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一種電容器的制作方法

文檔序號(hào):11202701閱讀:835來源:國(guó)知局
一種電容器的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及一種電容器,尤其涉及一種具有極板偏移結(jié)構(gòu)電容芯子的電容器,適用于各種交直流高電壓的環(huán)境中所使用的電容器。



背景技術(shù):

眾所周知,電容器單個(gè)元件的耐電強(qiáng)度有限,對(duì)于在交直流高電壓下使用的電容器,必須通過元件的串聯(lián)保證整臺(tái)的電壓耐受滿足要求,而單個(gè)元件的端部絕緣是通過介質(zhì)薄膜8與鋁箔極板7之間的留邊解決的,留邊的長(zhǎng)度通常在3~10mm,結(jié)構(gòu)如圖5所示。由于采用相同的設(shè)計(jì)卷繞,這些元件具有相同的耐壓水平。然而,在某些特殊的情況下,由于放置位置的關(guān)系,個(gè)別元件會(huì)承受更高的電壓,留邊距離無法保證絕緣達(dá)到安全距離的要求。如果改變?cè)O(shè)計(jì)繼續(xù)增大留邊長(zhǎng)度,則極板勢(shì)必變窄,導(dǎo)致電容器介質(zhì)的利用率嚴(yán)重下降,而如果單為個(gè)別元件重新設(shè)定卷繞方案,又破壞了芯子的結(jié)構(gòu)整體性,帶來其他方面的問題。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決在特殊的情況下串聯(lián)的電容器中的個(gè)別元件承受更高電壓時(shí),通過改變留邊距離無法達(dá)到安全距離的要求或?qū)е码娙萜鹘橘|(zhì)的利用率嚴(yán)重下降的問題,本發(fā)明提供一種電容器,該電容器的電容芯子具有極板偏移的絕緣結(jié)構(gòu),在保證電容器介質(zhì)較為合理利用的前提下,充分保證了各元件端部的絕緣要求。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是提供一種電容器,包括高壓電極1、接地電極2及位于高壓電極1與接地電極2之間的電容芯子5,其特殊之處在于:上述電容芯子5包括依次平行排列的尺寸相同的第一極板301、第n極板及位于第一極板301與第n極板之間的n-2個(gè)極板,上述電容芯子5還包括位于相鄰極板之間的尺寸相同的絕緣介質(zhì)4,各絕緣介質(zhì)與高壓電極1之間的垂直距離均相同,上述絕緣介質(zhì)4的高度大于極板的高度,上述第一極板301與高壓電極1直接連接,上述第n極板與接地電極2直接連接,位于第一極板與第n極板之間的n-2個(gè)極板與高壓電極1之間的垂直距離各不相同,其中n為大于等于2的正整數(shù)。

優(yōu)選地,n個(gè)極板與高壓電極1之間的垂直距離是以首項(xiàng)為0,公差為d的等差數(shù)列依次遞增,直至第n極板與接地電極2之間的垂直距離為0。

優(yōu)選地,上述極板及絕緣介質(zhì)4均為板狀,或所述極板及絕緣介質(zhì)4均為筒狀即該電容器為卷繞式電容器。

優(yōu)選地,當(dāng)上述極板及絕緣介質(zhì)4均為筒狀時(shí),還包括芯子骨架99,由極板與絕緣介質(zhì)交替疊層并沿極板與絕緣介質(zhì)的長(zhǎng)度方向進(jìn)行單層或多層繞制在芯子骨架99上。

優(yōu)選地,上述d的取值為2~15mm。

本發(fā)明還提供另外一種電容器,包括高壓電極1、接地電極2及位于高壓電極1與接地電極2之間的電容芯子5,其特殊之處在于:上述電容芯子5包括m個(gè)串聯(lián)的電容芯子單元,每個(gè)電容芯子單元包括依次平行排列的相同的第一極板301、第n極板、位于第一極板301與第n極板之間的n-2個(gè)極板,還包括位于相鄰極板之間的相同的絕緣介質(zhì)4,各絕緣介質(zhì)與高壓電極1之間的垂直距離均相同,上述絕緣介質(zhì)4的高度大于極板的高度,上述第一極板301與高壓電極1直接連接,上述第n極板與接地電極2直接連接,位于第一極板與第n極板之間的n-2個(gè)極板與高壓電極1之間的垂直距離各不相同;相鄰電容芯子單元中的極板相對(duì)于第n極板呈鏡像對(duì)稱,其中m、n均為大于等于2的正整數(shù)。

優(yōu)選地,n個(gè)極板與高壓電極1之間的垂直距離以首項(xiàng)為0,公差為d的等差數(shù)列依次遞增,直至第n極板與接地電極2之間的垂直距離為0。

優(yōu)選地,上述極板及絕緣介質(zhì)4均為板狀或所述極板及絕緣介質(zhì)4均為筒狀。

優(yōu)選地,當(dāng)上述極板及絕緣介質(zhì)4均為筒狀時(shí),還包括芯子骨架99,由極板與絕緣介質(zhì)疊層并沿極板與絕緣介質(zhì)的長(zhǎng)度方向進(jìn)行單層或多層繞制在芯子骨架99上。

優(yōu)選地,上述d的取值為2~15mm。

本發(fā)明的有益效果是:

