本實(shí)用新型涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

SOP封裝是一種元件封裝形式，常見(jiàn)的封裝材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金屬等，現(xiàn)在基本采用塑料封裝，應(yīng)用范圍很廣，主要用在各種集成電路中。如圖1所示，現(xiàn)有的SOP封裝結(jié)構(gòu)中的焊盤一般為對(duì)應(yīng)于電子元器件的信號(hào)引腳獨(dú)立設(shè)置的單個(gè)的獨(dú)立的小焊盤。但是隨著產(chǎn)品耗電流越來(lái)越大，有些SOP封裝芯片也被用于大電流電路中，起電流轉(zhuǎn)換的作用給某些模塊供電，但是這些傳統(tǒng)的SOP封裝在PCB中對(duì)應(yīng)的焊盤設(shè)計(jì)越來(lái)越不符合要求，因?yàn)楹副P尺寸面積太小，在承載大電流時(shí)瞬間電流非常大，電流產(chǎn)生的脈沖在極短時(shí)間內(nèi)會(huì)將芯片擊穿，很有可能燒毀整個(gè)電路，損失非常大。傳統(tǒng)的SOP封裝焊盤無(wú)法承載更大電流，導(dǎo)致芯片的散熱不行、電路功能的不穩(wěn)定、極短的時(shí)間大電流的沖擊容易損壞芯片，從而影響產(chǎn)品的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型目的是提供一種多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)，該多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)在一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中封裝需隔離的兩粒芯片，實(shí)現(xiàn)了雙芯片封裝功能，且有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)，包括第一芯片、第二芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個(gè)左側(cè)引腳、若干個(gè)右側(cè)引腳和環(huán)氧樹脂包覆體；

所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤均由載片區(qū)和連接于載片區(qū)一端頂部的桿狀延伸部組成，所述第一L形金屬焊盤的載片區(qū)嵌入第二L形金屬焊盤的缺口處，所述第二L形金屬焊盤的載片區(qū)嵌入第一L形金屬焊盤的缺口處；

所述第一芯片、第二芯片分別通過(guò)絕緣膠層固定于第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤各自的載片區(qū)上表面的中央?yún)^(qū)域，若干個(gè)所述左側(cè)引腳并排間隔地設(shè)置于第一芯片、第二芯片的左側(cè)，若干個(gè)所述右側(cè)引腳并排間隔地設(shè)置于第一芯片、第二芯片的右側(cè)，所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤下部邊緣處均開有第一缺口槽，所述左側(cè)引腳與第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第二缺口槽，所述右側(cè)引腳與第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第三缺口槽，所述環(huán)氧樹脂包覆體包覆于芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個(gè)左側(cè)引腳、若干個(gè)右側(cè)引腳上，所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體的底部；

所述第一芯片、第二芯片上表面的左側(cè)區(qū)和右側(cè)區(qū)分別開有若干個(gè)左圓凹槽、若干個(gè)右圓凹槽，所述左圓凹槽和右圓凹槽各自底部均具有管腳區(qū)，所述左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的內(nèi)側(cè)端上表面分別開有第一圓凹槽和第二圓凹槽，若干根第一金線一端位于左圓凹槽內(nèi)并通過(guò)焊膏與管腳區(qū)電連接，此第一金線另一端位于左側(cè)引腳的第一圓凹槽內(nèi)并通過(guò)焊膏電連接，若干根第二金線一端位于右圓凹槽內(nèi)并通過(guò)焊膏與管腳區(qū)電連接，此第二金線另一端位于右側(cè)引腳的第二圓凹槽內(nèi)并通過(guò)焊膏電連接。

