技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了半導(dǎo)體器件和可編程的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件包括位于第一半導(dǎo)體鰭中的溝道、源極、以及漏極。溝道位于源極與漏極之間。半導(dǎo)體器件還包括位于第二半導(dǎo)體鰭中的控制柵極。浮置柵極位于第一半導(dǎo)體鰭與第二半導(dǎo)體鰭之間。半導(dǎo)體器件還可以包括位于浮置柵極與第一半導(dǎo)體鰭之間的第一介電區(qū)域和位于浮置柵極與第二半導(dǎo)體鰭之間的第二介電區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：弗蘭克·有·志·許;尼爾·基斯特勒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：美國(guó)博通公司
文檔號(hào)碼：201210369636
技術(shù)研發(fā)日：2012.09.27
技術(shù)公布日：2017.03.01