非晶硅光電二極管基板的制造方法、基板及半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種非晶硅光電二極管基板的制造方法、基板及半導(dǎo)體裝置，其中，該方法包括：在基板上形成柵電極層、光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器及位于所述光傳感器下方的接觸層的圖形，所述接觸層未被所述光傳感器完全覆蓋，所述接觸層與柵電極層同層設(shè)置且材料相同；進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，在第一次構(gòu)圖工藝得到的基板上依次形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極層的圖形；在第二次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成第二絕緣層，進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成使所述接觸層、所述光傳感器、所述源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的第一過孔。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，能夠簡化非晶硅光電二極管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。
【專利說明】非晶硅光電二極管基板的制造方法、基板及半導(dǎo)體裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電二極管的制造工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種非晶硅光電二極管基板的制造方法、基板及半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，非晶硅光電二極管主要應(yīng)用于X射線衍射(XRD，X-Ray Diffract1n)檢測領(lǐng)域，如醫(yī)院、機(jī)場、地鐵等，具體可用于進(jìn)行危險物品的檢測等。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中非晶硅光電二極管基板的截面示意圖，如圖1所示，該非晶硅光電二極管主要由兩部分構(gòu)成，一部分是光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器，該光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器包括:n型非晶娃(n+a-Si)層10、非晶娃(a_Si)層ll>p型非晶娃(p+a-Si)層12和導(dǎo)電層13,光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器主要用于接收光，并利用光伏效應(yīng)產(chǎn)生電流；另一部分是薄膜晶體管，薄膜晶體管主要包括柵電極層14、半導(dǎo)體層(包括第一絕緣層15和非晶硅層16)、阻擋層17、源漏電極層18、PVXl過孔19、光罩層20、PVX2過孔21、ITO層22，薄膜晶體管的主要作用是開關(guān)和用于傳遞光傳感器產(chǎn)生的電流信號。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，非晶硅光電二極管基板的制造過程包括:
[0004]如圖2所示，第一次掩膜工藝過程中，在玻璃基板23上形成柵電極層14。
[0005]如圖3所示，第二次掩膜工藝過程中，在柵電極層14和玻璃基板23上形成半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層包括第一絕緣層15和非晶硅層16，所述第一絕緣層15位于柵電極層14的上層，非晶娃層16位于第一絕緣層15的上層。
[0006]如圖4所示，第三次掩膜工藝過程中，在半導(dǎo)體層上形成阻擋層17。
[0007]如圖5所示，第四次掩膜工藝過程中，在阻擋層17和半導(dǎo)體層上形成源漏電極層18。
[0008]如圖6所示，第五次掩膜工藝過程中，在源漏電極層18上形成光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器，包括:n型非晶娃(n+a-Si)層10、非晶娃(a_Si)層ll、p型非晶娃(p+a-Si)層12和導(dǎo)電層13。
[0009]如圖7所示，第六次掩膜工藝過程中，在光傳感器、阻擋層17和源漏電極層18上形成PVXl過孔19。
[0010]如圖8所示，第七次掩膜工藝過程中，在PVXl層19上層形成光罩層20。
[0011]如圖9所示，以柵信號線為例，第八次掩膜工藝過程中，在PVXl過孔19上層形成PVX2 過孔 21。
[0012]如圖10所示，以柵信號線為例，第九次掩膜工藝過程中，在PVX2過孔21上層形成ITO 層 22。
[0013]現(xiàn)有技術(shù)中，需要采用九次掩膜工藝才能完成整個非晶硅光電二極管基板的制造，因此現(xiàn)有的制造非晶硅光電二極管基板的工藝過程十分復(fù)雜，成本較高，效率較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種非晶硅光電二極管基板的制造方法、基板及半導(dǎo)體裝置，能夠簡化非晶硅光電二極管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。
