光電結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】公開了一種低成本導(dǎo)電硅層上的光電器件。該器件包括形成有源區(qū)的兩個半導(dǎo)體層；可選層包括“異質(zhì)結(jié)層”、一個或多個勢壘層、蓋層、導(dǎo)電和/或金屬鍍層、抗反射層和分布布拉格反射器。該器件可以包括多個有源區(qū)。
【專利說明】光電結(jié)構(gòu)
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請部分涉及美國申請12/074，651、12/720，153、12/749，160、12/789，357、12/860，048、12/950，725、12/860，088、13/010，700、13/019，965、13/073，884 和U.S.7，789，331，其全為同一受讓人所有，并且全部通過引用整體并入本文。在參考材料中引用另外的技術(shù)說明和背景。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本技術(shù)一般地涉及用于將輻射轉(zhuǎn)換為電能的包括有源區(qū)以及ー個或多個異質(zhì)結(jié)的器件。
【背景技術(shù)】
[0004]本領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)包括U.S.5，403，771、U.S.7，807，495、U.S.7，781，669、U.S.2008/0261347、U.S.2010/0229927、U.S.2010/0236613、U.S.2010/00300507,U.S.2011/024793 和 U.S.2011/0068367。圖1 和圖 2 來自轉(zhuǎn)讓給 Sanyo 的U.S.2008/0261347,其公開了 一 種通過催化絲誘導(dǎo)沉積(catalytic wire induceddeposition)而形成的單異質(zhì)結(jié)及雙異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)。在圖1中，在氧化錫電極層上沉積非晶態(tài)的氫化碳化硅層；圖2公開了具有非晶態(tài)硅層的雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。Yuan等人在33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2008，NREL/CP-520-42566，May2008 中以及 Wang在 Applied Physics Letters, 96, 013507 (2010)中公開了圖 3 的結(jié)構(gòu),其中單個本征氫化非晶態(tài)娃層與厚的單晶n型娃層接觸。Kleider等人在“Characterization ofsilicon heterojunctions for solar ce丄丄s，，；Nanoscale research Letters20丄1，6，152中公開了ー種如圖4所示的與圖2的Sanyo結(jié)構(gòu)相似的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。前文引用的專利和文獻通過引用整體并入本文。引用的現(xiàn)有技術(shù)均沒有有效地解決太陽能電池的主要問題，即降低制造成本以實現(xiàn)商業(yè)級轉(zhuǎn)換效率。如文獻中提及的，本發(fā)明的關(guān)鍵因素在干:由于擴散長度與壽命之間的平方根關(guān)系，在較薄的層中對高本體壽命的要求越寬松；當(dāng)有源區(qū)的厚度減小到一半時，本體壽命可以減小到四分之一而不會犧牲效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]公開了ー種具有多個層的光電器件。該器件包括形成有源區(qū)的一個或多個半導(dǎo)體層；處于半導(dǎo)體層之下的層由低成本材料形成；可選地為娃；可選地為碳化娃；ー個或多個層與有源區(qū)形成異質(zhì)結(jié)；可選層包括ー個或多個勢壘層、蓋層、導(dǎo)電層、抗反射層和分布布拉格反射器?？蛇x地，器件包括多個有源區(qū)。