上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：

1. 上述方案中，所述左圓凹槽和右圓凹槽均為半圓形凹槽。

2. 上述方案中，所述左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的數(shù)目均為3~10根。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1. 本實(shí)用新型多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)，其第一芯片、第二芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個(gè)左側(cè)引腳、若干個(gè)右側(cè)引腳和環(huán)氧樹脂包覆體，第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤均由載片區(qū)和連接于載片區(qū)一端頂部的桿狀延伸部組成，所述第一L形金屬焊盤的載片區(qū)嵌入第二L形金屬焊盤的缺口處，所述第二L形金屬焊盤的載片區(qū)嵌入第一L形金屬焊盤的缺口處；因?yàn)樵O(shè)置了兩個(gè)載片區(qū)，在一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中封裝需隔離的兩粒芯片，實(shí)現(xiàn)了雙芯片封裝功能。

2. 本實(shí)用新型多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)，其金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，所述左側(cè)引腳與金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第二缺口槽，所述右側(cè)引腳與金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第三缺口槽，有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性；其次，其芯片通過(guò)絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央?yún)^(qū)域，金屬焊盤、左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體的底部，裸露的金屬焊盤，以便芯片在工作時(shí)快速傳導(dǎo)熱量，散熱效果好。

3. 本實(shí)用新型多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)，其芯片上表面的左側(cè)區(qū)和右側(cè)區(qū)分別開有若干個(gè)左圓凹槽、若干個(gè)右圓凹槽，所述左圓凹槽和右圓凹槽各自底部均具有管腳區(qū)，所述左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的內(nèi)側(cè)端上表面分別開有第一圓凹槽和第二圓凹槽，若干根第一金線一端位于左圓凹槽內(nèi)并通過(guò)焊膏與管腳區(qū)電連接，此第一金線另一端位于左側(cè)引腳的第一圓凹槽內(nèi)并通過(guò)焊膏電連接，若干根第二金線一端位于右圓凹槽內(nèi)并通過(guò)焊膏與管腳區(qū)電連接，此第二金線另一端位于右側(cè)引腳的第二圓凹槽內(nèi)并通過(guò)焊膏電連接，有效避免了、空焊和虛焊的問(wèn)題，既提高器件的承載電流，也提高了集成芯片的穩(wěn)定性和可靠性。

附圖說(shuō)明

附圖1為本實(shí)用新型多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為附圖1的A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖3為附圖2的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

以上附圖中：101、第一芯片；102、第二芯片；201、第一L形金屬焊盤；202、第二L形金屬焊盤；3、左側(cè)引腳；4、右側(cè)引腳；5、環(huán)氧樹脂包覆體；6、絕緣膠層；7、第一缺口槽；8、第二缺口槽；9、第三缺口槽；10、左圓凹槽；11、右圓凹槽；12、管腳區(qū)；13、第一圓凹槽；14、第二圓凹槽；15、第一金線；16、第二金線；21、載片區(qū)；22、桿狀延伸部。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：

實(shí)施例1：一種多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)，包括第一芯片101、第二芯片102、第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202、若干個(gè)左側(cè)引腳3、若干個(gè)右側(cè)引腳4和環(huán)氧樹脂包覆體5；

所述第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202均由載片區(qū)21和連接于載片區(qū)21一端頂部的桿狀延伸部22組成，所述第一L形金屬焊盤201的載片區(qū)21嵌入第二L形金屬焊盤202的缺口處，所述第二L形金屬焊盤202的載片區(qū)21嵌入第一L形金屬焊盤201的缺口處；

所述第一芯片101、第二芯片102分別通過(guò)絕緣膠層6固定于第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202各自的載片區(qū)21上表面的中央?yún)^(qū)域，若干個(gè)所述左側(cè)引腳3并排間隔地設(shè)置于第一芯片101、第二芯片102的左側(cè)，若干個(gè)所述右側(cè)引腳4并排間隔地設(shè)置于第一芯片101、第二芯片102的右側(cè)，所述第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202下部邊緣處均開有第一缺口槽7，所述左側(cè)引腳3與第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第二缺口槽8，所述右側(cè)引腳4與第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第三缺口槽9，所述環(huán)氧樹脂包覆體5包覆于芯片1、第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202、若干個(gè)左側(cè)引腳3、若干個(gè)右側(cè)引腳4上，所述第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202、左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體5的底部；