[0015]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0016]一種非晶硅光電二極管基板的制造方法，該方法包括:
[0017]進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成柵電極層、光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器及位于所述光傳感器下方的接觸層的圖形，所述接觸層未被所述光傳感器完全覆蓋，所述接觸層與柵電極層同層設(shè)置且材料相同；
[0018]進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，在第一次構(gòu)圖工藝得到的基板上依次形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極層的圖形；
[0019]在第二次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成第二絕緣層，進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成使所述接觸層、所述光傳感器、所述源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的第一過孔。
[0020]進(jìn)一步的，該方法還包括:
[0021]進(jìn)行第四次構(gòu)圖工藝，在第三次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成導(dǎo)電光罩層，所述光罩層覆蓋所述第一過孔及位于所述源電極和所述漏電極之間的半導(dǎo)體層區(qū)域，并使所述接觸層與所述源漏電極層中的源電極或漏電極相連通。
[0022]更進(jìn)一步的，該方法還包括:
[0023]在第四次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成第三絕緣層，進(jìn)行第五次構(gòu)圖工藝，在第四次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成至少使柵線部分區(qū)域暴露出來的第二過孔；
[0024]進(jìn)行第六次構(gòu)圖工藝，在第五次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成用于覆蓋所述第二過孔區(qū)域的第一透明導(dǎo)電層的圖形。
[0025]進(jìn)一步的，所述進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成柵電極層、光電二極管及位于所述光傳感器下方的接觸層的圖形為:
[0026]在基板上依次形成所述柵電極層、半導(dǎo)體層、第二透明導(dǎo)電層和光刻膠；
[0027]對經(jīng)過上述處理的基板進(jìn)行曝光顯影處理、刻蝕處理、灰化處理形成柵電極層、柵線接觸層及光傳感器。
[0028]更進(jìn)一步的，所述對經(jīng)過上述處理的基板進(jìn)行構(gòu)圖曝光顯影處理為:
[0029]對位于所述柵電極層、柵線及未被光傳感器覆蓋的接觸層區(qū)域上方的光刻膠所述光刻膠部分曝光區(qū)域進(jìn)行部分曝光，形成部分曝光區(qū)域；
[0030]對位于所述光傳感器上方的光刻膠完全不曝光，形成完全不曝光區(qū)域；
[0031]對其他區(qū)域涂覆的光刻膠完全曝光，形成完全曝光區(qū)域。
[0032]更進(jìn)一步的，所述對經(jīng)過上述處理的所述基板進(jìn)行刻蝕處理、灰化處理為:
[0033]對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中第二透明導(dǎo)電層的刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層刻蝕掉；
[0034]對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層刻蝕掉；
[0035]對柵電極層進(jìn)行刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的柵電極層刻蝕掉；
[0036]采用灰化工藝將部分曝光區(qū)域的光刻膠灰化掉；
[0037]對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中第二透明導(dǎo)電層的刻蝕處理，將部分曝光區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層刻蝕掉；
[0038]對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕處理，將部分曝光區(qū)域的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層刻蝕掉；
[0039]將基板上剩余的光刻膠完全剝離掉。
[0040]一種非晶硅光電二極管基板，包括基板、設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管和光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器，還包含有接觸層，所述接觸層位于所述光傳感器的下方，所述接觸層未被所述光傳感器完全覆蓋，所述接觸層與所述薄膜晶體管中的柵電極層同層設(shè)置且材料相同。
