本技術(shù)涉及半導(dǎo)體功率器件測試,具體為一種測試薄片晶圓用的探針。
背景技術(shù):
1、半導(dǎo)體功率器件主要用來做信號的放大和開關(guān),功率轉(zhuǎn)換過程器件內(nèi)流過的電流較大,為了降低功耗需要降低器件內(nèi)部的導(dǎo)通電阻,往往晶圓會制作的非常薄。絕緣柵雙極型晶體管(igbt)晶圓最終片厚可以做到幾十微米。絕緣柵雙極型晶體管的柵極非常薄,產(chǎn)品cp測試時候測試探針需要刺破柵極表面的鋁層來保障器件與探針良好的接觸,使其電參數(shù)可以被測試機正確搜集,同時測試探針刺破的行程還要不能傷及鋁層下面的氧化層,避免器件功能失效,因此對于測試探針下落整體的行程管控非常重要。為了節(jié)約制造成本,往往對于測試電流較大的產(chǎn)品采用探針卡測試,而對于測試電流較小的產(chǎn)品還是采用獨立探針測試,獨立探針相對于探針針卡下落的行程比較難控制。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本實用新型的目的在于提供一種測試薄片晶圓用的探針,解決以上的問題。
2、為達(dá)到以上目的,提供以下技術(shù)方案:
3、一種測試薄片晶圓用的探針,與晶圓配合使用,包括探針臂,減震彈簧,探針桿,探針頭和觸點,所述探針臂為l型結(jié)構(gòu),其一段中部設(shè)有減震彈簧,所述探針臂設(shè)有減震彈簧的一端固定連接有探針桿,所述探針桿的底端與探針頭固定連接,所述探針頭的底面設(shè)有一定數(shù)量的觸點。
4、優(yōu)選地,所述探針頭為圓板狀結(jié)構(gòu),所述觸點為半球形結(jié)構(gòu)。
5、優(yōu)選地,所述觸點的高度為1um。
6、優(yōu)選地,所述探針頭與探針桿通過螺栓固定連接。
7、本實用新型的有益效果為:
8、本實用新型采用減震彈簧做初級減震,來減輕探針臂下落時候觸點對晶圓柵極表面鋁層的壓力,同時通過設(shè)置球形觸點,確保觸點和晶圓柵極表面鋁層接觸面增大,觸點高度設(shè)置在1um,進(jìn)而控制觸點對晶圓柵極表面鋁層刺破的深度,保護(hù)柵極氧化層不會被破壞。
1.一種測試薄片晶圓用的探針,與晶圓配合使用,其特征在于:包括探針臂,減震彈簧,探針桿,探針頭和觸點,所述探針臂為l型結(jié)構(gòu),其一段中部設(shè)有減震彈簧,所述探針臂設(shè)有減震彈簧的一端固定連接有探針桿,所述探針桿的底端與探針頭固定連接,所述探針頭的底面設(shè)有一定數(shù)量的觸點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測試薄片晶圓用的探針,其特征在于,所述探針頭為圓板狀結(jié)構(gòu),所述觸點為半球形結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種測試薄片晶圓用的探針,其特征在于,所述觸點的高度為1um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測試薄片晶圓用的探針,其特征在于,所述探針頭與探針桿通過螺栓固定連接。