所述第一芯片101、第二芯片102上表面的左側(cè)區(qū)和右側(cè)區(qū)分別開有若干個(gè)左圓凹槽10、若干個(gè)右圓凹槽11，所述左圓凹槽10和右圓凹槽11各自底部均具有管腳區(qū)12，所述左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4各自的內(nèi)側(cè)端上表面分別開有第一圓凹槽13和第二圓凹槽14，若干根第一金線15一端位于左圓凹槽10內(nèi)并通過(guò)焊膏與管腳區(qū)12電連接，此第一金線15另一端位于左側(cè)引腳3的第一圓凹槽13內(nèi)并通過(guò)焊膏電連接，若干根第二金線16一端位于右圓凹槽11內(nèi)并通過(guò)焊膏與管腳區(qū)12電連接，此第二金線16另一端位于右側(cè)引腳4的第二圓凹槽14內(nèi)并通過(guò)焊膏電連接。

上述左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4的數(shù)目均為8根。

實(shí)施例2：一種多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)，包括第一芯片101、第二芯片102、第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202、若干個(gè)左側(cè)引腳3、若干個(gè)右側(cè)引腳4和環(huán)氧樹脂包覆體5；

所述第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202均由載片區(qū)21和連接于載片區(qū)21一端頂部的桿狀延伸部22組成，所述第一L形金屬焊盤201的載片區(qū)21嵌入第二L形金屬焊盤202的缺口處，所述第二L形金屬焊盤202的載片區(qū)21嵌入第一L形金屬焊盤201的缺口處；

所述第一芯片101、第二芯片102分別通過(guò)絕緣膠層6固定于第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202各自的載片區(qū)21上表面的中央?yún)^(qū)域，若干個(gè)所述左側(cè)引腳3并排間隔地設(shè)置于第一芯片101、第二芯片102的左側(cè)，若干個(gè)所述右側(cè)引腳4并排間隔地設(shè)置于第一芯片101、第二芯片102的右側(cè)，所述第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202下部邊緣處均開有第一缺口槽7，所述左側(cè)引腳3與第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第二缺口槽8，所述右側(cè)引腳4與第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第三缺口槽9，所述環(huán)氧樹脂包覆體5包覆于芯片1、第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202、若干個(gè)左側(cè)引腳3、若干個(gè)右側(cè)引腳4上，所述第一L形金屬焊盤201、第二L形金屬焊盤202、左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體5的底部；

所述第一芯片101、第二芯片102上表面的左側(cè)區(qū)和右側(cè)區(qū)分別開有若干個(gè)左圓凹槽10、若干個(gè)右圓凹槽11，所述左圓凹槽10和右圓凹槽11各自底部均具有管腳區(qū)12，所述左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4各自的內(nèi)側(cè)端上表面分別開有第一圓凹槽13和第二圓凹槽14，若干根第一金線15一端位于左圓凹槽10內(nèi)并通過(guò)焊膏與管腳區(qū)12電連接，此第一金線15另一端位于左側(cè)引腳3的第一圓凹槽13內(nèi)并通過(guò)焊膏電連接，若干根第二金線16一端位于右圓凹槽11內(nèi)并通過(guò)焊膏與管腳區(qū)12電連接，此第二金線16另一端位于右側(cè)引腳4的第二圓凹槽14內(nèi)并通過(guò)焊膏電連接。

上述左圓凹槽10和右圓凹槽11均為半圓形凹槽。

上述左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4的數(shù)目均為4根。

采用上述多芯片器件封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，其因?yàn)樵O(shè)置了兩個(gè)載片區(qū)，在一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中封裝需隔離的兩粒芯片，實(shí)現(xiàn)了雙芯片封裝功能；其次，有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性；再次，其裸露的金屬焊盤，以便芯片在工作時(shí)快速傳導(dǎo)熱量，散熱效果好；再次，有效避免了、空焊和虛焊的問(wèn)題，既提高器件的承載電流，也提高了集成芯片的穩(wěn)定性和可靠性。

上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。