[0041]進(jìn)一步的，在所述光傳感器與所述薄膜晶體管的上方覆蓋有第二絕緣層，在所述第二絕緣層上設(shè)置有使所述接觸層、所述光傳感器、所述薄膜晶體管中的源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的第一過孔。
[0042]更進(jìn)一步的，在所述第二絕緣層的上方設(shè)置有導(dǎo)電光罩層，所述光罩層覆蓋所述第一過孔及位于所述薄膜晶體管中的源電極和所述漏電極之間的半導(dǎo)體層區(qū)域，并使所述接觸層與所述薄膜晶體管中的源電極或漏電極相連通。
[0043]一種半導(dǎo)體裝置，包括上述的非晶硅光電二極管基板。
[0044]本發(fā)明提供的非晶硅光電二極管基板的制造方法，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成柵電極層、光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器及位于光傳感器下方的接觸層的圖形，接觸層未被光傳感器完全覆蓋，接觸層與柵電極層同層設(shè)置且材料相同；進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，在第一次構(gòu)圖工藝得到的基板上依次形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極層的圖形；在第二次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成第二絕緣層，進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成使接觸層、光傳感器及源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的第一過孔。本發(fā)明在不影響產(chǎn)品品質(zhì)的情況下，采用三次構(gòu)圖工藝完成非晶硅光電二極管基板的制造，因此能夠簡化非晶硅光電二極管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中非晶硅光電二極管基板的截面示意圖；
[0046]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中第一次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0047]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中第二次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0048]圖4是現(xiàn)有技術(shù)中第三次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0049]圖5是現(xiàn)有技術(shù)中第四次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0050]圖6是現(xiàn)有技術(shù)中第五次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0051]圖7是現(xiàn)有技術(shù)中第六次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0052]圖8是現(xiàn)有技術(shù)中第七次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0053]圖9是現(xiàn)有技術(shù)中以柵信號線為例的第八次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0054]圖10是現(xiàn)有技術(shù)中以柵信號線為例的第九次掩膜工藝過程后玻璃基板的截面示意圖；
[0055]圖11是本發(fā)明實現(xiàn)非晶硅光電二極管基板的制造方法的流程示意圖；
[0056]圖12是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后玻璃基板的平面示意圖；
[0057]圖13是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后玻璃基板的截面示意圖；
[0058]圖14是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后經(jīng)過導(dǎo)電層刻蝕的玻璃基板的截面示意圖；
[0059]圖15是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后經(jīng)過半導(dǎo)體層刻蝕的玻璃基板的截面示意圖；
[0060]圖16是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后經(jīng)過柵電極刻蝕的玻璃基板的截面示意圖；
[0061]圖17是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后經(jīng)過光刻膠灰化的玻璃基板的截面示意圖；
[0062]圖18是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后再次經(jīng)過導(dǎo)電層刻蝕的玻璃基板的截面示意圖；
[0063]圖19是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后再次經(jīng)過半導(dǎo)體層刻蝕的玻璃基板的截面示意圖；