[0006]在一個實施例中，本技術(shù)公開了在導(dǎo)電層上沉積摻雜半導(dǎo)體層；可選地為娃；可選地為硅-碳混合物或化合物。如果導(dǎo)電層含有能夠擴散到有源半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)，或者當(dāng)導(dǎo)電層(可選地用作襯底)能夠與有源半導(dǎo)體層形成通過促進復(fù)合而減小預(yù)期器件的效率的結(jié)時，可以對導(dǎo)電層涂敷勢壘層(可選地，為非導(dǎo)電的)。在一個實施例中，利用包括通孔陣列的勢壘層來產(chǎn)生無雜質(zhì)且無復(fù)合的界面，以使得光電流能被有效收集。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是來自Sanyo的現(xiàn)有技術(shù)。
[0008]圖2是來自Sanyo的現(xiàn)有技術(shù)。
[0009]圖3是來自NREL的現(xiàn)有技術(shù)。
[0010]圖4是來自文獻的現(xiàn)有技術(shù)。
[0011]圖5是本發(fā)明的若干實施例的示意圖。
[0012]圖6是本發(fā)明的若干實施例的示意圖。
【具體實施方式】
[0013]通過在U.S.12/074,651以及相關(guān)申請和現(xiàn)有技術(shù)中引用的參考文件中公開的技術(shù)來進行高溫等離子體的產(chǎn)生、相關(guān)沉積技術(shù)和各種后エ藝處理步驟；可選步驟包括各個層的選擇性再結(jié)晶以及多孔層的沉積。可選地，半導(dǎo)體層包括IV、II1-V或I1-VI族半導(dǎo)體。一些實施例包括通過高純度等離子體濺射進行的光電器件的一個或多個層的沉積。
[0014]在一些實施例中，可操作來將入射輻射轉(zhuǎn)換成電能的光電器件包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、在第一半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層；其中通過高純度等離子濺射來形成第一或第二半導(dǎo)體層；并且，其中第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的界面形成了可操作來將入射輻射轉(zhuǎn)換成電能的有源區(qū)(active region);可選地，反射層包括多個層，所述多個層的成分選自由Si02、Al2O3, TaN、TiO2, SiC、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氮化物、SixNy和多孔材料組成的組中，以使得所述多個層的第一部分可操作來作為分布布拉格反射器，并且多個層的第二部分是導(dǎo)電的。
[0015]如圖5不意性所不,在一些實施例中，用于將入射福射轉(zhuǎn)換為電能的光電器件500包括:第一層514，其含有硅，使得少數(shù)載流子壽命小于Iy s并且層厚度(可選地包括襯底層518在內(nèi))大約為50微米或更大；與第一層相鄰的第一導(dǎo)電類型的第二層510，其包括半導(dǎo)體，使得少數(shù)載流子壽命大于100納秒并且層厚度大約為10微米或更?。慌c第二層接觸的第二導(dǎo)電類型的第三層508，其包括半導(dǎo)體，使得少數(shù)載流子壽命大于100納秒，并且其中第二和第三層可操作來作為有源區(qū)，使得入射輻射的一部分被轉(zhuǎn)換為電能；可選地，器件500還包括處于襯底層518與第一層514之間的勢壘層516 ;作為替代，勢壘層520處于第一導(dǎo)電層512與第二層510之間；可選地，通過從由物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積、熔融涂布(mo I ten app I i cation )和等離子體派射組成的組中選擇的一種或多種エ藝來形成器件；可選地，器件還包括處于第一導(dǎo)電層514與第二層510之間的第四層512，其包括與第二層接觸的第一異質(zhì)結(jié)材料區(qū)，使得在第一異質(zhì)結(jié)材料區(qū)與第二層之間形成異質(zhì)結(jié)；可選地，器件還包括與第三層508接觸的第五層506，其包括第二異質(zhì)結(jié)材料區(qū)，使得在第二異質(zhì)結(jié)材料區(qū)與第三層之間形成異質(zhì)結(jié)；可選地，第四層和第五層的成分從由IV族元素、氫、碳化硅、非晶硅、納米晶體硅、金屬氮化物、金屬碳化物及其混合物組成的組中選擇；可選地，器件還包括與第一導(dǎo)電層相鄰的襯底518，使得第一導(dǎo)電層將襯底與第二層隔開；可選地，從由下述各項組成的組中選擇襯底:石墨、石墨箔、玻璃石墨、浸潰石墨、熱解碳、涂有熱解碳的石墨、涂有石墨的柔性箔、石墨粉、碳紙、碳布、碳、玻璃、氧化鋁、涂有