技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：溝道、源極、和漏極，位于第一半導(dǎo)體鰭中，所述溝道位于所述源極與所述漏極之間；控制柵極，位于第二半導(dǎo)體鰭中；和浮置柵極，位于所述第一半導(dǎo)體鰭與所述第二半導(dǎo)體鰭之間，其中，所述控制柵極被構(gòu)造為基于所述浮置柵極的程序化狀態(tài)控制所述溝道。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括位于所述浮置柵極與所述第一半導(dǎo)體鰭之間的第一介電區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括位于所述浮置柵極與所述第二半導(dǎo)體鰭之間的第二介電區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭位于第一介電區(qū)域與第三介電區(qū)域之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二半導(dǎo)體鰭位于第二介電區(qū)域與第四介電區(qū)域之間。6.一種可編程的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括：第一半導(dǎo)體鰭，包括第一溝道、第一源極、和第一漏極；第二半導(dǎo)體鰭，包括第二溝道、第二源極、和第二漏極，所述第二半導(dǎo)體鰭被構(gòu)造為控制柵極；浮置柵極，位于所述第一半導(dǎo)體鰭與所述第二半導(dǎo)體鰭之間，其中，所述控制柵極被構(gòu)造為基于所述浮置柵極的程序化狀態(tài)控制所述溝道。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可編程的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，進(jìn)一步包括位于鄰近所述第一溝道的第一電極。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可編程的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，進(jìn)一步包括位于鄰近所述第二溝道的第二電極。9.一種可編程的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括：第一半導(dǎo)體鰭，包括第一溝道、第一源極、和第一漏極；第一電極，位于鄰近所述第一溝道；第二半導(dǎo)體鰭，包括第二溝道、第二源極、和第二漏極，所述第二半導(dǎo)體鰭被構(gòu)造為控制柵極；第二電極，位于鄰近所述第二溝道；浮置柵極，位于所述第一半導(dǎo)體鰭與所述第二半導(dǎo)體鰭之間，其中，所述控制柵極被構(gòu)造為基于所述浮置柵極的程序化狀態(tài)控制所述溝道。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可編程的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述第一電極和所述第二電極包括金屬。