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半導(dǎo)體器件以及制造半導(dǎo)體器件的方法與流程

文檔序號(hào):12648592閱讀:來源:國知局
半導(dǎo)體器件以及制造半導(dǎo)體器件的方法與流程

技術(shù)特征:
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:半導(dǎo)體層;保護(hù)層,包括透明材料;以及透明樹脂層,密封所述半導(dǎo)體層和所述保護(hù)層之間的間隙,其中,楊氏模量比所述透明樹脂層高的防碎部件被形成為與分割前的層結(jié)構(gòu)的切割部分中的所述半導(dǎo)體層接觸,并且在用于所述分割的所述切割部分中執(zhí)行切割。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述透明樹脂層被插入在所述防碎部件和所述保護(hù)層之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,切割前的所述防碎部件的寬度被設(shè)置為在用于切割所述防碎部件的切割刀片的厚度B的1.5倍至3.0倍的范圍內(nèi),以及其中,所述分割后的所述防碎部件的寬度被設(shè)置為在B/2至3B/2的范圍內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述透明樹脂層的楊氏模量被設(shè)置為等于或小于1.5Gpa,以及其中,所述防碎部件的楊氏模量被設(shè)置為等于或大于2.5Gpa。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述防碎部件包括樹脂。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述防碎部件包括任何硅氧烷基樹脂、丙烯酸基樹脂和環(huán)氧基樹脂。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述防碎部件的樹脂材料包含填充物。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述保護(hù)層包括玻璃。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述保護(hù)層包括Si基材料。10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:形成分割前的層結(jié)構(gòu),其中,半導(dǎo)體層和包括透明材料的保護(hù)層之間的間隙以晶片級(jí)被透明樹脂密封,從而使得楊氏模量比透明樹脂層高的防碎部件被形成為與用于所述分割的切割部分中的所述半導(dǎo)體層接觸;以及在所述切割部分中對(duì)所述分割前的所述層結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割,所述切割部分在形成所述分割前的所述層結(jié)構(gòu)的步驟中形成。
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