碳納米管的襯底、涂有碳化物的襯底、涂有石墨烯的襯底、硅-碳化合物、碳化硅及其混合物；可選地，從由下述各項組成的組中選擇第一導(dǎo)電層的成分:硅、SiC、導(dǎo)電金屬氮化物、鋁、銅、銀、透明金屬合金和透明導(dǎo)電金屬氧化物及其組合；可選地，勢壘層516包括ー層或多層，其成分從由下述各項組成的組中選擇:S1、Si02、Al203、TaN、TiO2、碳化娃、氮化硅、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氮化物和導(dǎo)電陶瓷；可選地，通過從熔融源直接分配到臺板上的沉積來形成第一導(dǎo)電層；可選地，器件中的所述臺板是襯底518 ;可選地，器件中的第二和第三層包括IV族、II1-V族或I1-VI族半導(dǎo)體。在一些實施例中，通過等離子體濺射來形成第一、第二、第三、第四和第五層中的ー個或多個，并且通過諸如激光或閃光燈或者用于對各層加熱的其他裝置之類的光源來對這些層中的一個或多個進行再結(jié)晶。在ー些實施例中，第一、第二、第三、第四和第五層是多晶體，其橫向晶粒尺寸至少為層厚度的ニ至十倍。
[0016]在一些實施例中，如圖6示意性所示，可操作來將入射輻射轉(zhuǎn)換成電能的光電器件600包括:第一支撐層616，其包括硅，電阻率小于lOohm-cm ;處于第一支撐層上方的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層614 ;與第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層接觸的第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層612 ;與第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層610 ;以及與第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層608 ;其中第二半導(dǎo)體層與第三半導(dǎo)體層之間的界面形成可操作來將入射輻射轉(zhuǎn)換成電能的有源區(qū)，并且第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的界面形成第一異質(zhì)結(jié)，第三半導(dǎo)體層與第四半導(dǎo)體層之間的界面形成第二異質(zhì)結(jié)；可選地，第二和第三半導(dǎo)體層由ー種或多種IV族元素構(gòu)成；可選地，第一和第四半導(dǎo)體層由ー種或多種IV族兀素構(gòu)成?？蛇x地，在支撐層616與第一層614之間可以有勢壘層(未示出)。在一些實施例中，通過等離子體濺射形成第一、第ニ、第三、第四和支撐層中的ー個或多個，并且通過諸如激光或閃光燈或者用于對各層加熱的其他裝置之類的光源來對各層中的一個或多個進行再結(jié)晶。在一些實施例中，第一、第ニ、第三、第四和支撐層是多晶體，其橫向晶粒尺寸至少為層厚度的ニ至十倍。
[0017]金屬鍍層502和602可以是透明導(dǎo)電氧化物；鈍化層504和604可以是透明非導(dǎo)電氧化物。襯底層620可以與襯底518具有相似成分；勢魚層和反射器層520、516、618可以具有相似成分。層608和614的成分可以從由下述各項組成的組中選出:IV族元素、氫、碳化硅、非晶硅、納米晶體硅、金屬氮化物、金屬碳化物及其混合物。
[0018]將會理解，當(dāng)如層、區(qū)或襯底之類的元件被稱為“在另一元件上”或“在另一元件上方”或“與另一元件相鄰”時，其可以直接在另一元件上，或者還可以存在中間元件。相反，當(dāng)一個元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接在另一元件上方”或“與另一元件接觸”吋，不存在中間元件。還將理解，當(dāng)一個元件被稱為“連接”或“耦接”到另一元件時，其可以直接連接或耦接到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)一個元件被稱為“直接連接”或“直接耦接”到另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“透明勢壘層”或“透明的”或“反射的”通常適用于太陽光譜的至少一部分；“透明層”或“反射層”不必對于整個太陽光譜都透明或都具有反射性；而是將相對于光譜的一部分為透明或具有反射性限定為透明和反射性的。
