雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)由陶瓷基片和兩塊硅芯片組成；所述硅芯片通過樹脂粘結(jié)在陶瓷基片的同側(cè)面上，兩塊硅芯片之間留有間隙。本實用新型的有益技術(shù)效果是：可以進一步縮減加速度計內(nèi)部器件的尺寸，利于加速度計體積的進一步小型化。
【專利說明】雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種高精度加速度計，尤其涉及一種雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]加速度計是工程領(lǐng)域中的常用裝置，雙光電二極管是其中的重要器件，隨著技術(shù)的進步，工程領(lǐng)域?qū)铀俣扔嫷木?、體積要求也越來越高，縮減加速度計體積的先決條件是縮減其內(nèi)部器件的體積；現(xiàn)有用于的加速度計的雙光電二極管一般采用獨立封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)中除了含有雙光電二極管外還包括了封裝殼體，這種結(jié)構(gòu)不僅較為復雜，而且封裝殼體要占用相當一部分體積，另外，現(xiàn)有的雙光電二極管中的光電二極管一般先獨立制作然后再將兩個光電二極管拼接起來，不僅工藝較為復雜，而且由于兩個光電二極管生長于不同襯底上，兩個光電二極管電學參數(shù)的均一性較差。
實用新型內(nèi)容
[0003]針對【背景技術(shù)】中的問題，本實用新型提出了一種雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，其改進在于:所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)由陶瓷基片和兩塊硅芯片組成；所述硅芯片通過樹脂粘結(jié)在陶瓷基片的同側(cè)面上，兩塊硅芯片之間留有間隙。
[0004]本實用新型的原理是:不對雙光電二極管進行單獨封裝，直接將其設(shè)置在加速度計內(nèi)，最后與其他器件一起被加速度計的殼體封裝在內(nèi)；當取消了雙光電二極管的獨立殼體后，基于現(xiàn)有的芯片工藝極限，雙光電二極管的體積可以縮小40%左右，十分利于加速度計體積的進一步小型化。
[0005]優(yōu)選地，所述兩塊硅芯片由形成于同一襯底層上的一塊母片經(jīng)物理解理而成，物理解理的深度達到陶瓷基片表面，物理解理后所形成的空隙即為所述間隙。采用這種方案得到的雙光電二極管，由于其生長于同一襯底層上，兩個光電二極管電學參數(shù)的均一性較好，可以使加速度計的性能得到改善。
[0006]優(yōu)選地，所述兩塊硅芯片采用串聯(lián)或并聯(lián)方式連接。
[0007]優(yōu)選地，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)的外形呈立方體形，其長、寬、高分別為2mm、0.75mm、lmm,所述間隙與寬度方向平行。
[0008]優(yōu)選地，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)通過其陶瓷基片設(shè)置于高精度加速度計殼體內(nèi)。
[0009]本實用新型的有益技術(shù)效果是:可以進一步縮減加速度計內(nèi)部器件的尺寸，利于加速度計體積的進一步小型化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1、本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖一(側(cè)視)；
[0011]圖2、本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖二 (俯視)；
[0012]圖3、本實用新型作解理處理前的結(jié)構(gòu)示意圖(圖中視覺方向與圖1相同)；
[0013]圖中各個標記所對應(yīng)的名稱分別為:陶瓷基片1、硅芯片2、母片3、樹脂粘結(jié)層4。

【具體實施方式】
[0014]一種雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)由陶瓷基片I和兩塊硅芯片2組成；所述硅芯片2通過樹脂粘結(jié)在陶瓷基片I的同側(cè)面上，兩塊硅芯片2之間留有間隙。
[0015]進一步地，所述兩塊硅芯片2由形成于同一襯底層上的一塊母片3經(jīng)物理解理而成，物理解理的深度達到陶瓷基片I表面，物理解理后所形成的空隙即為所述間隙。
[0016]進一步地，所述兩塊硅芯片2采用串聯(lián)或并聯(lián)方式連接。
[0017]進一步地，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)的外形呈立方體形，其長、寬、高分別為2mm、0.75mm、lmm,所述間隙與寬度方向平行。
[0018]進一步地，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)通過其陶瓷基片I設(shè)置于高精度加速度計殼體內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)由陶瓷基片(I)和兩塊硅芯片(2)組成；所述硅芯片(2)通過樹脂粘結(jié)在陶瓷基片(I)的同側(cè)面上，兩塊硅芯片(2)之間留有間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述兩塊硅芯片(2)由形成于同一襯底層上的一塊母片(3)經(jīng)物理解理而成，物理解理的深度達到陶瓷基片(I)表面，物理解理后所形成的空隙即為所述間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述兩塊硅芯片(2)采用串聯(lián)或并聯(lián)方式連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)的外形呈立方體形，其長、寬、高分別為2mm、0.75mm、lmm,所述間隙與寬度方向平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)通過其陶瓷基片(I)設(shè)置于高精度加速度計殼體內(nèi)。
【文檔編號】H01L23/15GK204118055SQ201420635690
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】王波, 向勇軍, 凌茂真, 向榮珍 申請人:中國電子科技集團公司第四十四研究所