹該優(yōu)選實施例。

TEV局放帶電檢測裝置的現(xiàn)場校驗設(shè)備可以包括：

(1)信號發(fā)生器：脈沖極性能正負(fù)變換，脈沖波形上升時間不大于5ns，下降時間不小于200ns，輸出脈沖電壓峰值在10mV-5V區(qū)間可調(diào)，調(diào)節(jié)范圍分為10mV/20mV/50mV/1V/2V/3V/4V/5V幾個檔位即可。信號發(fā)生器宜設(shè)計為手持式，信號發(fā)生器輸出幅度穩(wěn)定度要求達(dá)到95％以上。

(2)耦合裝置：耦合裝置通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連，測試時固定發(fā)射裝置與被測暫態(tài)地電壓傳感器的距離和位置，具體如圖1所示。

測試方法

1)脈沖信號發(fā)生器連接耦合裝置，被測TEV傳感器貼在金屬版面固定位置；

2)連接好TEV局部放電測試系統(tǒng)，并開機啟動到正常采集狀態(tài)；

3)控制脈沖發(fā)生器發(fā)出等間隔標(biāo)定信號序列，觀測TEV檢測儀檢測到的脈沖響應(yīng)信號，根據(jù)檢測信號的幅度與歷史記錄對比判定檢測系統(tǒng)性能是否正常。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗方法的流程圖，如圖2所示，該方法包括如下步驟：

步驟S102，控制TEV傳感器采集脈沖發(fā)生器發(fā)射的標(biāo)定信號；

步驟S104，獲取TEV檢測儀主機檢測到的脈沖響應(yīng)信號；

步驟S106，通過比對脈沖信號與標(biāo)定信號分析TEV局部放電帶電檢測裝置的測試性能。

通過上述步驟，可以實現(xiàn)達(dá)到了在現(xiàn)場實時對TEV局部放電帶電檢測裝置進行校驗的目的，進而解決了相關(guān)技術(shù)無法對TEV局部放電帶電檢測裝置進行現(xiàn)場校驗的技術(shù)問題，從而實現(xiàn)了提高TEV局部放電帶電檢測裝置對局部放電檢測是的準(zhǔn)確性的技術(shù)效果。

作為一種可選地實施例，在控制TEV傳感器采集脈沖發(fā)生器發(fā)射的標(biāo)定信號之前，校驗方法還包括：控制脈沖發(fā)生器連接耦合裝置；將TEV傳感器貼在金屬板預(yù)定位置處，其中，耦合裝置通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連。

根據(jù)本發(fā)明實施例，還提供了一種TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗裝置實施例，需要說明的是，該TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗裝置可以用于執(zhí)行本發(fā)明實施例中的TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗方法，本發(fā)明實施例中的TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗方法可以在該TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗裝置中執(zhí)行。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的TEV局部放電帶電檢測裝置的校驗裝置的示意圖，如圖3所示，該裝置可以包括：第一控制單元22，用于控制TEV傳感器采集脈沖發(fā)生器發(fā)射的標(biāo)定信號；獲取單元24，用于獲取TEV檢測儀主機檢測到的脈沖響應(yīng)信號；分析單元26，用于通過比對脈沖信號與標(biāo)定信號分析TEV局部放電帶電檢測裝置的測試性能。

需要說明的是，該實施例中的第一控制單元22可以用于執(zhí)行本申請實施例中的步驟S102，該實施例中的獲取單元24可以用于執(zhí)行本申請實施例中的步驟S104，該實施例中的分析單元26可以用于執(zhí)行本申請實施例中的步驟S106。上述模塊與對應(yīng)的步驟所實現(xiàn)的示例和應(yīng)用場景相同，但不限于上述實施例所公開的內(nèi)容。

可選地，校驗裝置還包括：第二控制單元，用于在控制TEV傳感器采集脈沖發(fā)生器發(fā)射的標(biāo)定信號之前，控制脈沖發(fā)生器連接耦合裝置；放置單元，用于將TEV傳感器貼在金屬板預(yù)定位置處，其中，耦合裝置通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連。

通過上訴單元和模塊，達(dá)到了在現(xiàn)場實時對TEV局部放電帶電檢測裝置進行校驗的目的，進而解決了相關(guān)技術(shù)無法對TEV局部放電帶電檢測裝置進行現(xiàn)場校驗的技術(shù)問題，從而實現(xiàn)了提高TEV局部放電帶電檢測裝置對局部放電檢測是的準(zhǔn)確性的技術(shù)效果。

上述本發(fā)明實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。

在本發(fā)明的上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側(cè)重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關(guān)描述。

在本申請所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過其它的方式實現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可為個人計算機、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：U盤、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、移動硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。