[0019]提供前述實施例以進行例示和描述。它們并非意在將本發(fā)明限制于所述的精確形式。尤其是，可以預(yù)期本文所述的本發(fā)明的功能實施可以等同地以各種組合或其他功能部件或構(gòu)件塊來實現(xiàn)。在上文的指教之下，熟知半導(dǎo)體、薄膜沉積技術(shù)和材料領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以得出其他變型和實施例；因此，本發(fā)明的范圍不由詳細(xì)描述限定，而是由所附權(quán)利要求限定。本文引用的所有專利、專利申請和其他文件均通過引用整體并入本文以用于所有目的。
[0020]在前文的描述中，陳述了許多具體細(xì)節(jié)，比如特殊結(jié)構(gòu)、部件、材料、尺寸、エ藝步驟和技術(shù)，用以提供對本發(fā)明的透徹理解。然而，本發(fā)明的普通技術(shù)人員將會理解可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實施本發(fā)明。在其他實例中，為避免模糊本發(fā)明，沒有詳細(xì)描述公知結(jié)構(gòu)或エ藝步驟。
[0021]優(yōu)選地包括本文所述的所有元件、部件和步驟。將會理解，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，這些元件、部件和步驟可以被其他元件、部件和步驟替代，或者可以被刪去。
[0022]寬泛地說，本文公開了ー種光電器件。其處在硅層上。該器件包括形成有源區(qū)的兩個半導(dǎo)體層；可選層包括“異質(zhì)結(jié)層”、ー個或多個勢壘層、蓋層、導(dǎo)電和/或金屬鍍層、抗反射層和分布布拉格反射器。該器件可以包括多個有源區(qū)。
[0023]構(gòu)思
[0024]本文至少公開了如下構(gòu)思。
[0025]構(gòu)思1.ー種用于將入射福射轉(zhuǎn)換為電能的光電器件,包括:
[0026]第一層，包括硅以使得少數(shù)載流子壽命小于I U s并且層厚度約為50微米或更大；
[0027]與所述第一層相鄰的第一導(dǎo)電類型的第二層，包括半導(dǎo)體以使得少數(shù)載流子壽命大于100納秒并且層厚度約為10微米或更?。?br> [0028]與所述第二層接觸的第二導(dǎo)電類型的第三層，包括半導(dǎo)體以使得少數(shù)載流子壽命大于100納秒，并且其中所述第二層和所述第三層可操作來作為有源區(qū)，以使得入射輻射的一部分被轉(zhuǎn)換成電能。
[0029]構(gòu)思2.如構(gòu)思I所述的器件，還包括處于所述第一導(dǎo)電層與所述第二層之間的勢壘層。
[0030]構(gòu)思3.如構(gòu)思I所述的器件，其中所述器件是通過從由物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積、熔融涂布和等離子濺射組成的組中選擇的ー種或多種エ藝來形成的。
[0031]構(gòu)思4.如構(gòu)思I所述的器件，還包括處于所述第一導(dǎo)電層與所述第二層之間的第四層，所述第四層包括與第二層接觸的第一異質(zhì)結(jié)材料區(qū)，以使得在所述第一異質(zhì)結(jié)材料區(qū)與所述第二層之間形成異質(zhì)結(jié)。
[0032]構(gòu)思5.如構(gòu)思4所述的器件，其中所述第一層、第二層、第三層、第四層是通過等離子體濺射形成的。
[0033]構(gòu)思6.如構(gòu)思I所述的器件，還包括與所述第三層接觸的第五層，所述第五層包括第二異質(zhì)結(jié)材料區(qū)，以使得在輕摻雜的第二導(dǎo)電類型區(qū)與所述第三層之間形成異質(zhì)結(jié)。
[0034]構(gòu)思7.如構(gòu)思4所述的器件，其中所述第四層的成分從由如下各項組成的組中選擇:IV族元素、氫、碳化硅、非晶硅、納米晶體硅、金屬氮化物、金屬碳化物及其混合物。
[0035]構(gòu)思8.如構(gòu)思6所述的器件，其中所述第五層的成分從由如下各項組成的組中選擇:IV族元素、氫、碳化硅、非晶硅、納米晶體硅、金屬氮化物、金屬碳化物及其混合物。[0036]構(gòu)思9.如構(gòu)思I所述的器件，還包括與所述第一導(dǎo)電層相鄰的襯底，以使得所述第一導(dǎo)電層將所述襯底與所述第二層隔開。
[0037]構(gòu)思10.如構(gòu)思9所述的器件，其中所述襯底從由如下各項組成的組中選擇:石墨、石墨箔、玻璃石墨、浸潰石墨、熱解碳、涂有熱解碳的石墨、涂有石墨的柔性箔、石墨粉、碳紙、碳布、碳、玻璃、氧化鋁、涂有碳納米管的襯底、涂有碳化物的襯底、涂有石墨烯的襯底、娃-碳化合物、碳化娃及其混合物。