[0064]圖20是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后經(jīng)過光刻膠剝離的玻璃基板的截面示意圖；
[0065]圖21是本發(fā)明第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后經(jīng)過光刻膠剝離的玻璃基板的平面不意圖；
[0066]圖22是本發(fā)明第二次掩膜工藝中形成源漏電極層的玻璃基板的平面示意圖；
[0067]圖23和圖24是本發(fā)明第二次掩膜工藝中形成源漏電極層的玻璃基板的截面示意圖；
[0068]圖25是本發(fā)明第三次掩膜工藝中形成PVXl過孔的玻璃基板的平面示意圖；
[0069]圖26和圖27是本發(fā)明第三次掩膜工藝中形成PVXl過孔的玻璃基板的截面示意圖；
[0070]圖28是本發(fā)明第四次掩膜工藝中形成光罩層的玻璃基板的平面示意圖；
[0071]圖29是本發(fā)明第四次掩膜工藝中形成光罩層的玻璃基板的截面示意圖；
[0072]圖30是本發(fā)明第五次掩膜工藝中形成PVX2過孔的玻璃基板的平面示意圖；
[0073]圖31是本發(fā)明第五次掩膜工藝中形成PVX2過孔的玻璃基板的截面示意圖；
[0074]圖32是本發(fā)明第六次掩膜工藝中形成ITO層的玻璃基板的截面示意圖。
[0075]附圖標(biāo)記說明:
[0076]10:n型非晶硅層11:非晶硅層
[0077]12:p型非晶硅層13:導(dǎo)電層
[0078]14:柵電極層15:第一絕緣層
[0079]16:非晶硅層17:阻擋層
[0080]18:源漏電極層 19:PVX1過孔
[0081]20:光罩層21:PVX2 過孔
[0082] 22:1T0層23:玻璃基板
[0083]24:光刻膠

【具體實施方式】
[0084]本發(fā)明的基本思想是:進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成柵電極層、光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器及位于光傳感器下方的接觸層的圖形，接觸層未被光傳感器完全覆蓋，接觸層與柵電極層同層設(shè)置且材料相同；進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，在第一次構(gòu)圖工藝得到的基板上依次形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極層的圖形；在第二次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成第二絕緣層，進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成使接觸層、光傳感器及源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的第一過孔。
[0085]下面通過附圖及具體實施例對本發(fā)明再做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0086]本文所述構(gòu)圖工藝可以具體為掩膜工藝，所述基板可以具體為玻璃基板，半導(dǎo)體層可以具體包括:非晶硅層、η型非晶硅層、和/或P型非晶硅層。透明導(dǎo)電層可以具體為ITO層，第一過孔可以為PVXl過孔，第二過孔可以為PVX2過孔。
[0087]本發(fā)明提供一種非晶硅光電二極管基板的制造方法，圖11是本發(fā)明實現(xiàn)非晶硅光電二極管基板的制造方法的流程示意圖，如圖11所示，該方法包括以下步驟:
[0088]步驟101，進(jìn)行第一次掩膜工藝，在基板上形成柵電極層、光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器及位于光傳感器下方的接觸層的圖形；
[0089]這里，所述接觸層未被所述光傳感器完全覆蓋，所述接觸層與柵電極層同層設(shè)置且材料相同。
[0090]這里，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成柵電極層、光電二極管及位于光傳感器下方的接觸層的圖形為:在基板上依次形成柵電極層、半導(dǎo)體層、第二透明導(dǎo)電層和光刻膠；對經(jīng)過處理的基板進(jìn)行曝光顯影處理、刻蝕處理、灰化處理形成柵電極層、柵線接觸層及光傳感器。
[0091]這里，對經(jīng)過上述處理的基板進(jìn)行構(gòu)圖曝光顯影處理為:對位于柵電極層、柵線及未被光傳感器覆蓋的接觸層區(qū)域上方的光刻膠所述光刻膠部分曝光區(qū)域進(jìn)行部分曝光，形成部分曝光區(qū)域；對位于光傳感器上方的光刻膠完全不曝光，形成完全不曝光區(qū)域；對其他區(qū)域涂覆的光刻膠完全曝光，形成完全曝光區(qū)域。
[0092]這里，對經(jīng)過上述處理的所述基板進(jìn)行刻蝕處理、灰化處理為:對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中第二透明導(dǎo)電層的刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層刻蝕掉；對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層刻蝕掉；對柵電極層進(jìn)行刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的柵電極層刻蝕掉；米用灰化工藝將部分曝光區(qū)域的光刻膠灰化掉；對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中第二透明導(dǎo)電層的刻蝕處理，將部分曝光區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層刻蝕掉；對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕處理，將部分曝光區(qū)域的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層刻蝕掉；將基板上剩余的光刻膠完全剝離掉。