1、本發(fā)明的電容器的芯子絕緣結(jié)構(gòu),不同于傳統(tǒng)依靠電容器元件卷繞完成后再串聯(lián)以解決絕緣不足的問題,而是利用極板偏移的方法,在高壓和接地電極之間形成若干個(gè)電容量相同,而位置依次錯(cuò)開的串聯(lián)段,這樣每個(gè)串聯(lián)段僅承受總電壓的若干分之一,不會(huì)使單個(gè)串聯(lián)段的絕緣不足造成擊穿;

2、極板位置的變化是隨著其與高壓電極之間的電位差決定的,電位差越大,則極板端部離高壓電極越遠(yuǎn),這樣的結(jié)構(gòu)使整個(gè)芯子的電場(chǎng)分布較為合理;

3、較長(zhǎng)的介質(zhì)部分保證了極板端部與兩個(gè)電極或相鄰極板之間不易出現(xiàn)滑閃放電,同時(shí),介質(zhì)位置相對(duì)保持不變也使得芯子的卷繞較為容易實(shí)現(xiàn)。

附圖說明

圖1為極板與絕緣介質(zhì)均為板狀的電容器結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為極板與絕緣介質(zhì)均為筒狀的電容器結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3為極板與絕緣介質(zhì)均為板狀的電容器擴(kuò)容后結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4為極板與絕緣介質(zhì)均為筒狀的電容器擴(kuò)容后結(jié)構(gòu)示意圖;

圖5為現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記為:1-高壓電極,2-接地電極,301-第一電極,310-第五電極,32-第二電極,33-第三電極,34-第四電極,4-絕緣介質(zhì),41-第一介質(zhì)層,42-第二介質(zhì)層,43-第三介質(zhì)層,44-第四介質(zhì)層,5-電容芯子,6-高壓引出線,7-鋁箔電極,8-介質(zhì)薄膜,99-芯子骨架。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

本實(shí)施例電容器,包括高壓電極1、接地電極2及位于高壓電極1與接地電極2之間的電容芯子5,電容芯子5包括尺寸相同的第一極板301、第二極板32、第三極板33、第四極板34及第五極板310,電容芯子5還包括位于相鄰極板之間的絕緣介質(zhì)4,各絕緣介質(zhì)與高壓電極1之間的垂直距離均相同,絕緣介質(zhì)4的高度大于極板的高度(定義高壓電極與接地電極之間的垂直方向?yàn)楦叨确较?;

第一極板301垂直于高壓電極1放置,其上端與高壓電極1接觸,與第二極板32相對(duì)的一側(cè)區(qū)域設(shè)置絕緣介質(zhì)4,絕緣介質(zhì)4的另一側(cè)為第二極板32,第二極板32的水平位置即與高壓電極1的垂直距離較第一極板301低,第二極板32與高壓電極1的垂直距離為d。

第二極板32與第三極板33相對(duì)側(cè)繼續(xù)設(shè)置絕緣介質(zhì)4,絕緣介質(zhì)4另一側(cè)為第三極板33,第三極板33的水平位置即與高壓電極1的垂直距離較第二極板302低,第三極板33與高壓電極1的距離為2d,類似的,第四極板34與高壓電極1的距離為3d。

最后設(shè)置第五極板310,其下端與接地電極2接觸,這樣形成由4個(gè)串聯(lián)元件組成的一個(gè)串聯(lián)單元即電容芯子單元。

本發(fā)明極板可以是板狀(圖1)也可以是筒狀即卷繞式(圖2);當(dāng)為卷繞式時(shí),可以分為單層卷繞和多層卷繞,各極板同軸心設(shè)置,該電容器由各極板及之間的絕緣介質(zhì)交替疊層放置并沿極板與絕緣介質(zhì)的長(zhǎng)度方向進(jìn)行單層或多層繞制在芯子骨架99上而成,例如首先將第四介質(zhì)層44疊放在第五極板310上,再將第四極板34疊放在第四介質(zhì)層44上,再將第三介質(zhì)層43疊放在第四極板34上,依次交替疊放后進(jìn)行卷繞。

如果所形成的芯子電容量較小不滿足需要,可以采用圖3和圖4所示的方法進(jìn)行擴(kuò)容,圖3板狀式具體的做法是在圖1所示的電容芯子外側(cè)繼續(xù)設(shè)置極板與絕緣介質(zhì)即第二串聯(lián)單元,第二串聯(lián)單元的極板與圖1中的極板相對(duì)于第五極板310呈鏡像對(duì)稱。兩組串聯(lián)單元中的極板呈現(xiàn)出明顯的“v”字形。

圖4卷繞式具體的做法是在圖2卷繞好的芯子外側(cè),按照與前述卷繞方式相同但極板放置位置相反的方法卷繞第二個(gè)串聯(lián)單元,即對(duì)于第五極板310,兩組串聯(lián)單元呈鏡像。

繼續(xù)采用這樣的方法進(jìn)行卷繞,理論上能夠?qū)崿F(xiàn)任何大的電容量。

本發(fā)明的說明書已經(jīng)對(duì)發(fā)明內(nèi)容給出了充分的說明,各組件的具體參數(shù)可以根據(jù)實(shí)際需求設(shè)定,普通技術(shù)人員足以通過本發(fā)明說明書的內(nèi)容加以實(shí)施。在權(quán)利要求的框架下,任何基于本發(fā)明思路的改進(jìn)都屬于本發(fā)明的權(quán)利范圍。

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