[0038]構(gòu)思11.如構(gòu)思I所述的器件，其中所述第一導(dǎo)電層的成分從由下述各項組成的組中選擇:硅、Sic、導(dǎo)電金屬氮化物、鋁、銅、銀、透明金屬合金和透明導(dǎo)電金屬氧化物及其組合。
[0039]構(gòu)思12.如構(gòu)思2所述的器件，其中所述勢壘層包括ー層或多層，其成分從由下述各項組成的組中選擇:S1、SiO2、Al2O3、TaN、TiO2、碳化娃、氮化娃、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氮化物和導(dǎo)電陶瓷。
[0040]構(gòu)思13.如構(gòu)思I所述的器件，其中所述第一導(dǎo)電層是通過從熔融源直接分配到臺板上的沉積來形成的。
[0041]構(gòu)思14.如構(gòu)思13所述的器件，其中所述臺板是襯底。
[0042]構(gòu)思15.如構(gòu)思I所述的器件，其中所述第二層和第三層包括IV族、II1-V族或I1-VI族半導(dǎo)體。
[0043]構(gòu)思16.—種可操作來將入射輻射轉(zhuǎn)換成電能的光電器件，包括:
[0044]包括娃的第一支撐層，具有小于lOohm-cm的電阻率；
[0045]在所述第一支撐層上方的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層；
[0046]與第一導(dǎo)電類型的所述第一半導(dǎo)體層接觸的第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層；
[0047]與第一導(dǎo)電類型的所述第二半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層；
[0048]與第二導(dǎo)電類型的所述第三半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層；其中所述第二半導(dǎo)體層與所述第三半導(dǎo)體層之間的界面形成可操作來將入射輻射轉(zhuǎn)換成電能的有源區(qū)，并且所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的界面形成第一異質(zhì)結(jié)，所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的界面形成第二異質(zhì)結(jié)。
[0049]構(gòu)思17.如構(gòu)思16所述的器件，其中所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層由一種或多種IV族元素構(gòu)成。
[0050]構(gòu)思18.如構(gòu)思16所述的器件，其中所述第一半導(dǎo)體層和所述第四半導(dǎo)體層由一種或多種IV族元素構(gòu)成。
[0051]構(gòu)思19.如構(gòu)思16所述的器件，其中所述支撐層、所述第一層、所述第二層、所述第三層和所述第四層中的至少ー個是通過等離子體濺射形成的。
【權(quán)利要求】
1.ー種用于將入射輻射轉(zhuǎn)換為電能的光電器件，包括: 第一層，包括硅以使得少數(shù)載流子壽命小于I y S并且層厚度約為50微米或更大； 與所述第一層相鄰的第一導(dǎo)電類型的第二層，包括半導(dǎo)體以使得少數(shù)載流子壽命大于100納秒并且層厚度約為10微米或更小； 與所述第二層接觸的第二導(dǎo)電類型的第三層，包括半導(dǎo)體以使得少數(shù)載流子壽命大于100納秒，并且其中所述第二層和所述第三層可操作來作為有源區(qū)，以使得入射輻射的一部分被轉(zhuǎn)換成電能。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，還包括處于所述第一導(dǎo)電層與所述第二層之間的勢壘層。
3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述器件是通過從由物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積、熔融涂布和等離子濺射組成的組中選擇的ー種或多種エ藝來形成的。
4.如權(quán)利要求1所述的器件，還包括處于所述第一導(dǎo)電層與所述第二層之間的第四層，所述第四層包括與第二層接觸的第一異質(zhì)結(jié)材料區(qū)，以使得在所述第一異質(zhì)結(jié)材料區(qū)與所述第二層之間形成異質(zhì)結(jié)。
5.如權(quán)利要求4所述的器件，其中所述第一層、第二層、第三層、第四層是通過等離子體濺射形成的。