[0093]具體的，首先，在玻璃基板23上采用磁控濺射的方法沉積柵電極層14，再采用增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n)依次沉積 n型非晶硅層10、非晶硅層ll、p型非晶硅層12和導(dǎo)電層13 ;其中，柵電極層14的材料可以為鋁釹合金(AlNd)、或鋁(Al)、或銅(Cu)、鑰(Mo)、鑰鎢(MoW)合金、或鉻(Cr)的單層膜，也可以為(AlNd)、鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鑰鎢(MoW)合金、鉻(Cr)的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜；所述導(dǎo)電層13為透明導(dǎo)電薄膜，可以利用ΙΤ0、ΙΖ0等材料；然后，利用涂覆機(jī)在沉積的導(dǎo)電層13上涂覆一層光刻膠24 ；
[0094]對經(jīng)過上述處理的玻璃基板23進(jìn)行掩膜曝光顯影處理，圖12為第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后玻璃基板的平面示意圖，如圖12所示，其中，在形成柵電極層14和發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器的過孔連接區(qū)域，涂覆的光刻膠24的曝光工藝采用半掩膜技術(shù)，即在形成柵電極層14和發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器的過孔連接區(qū)域，為光刻膠24的部分曝光區(qū)域；發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器的非過孔連接區(qū)域，涂覆的光刻膠24是完全不曝光，形成完全不曝光區(qū)域；其他區(qū)域涂覆的光刻膠24需要完全曝光，形成完全曝光區(qū)域；
[0095]圖13為第一次掩膜工藝中掩膜曝光顯影處理后玻璃基板的截面示意圖，對玻璃基板23進(jìn)行過掩膜曝光顯影處理后，還需要對圖13所示的玻璃基板23進(jìn)行如下處理:首先，進(jìn)行光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中導(dǎo)電層13的刻蝕處理，一般采用濕法刻蝕方式進(jìn)行該導(dǎo)電層13的刻蝕，將完全曝光區(qū)域的導(dǎo)電層13刻蝕掉，得到圖14所示的玻璃基板23 ;然后，對圖14所示的玻璃基板23上的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層(包括η型非晶硅層10、非晶硅層11、ρ型非晶硅層12)進(jìn)行刻蝕處理，這里采用干法刻蝕方式進(jìn)行半導(dǎo)體層的刻蝕，將完全曝光區(qū)域的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層刻蝕完畢，得到圖15所示的玻璃基板23 ;然后，對圖15所示的玻璃基板23上的柵電極層14進(jìn)行刻蝕處理，這里采用濕法刻蝕方式進(jìn)行該柵電極層14的刻蝕，將完全曝光區(qū)域的柵電極層14刻蝕掉，得到圖16所示的玻璃基板23 ;然后，采用灰化工藝對圖16所示的玻璃基板23上的部分曝光區(qū)域的光刻膠24灰化掉，得到如圖17所示的玻璃基板23 ;然后，再次進(jìn)行光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中導(dǎo)電層13的刻蝕處理，一般采用濕法刻蝕方式進(jìn)行該導(dǎo)電層13的刻蝕，將部分曝光區(qū)域的導(dǎo)電層13刻蝕掉，得到圖18所示的玻璃基板23 ;然后，對圖18所示的玻璃基板23上的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層(包括η型非晶硅層10、非晶硅層11、P型非晶硅層12)進(jìn)行刻蝕處理，這里采用干法刻蝕方式進(jìn)行半導(dǎo)體層的刻蝕，將部分曝光區(qū)域的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層刻蝕完畢，得到圖19所示的玻璃基板23 ;最后，對圖19所示的玻璃基板23進(jìn)行剝離工藝，將剩余的光刻膠24完全剝離掉，得到如圖20和圖21所示的玻璃基板23。
[0096]步驟102，進(jìn)行第二次掩膜工藝，在第一次掩膜工藝得到的玻璃基板上依次形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層(包括η型非晶硅層10、非晶硅層11、ρ型非晶硅層12)和源漏電極層的圖形；
