本發(fā)明涉及一種減少基板于構(gòu)裝程序發(fā)生翹曲的方法。
背景技術(shù):
1、于習知集成電路晶片的構(gòu)裝程序(packaging?process)中,晶粒將先黏接于基板上,再通過打線方式將晶片上的i/o接點電性連接至導線架上對應的金屬引腳。接著,通過點膠程序(filling/dispensing?process)或封模程序(molding?process,或稱模封程序、封膠程序),將構(gòu)裝材料包覆在晶粒表面,以保護晶片并使晶片與外界隔離。
2、然而,當晶粒黏接于基板(尤其是含有有機成分的基板)上時,在點膠程序或封模程序完成之后,常會發(fā)現(xiàn)基板整體出現(xiàn)翹曲(warpage)(可參如圖8,容后詳述),進而影響、甚至不利于后續(xù)程序。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本發(fā)明的一實施例提出一種減少基板于構(gòu)裝程序發(fā)生翹曲的方法。該方法包含黏接晶粒于基板的上表面;黏接膠材于基板的下表面,且該膠材具有第一固化溫度;施加液態(tài)封裝材料于晶粒的周圍,且該液態(tài)封裝材料具有第二固化溫度;加熱基板、膠材及液態(tài)封裝材料至加熱溫度,且該加熱溫度不低于該第一固化溫度與該第二固化溫度;及冷卻基板、膠材及液態(tài)封裝材料至室溫。其中,該液態(tài)封裝材料于冷卻至室溫時,對基板的上表面施加上表面收縮應力;該膠材于冷卻至室溫時,對基板的下表面施加下表面收縮應力;且該下表面收縮應力實質(zhì)等于該上表面收縮應力。
2、此外,本發(fā)明的一實施例還提出一種減少基板于構(gòu)裝程序發(fā)生翹曲的方法。該方法包含黏接晶粒于基板的上表面;黏接膠材于基板的下表面,且該膠材具有第一固化溫度。加熱封模材料至封模溫度,并施加該封模材料于晶粒周圍,且該封模材料具有第三固化溫度;加熱基板、膠材與封模材料至加熱溫度,且該加熱溫度不低于該第一固化溫度與該第三固化溫度;及冷卻基板、膠材及封模材料至室溫。其中,該封模材料于冷卻至室溫時,對基板的上表面施加上表面收縮應力;該膠材于冷卻至室溫時,對基板的下表面施加下表面收縮應力;且該下表面收縮應力實質(zhì)等于該上表面收縮應力。
3、由以上方案可知,本發(fā)明的方法通過基板的上表面與下表面施加彼此相等的收縮應力,使基板將可減少(甚至是避免)基板因其上表面的液態(tài)封裝材料固化收縮所引起的翹曲。
1.一種減少基板于構(gòu)裝程序發(fā)生翹曲的方法,其特征在于,包含:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,于冷卻該基板、該膠材及該液態(tài)封裝材料至該室溫之后,更包含:移除該膠材。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,該膠材是通過水解及/或熱解方式移除。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,于移除該膠材之后,更包含:切割該基板,以使各該些晶粒彼此分離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,于冷卻該基板、該膠材及該液態(tài)封裝材料至該室溫之后,更包含:沿一切割道切割該基板,以使各該些晶粒彼此分離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,該膠材黏接于該切割道,該切割道具有一切割道寬度,該膠材具有一膠材寬度,該切割道寬度等于該膠材寬度,以沿該切割道切割該基板,移除該膠材。
7.一種減少基板于構(gòu)裝程序發(fā)生翹曲的方法,其特征在于,包含:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,于冷卻該基板、該膠材及該封模材料至該室溫之后,更包含:移除該膠材。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,該膠材是通過水解及/或熱解方式移除。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,于移除該膠材之后,更包含:切割該基板,以使各該些晶粒彼此分離。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,于冷卻該基板、該膠材及該封模材料至該室溫之后,更包含:沿一切割道切割該基板,以使各該些晶粒彼此分離。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,該膠材黏接于該切割道,該切割道具有一切割道寬度,該膠材具有一膠材寬度,該切割道寬度等于該膠材寬度,以沿該切割道切割該基板,移除該膠材。