6.如權(quán)利要求1所述的器件，還包括與所述第三層接觸的第五層，所述第五層包括第二異質(zhì)結(jié)材料區(qū)，以使得在輕摻雜的第二導(dǎo)電類型區(qū)與所述第三層之間形成異質(zhì)結(jié)。`
7.如權(quán)利要求4所述的器件，其中所述第四層的成分從由如下各項組成的組中選擇:IV族元素、氫、碳化硅、非晶硅、納米晶體硅、金屬氮化物、金屬碳化物及其混合物。
8.如權(quán)利要求6所述的器件，其中所述第五層的成分從由如下各項組成的組中選擇:IV族元素、氫、碳化硅、非晶硅、納米晶體硅、金屬氮化物、金屬碳化物及其混合物。
9.如權(quán)利要求1所述的器件，還包括與所述第一導(dǎo)電層相鄰的襯底，以使得所述第一導(dǎo)電層將所述襯底與所述第二層隔開。
10.如權(quán)利要求9所述的器件，其中所述襯底從由如下各項組成的組中選擇:石墨、石墨箔、玻璃石墨、浸潰石墨、熱解碳、涂有熱解碳的石墨、涂有石墨的柔性箔、石墨粉、碳紙、碳布、碳、玻璃、氧化鋁、涂有碳納米管的襯底、涂有碳化物的襯底、涂有石墨烯的襯底、娃-碳化合物、碳化娃及其混合物。
11.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一導(dǎo)電層的成分從由下述各項組成的組中選擇:硅、SiC、導(dǎo)電金屬氮化物、鋁、銅、銀、透明金屬合金和透明導(dǎo)電金屬氧化物及其組合。
12.如權(quán)利要求2所述的器件，其中所述勢壘層包括ー層或多層，其成分從由下述各項組成的組中選擇:S1、SiO2、Al2O3、TaN、TiO2、碳化娃、氮化娃、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氮化物和導(dǎo)電陶瓷。
13.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一導(dǎo)電層是通過從熔融源直接分配到臺板上的沉積來形成的。
14.如權(quán)利要求13所述的器件，其中所述臺板是襯底。
15.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第二層和第三層包括IV族、II1-V族或I1-VI族半導(dǎo)體。
16.ー種可操作來將入射輻射轉(zhuǎn)換成電能的光電器件，包括: 包括娃的第一支撐層，具有小于lOohm-cm的電阻率； 在所述第一支撐層上方的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層； 與第一導(dǎo)電類型的所述第一半導(dǎo)體層接觸的第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層； 與第一導(dǎo)電類型的所述第二半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層； 與第二導(dǎo)電類型的所述第三半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層；其中所述第二半導(dǎo)體層與所述第三半導(dǎo)體層之間的界面形成可操作來將入射輻射轉(zhuǎn)換成電能的有源區(qū)，并且所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的界面形成第一異質(zhì)結(jié)，所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的界面形成第二異質(zhì)結(jié)。
17.如權(quán)利要求16所述的器件，其中所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層由ー種或多種IV族元素構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求16所述的器件，其中所述第一半導(dǎo)體層和所述第四半導(dǎo)體層由ー種或多種IV族元素構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求16所述的器件，其中所述支撐層、所述第一層、所述第二層、所述第三層和所述第四層中的至少ー 個是通過等離子體濺射形成的。
【文檔編號】H01L31/18GK103534816SQ201280018590
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月31日
【發(fā)明者】沙倫·澤哈維 申請人:集成光伏公司