[0097]具體的，在步驟101得到的玻璃基板23上，繼續(xù)進(jìn)行第二次掩膜工藝，在玻璃基板23上，采用增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法依次沉積第一絕緣層15、非晶硅層16、η型非晶硅層10，采用磁控濺射法沉積源漏電極層18 ；
[0098]對經(jīng)過上述處理的玻璃基板上涂覆光刻膠，曝光顯影后形成源漏電極圖形的光刻膠，采用濕法刻蝕后形成源漏電極再進(jìn)行干法刻蝕，對薄膜晶體管溝道的η型非晶硅進(jìn)行刻蝕，剝離光刻膠最后得到如圖22、圖23和圖24所示的第一絕緣層15、非晶硅層16、η型非晶硅層10和源漏電極層18。
[0099]步驟103，進(jìn)行第三次掩膜工藝，在第二次掩膜工藝得到的玻璃基板上形成使接觸層、光傳感器、源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的PVXI過孔；
[0100]具體的，在步驟102得到的玻璃基板23上，采用等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法沉積PVXl薄膜，繼續(xù)進(jìn)行第三次掩膜工藝，在玻璃基板23的源極、光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器的過孔連接區(qū)域和光電二極管區(qū)域上涂覆光刻膠，曝光顯影后形成PVXl過孔圖形的光刻膠，采用干法刻蝕工藝形成PVXl過孔19，剝離光刻膠后得到如圖25、圖26和圖27所示的玻璃基板23。
[0101]步驟104，進(jìn)行第四次掩膜工藝，在第三次掩膜工藝得到的玻璃基板上形成導(dǎo)電光罩層;
[0102]這里，光罩層覆蓋PVXl過孔19及位于源電極和漏電極之間的半導(dǎo)體層區(qū)域，并使接觸層與源漏電極層中的源電極或漏電極相連通；
[0103]具體的，在步驟103得到的玻璃基板23上，繼續(xù)進(jìn)行第四次掩膜工藝，在玻璃基板23上采用磁控濺射的方法沉積一層金屬薄膜，對沉積金屬薄膜后的玻璃基板23涂覆光刻膠，曝光顯影后形成光罩圖形的光刻膠，采用濕法刻蝕和剝離光刻膠后，在玻璃基板上形成光罩層20，得到如圖28?圖29所示的玻璃基板23。
[0104]步驟105，在第四次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成第三絕緣層，進(jìn)行第五次掩膜工藝，在第四次掩膜工藝得到的玻璃基板上形成至少使柵線部分區(qū)域暴露出來的PVX2過孔；
[0105]具體的，在步驟104得到的玻璃基板上，采用等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法沉積PVX2薄膜，繼續(xù)進(jìn)行第五次掩膜工藝，在玻璃基板23的周邊信號引導(dǎo)區(qū)域上涂覆光刻膠，曝光顯影后形成PVXl過孔圖形的光刻膠采用干法刻蝕工藝形成PVX2過孔21，剝離光刻膠后得到如圖30和圖31所示的玻璃基板23。
[0106]步驟106，進(jìn)行第六次掩膜工藝，在第五次掩膜工藝得到的玻璃基板上形成用于覆蓋PVX2過孔區(qū)域的第一透明導(dǎo)電層的圖形；
[0107]具體的，在步驟105得到的玻璃基板23上，采用磁控濺射的方法沉積ITO薄膜，繼續(xù)進(jìn)行第六次掩膜工藝，在玻璃基板23上沉積一層ITO層22，然后對玻璃基板23進(jìn)行掩膜曝光顯影處理，得到如圖32所示玻璃基板23 ;如此，在玻璃基板的PVX2過孔21上形成ITO層22，以保護(hù)PVXl過孔19和PVX2過孔21處的金屬不被腐蝕。
[0108]本發(fā)明還提供了一種非晶硅光電二極管基板，包括基板、設(shè)置在基板上的薄膜晶體管和光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器，非晶娃光電二極管基板還包含有接觸層，接觸層位于所述光傳感器的下方，接觸層未被光傳感器完全覆蓋，接觸層與薄膜晶體管中的柵電極層同層設(shè)置且材料相同。
[0109]這里，在光傳感器與薄膜晶體管的上方覆蓋有第二絕緣層，在第二絕緣層上設(shè)置有使接觸層、光傳感器、薄膜晶體管中的源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的第一過孔。
[0110]這里，在第二絕緣層的上方設(shè)置有導(dǎo)電光罩層，光罩層覆蓋第一過孔及位于薄膜晶體管中的源電極和漏電極之間的半導(dǎo)體層區(qū)域，并使接觸層與薄膜晶體管中的源電極或漏電極相連通。
[0111]本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體包括上文所述任一項的非晶硅光電二極管基板。
[0112]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種非晶硅光電二極管基板的制造方法，其特征在于，該方法包括: 進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成柵電極層、光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器及位于所述光傳感器下方的接觸層的圖形，所述接觸層未被所述光傳感器完全覆蓋，所述接觸層與柵電極層同層設(shè)置且材料相同； 進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，在第一次構(gòu)圖工藝得到的基板上依次形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極層的圖形； 