公開總體涉及存儲，并且更具體地涉及在高速緩存系統(tǒng)中存儲數(shù)據(jù)。

背景技術(shù)：

1、隨著存儲裝置在容量上持續(xù)增長，數(shù)據(jù)管理正在變得更重要。為了支持更大的容量，存儲裝置可包括多個存儲裝置，多個存儲裝置中的一些可用作高速緩存（以緩沖正在從其他存儲裝置讀取或?qū)懭氲狡渌鎯ρb置的數(shù)據(jù)：其他存儲裝置可用于持久地存儲數(shù)據(jù)）。

2、仍然需要提高存儲裝置的性能。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、存儲裝置可包括高速緩存固態(tài)驅(qū)動器（ssd）和數(shù)據(jù)ssd。高速緩存ssd可以是高性能ssd，高性能ssd可用于緩沖數(shù)據(jù)以供稍后存儲在數(shù)據(jù)ssd上，數(shù)據(jù)ssd可以是高容量低耐久性ssd。

2、根據(jù)公開的一個方面，一種存儲裝置包括：接口，用于從應(yīng)用接收用于存儲數(shù)據(jù)的寫入請求；第一存儲裝置，用作高速緩存，第一存儲裝置包括與第一壽命數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第一存儲單元；第二存儲裝置，用作持久性存儲設(shè)備，第二存儲裝置包括與第一放置數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第二存儲單元；其中，第一存儲裝置被配置為基于第二壽命數(shù)據(jù)將所述數(shù)據(jù)存儲在與第一壽命數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第一存儲單元中；并且其中，第二存儲裝置被配置為至少部分地基于第一壽命數(shù)據(jù)將所述數(shù)據(jù)存儲在與第一放置數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第二存儲單元中。

3、根據(jù)公開的另一方面，一種存儲數(shù)據(jù)的方法包括：在存儲裝置處從應(yīng)用接收用于存儲所述數(shù)據(jù)的寫入請求；在存儲裝置處至少部分地基于第一壽命數(shù)據(jù)識別第一存儲裝置中的第一存儲單元以存儲所述數(shù)據(jù)，第一存儲單元與第二壽命數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)；通過第一存儲裝置將所述數(shù)據(jù)存儲在第一存儲單元中；在存儲裝置處識別第二存儲裝置；在存儲裝置處至少部分地基于第二壽命數(shù)據(jù)識別第二存儲裝置中的第二存儲單元，第二存儲單元與第一放置數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)；以及通過第二存儲裝置將所述數(shù)據(jù)存儲在第二存儲單元中。

4、根據(jù)公開的另一方面，一種非暫時性存儲介質(zhì)具有存儲在其上的指令，所述指令在通過機器執(zhí)行時使得：在存儲裝置處從應(yīng)用接收用于存儲數(shù)據(jù)的寫入請求；在存儲裝置處至少部分地基于第一壽命數(shù)據(jù)識別第一存儲裝置中的第一存儲單元以存儲所述數(shù)據(jù)，第一存儲單元與第二壽命數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)；通過第一存儲裝置將所述數(shù)據(jù)存儲在第一存儲單元中；在存儲裝置處識別第二存儲裝置；在存儲裝置處至少部分地基于第二壽命數(shù)據(jù)識別第二存儲裝置中的第二存儲單元，第二存儲單元與第一放置數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)；并且通過第二存儲裝置將所述數(shù)據(jù)存儲在第二存儲單元中。

技術(shù)特征：

1.一種存儲裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中，寫入請求包括第二壽命數(shù)據(jù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，還包括：壽命預(yù)測器，用于生成第二壽命數(shù)據(jù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，還包括：映射電路，用于將第一壽命數(shù)據(jù)映射到第一放置數(shù)據(jù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，還包括：布隆過濾器，被配置為至少部分地基于來自應(yīng)用的寫入請求來識別存儲在第三存儲單元中的第二數(shù)據(jù)并且從第三存儲單元刪除第二數(shù)據(jù)。

9.一種存儲數(shù)據(jù)的方法，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，寫入請求包括第一壽命數(shù)據(jù)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：通過壽命預(yù)測器生成第一壽命數(shù)據(jù)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：從第一存儲單元逐出所述數(shù)據(jù)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，從第一存儲單元逐出所述數(shù)據(jù)的步驟包括：至少部分地基于第一存儲單元中的所述數(shù)據(jù)的年齡從第一存儲單元逐出所述數(shù)據(jù)。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在存儲裝置處至少部分地基于第二壽命數(shù)據(jù)識別第二存儲裝置中的第二存儲單元的步驟包括：將第二壽命數(shù)據(jù)映射到第一放置數(shù)據(jù)。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在存儲裝置處識別第二存儲裝置的步驟包括：在存儲裝置處識別獨立磁盤冗余陣列，獨立磁盤冗余陣列包括第二存儲裝置和第三存儲裝置。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在存儲裝置處至少部分地基于第二壽命數(shù)據(jù)識別第二存儲裝置中的第二存儲單元的步驟包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，

19.一種非暫時性存儲介質(zhì)，所述非暫時性存儲介質(zhì)具有存儲在其上的指令，所述指令在通過機器執(zhí)行時使得：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的非暫時性存儲介質(zhì)，其中，

技術(shù)總結(jié)
公開了存儲裝置、存儲數(shù)據(jù)的方法和非暫時性存儲介質(zhì)。接口可從應(yīng)用接收用于存儲數(shù)據(jù)的寫入請求。第一存儲裝置可用作高速緩存。第一存儲裝置可包括與第一壽命數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第一存儲單元。第二存儲裝置可用作持久性存儲設(shè)備。第二存儲裝置可包括與第一放置數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第二存儲單元。第一存儲裝置可被配置為基于第二壽命數(shù)據(jù)將所述數(shù)據(jù)存儲在與第一壽命數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第一存儲單元中。第二存儲裝置可被配置為至少部分地基于第一壽命數(shù)據(jù)將所述數(shù)據(jù)存儲在與第一放置數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第二存儲單元中。

技術(shù)研發(fā)人員：李好彬,楊靖,瑞卡·皮楚馬尼
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19