在第二次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成第二絕緣層，進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成使所述接觸層、所述光傳感器、所述源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的第一過孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括: 進(jìn)行第四次構(gòu)圖工藝，在第三次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成導(dǎo)電光罩層，所述光罩層覆蓋所述第一過孔及位于所述源電極和所述漏電極之間的半導(dǎo)體層區(qū)域，并使所述接觸層與所述源漏電極層中的源電極或漏電極相連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該方法還包括: 在第四次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成第三絕緣層，進(jìn)行第五次構(gòu)圖工藝，在第四次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成至少使柵線部分區(qū)域暴露出來的第二過孔； 進(jìn)行第六次構(gòu)圖工藝，在第五次構(gòu)圖工藝得到的基板上形成用于覆蓋所述第二過孔區(qū)域的第一透明導(dǎo)電層的 圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成柵電極層、光電二極管及位于所述光傳感器下方的接觸層的圖形為: 在基板上依次形成所述柵電極層、半導(dǎo)體層、第二透明導(dǎo)電層和光刻膠； 對經(jīng)過上述處理的基板進(jìn)行曝光顯影處理、刻蝕處理、灰化處理形成柵電極層、柵線接觸層及光傳感器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述對經(jīng)過上述處理的基板進(jìn)行構(gòu)圖曝光顯影處理為: 對位于所述柵電極層、柵線及未被光傳感器覆蓋的接觸層區(qū)域上方的光刻膠所述光刻膠部分曝光區(qū)域進(jìn)行部分曝光，形成部分曝光區(qū)域； 對位于所述光傳感器上方的光刻膠完全不曝光，形成完全不曝光區(qū)域； 對其他區(qū)域涂覆的光刻膠完全曝光，形成完全曝光區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述對經(jīng)過上述處理的所述基板進(jìn)行刻蝕處理、灰化處理為: 對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中第二透明導(dǎo)電層的刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層刻蝕掉； 對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層刻蝕掉； 對柵電極層進(jìn)行刻蝕處理，將完全曝光區(qū)域的柵電極層刻蝕掉； 采用灰化工藝將部分曝光區(qū)域的光刻膠灰化掉； 對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中第二透明導(dǎo)電層的刻蝕處理，將部分曝光區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層刻蝕掉； 對光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕處理，將部分曝光區(qū)域的光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中的半導(dǎo)體層刻蝕掉； 將基板上剩余的光刻膠完全剝離掉。
7.一種非晶硅光電二極管基板，包括基板、設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管和光電二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器，其特征在于，還包含有接觸層，所述接觸層位于所述光傳感器的下方，所述接觸層未被所述光傳感器完全覆蓋，所述接觸層與所述薄膜晶體管中的柵電極層同層設(shè)置且材料相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非晶硅光電二極管基板，其特征在于，在所述光傳感器與所述薄膜晶體管的上方覆蓋有第二絕緣層，在所述第二絕緣層上設(shè)置有使所述接觸層、所述光傳感器、所述薄膜晶體管中的源漏電極層部分區(qū)域暴露出來的第一過孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非晶硅光電二極管基板，其特征在于，在所述第二絕緣層的上方設(shè)置有導(dǎo)電光罩層，所述光罩層覆蓋所述第一過孔及位于所述薄膜晶體管中的源電極和所述漏電極之間的半導(dǎo)體層區(qū)域，并使所述接觸層與所述薄膜晶體管中的源電極或漏電極相連通。
10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7至9任一項所述的非晶硅光電二極管基板。
【文檔編號】H01L21/77GK104078421SQ201310110174
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】謝振宇, 陳旭, 徐少穎 申請人:北京京東方光電科技有限公司