本申請屬于半導(dǎo)體加工，具體涉及一種承載裝置和半導(dǎo)體工藝腔室。

背景技術(shù)：

1、去耦合等離子氮化工藝能夠使晶圓表面的二氧化硅層中部分氧原子被氮原子取代，以使部分si-o鍵轉(zhuǎn)換為si-n鍵，進(jìn)而使二氧化硅柵氧化層調(diào)整為具有一定氮濃度的和介電常數(shù)的sion柵氧化層，且經(jīng)過退火工藝可以形成穩(wěn)定的si-n-o結(jié)構(gòu)。目前，用以進(jìn)行去耦合等離子氮化工藝的工藝設(shè)備中，腔體內(nèi)設(shè)有承載裝置，待加工件可以承載于承載裝置上，且腔體的底部設(shè)有擺閥和分子泵等抽氣組件，由于抽氣組件位于承載裝置一側(cè)，進(jìn)而在工藝過程中，受抽氣組件的影響，導(dǎo)致腔體內(nèi)的氣場相對待加工件存在偏移的情況，進(jìn)而會(huì)對去耦合等離子氮化工藝的均勻性產(chǎn)生較大的不利影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請實(shí)施例的目的是提供一種承載裝置和半導(dǎo)體工藝腔室，以解決目前的半導(dǎo)體工藝腔室進(jìn)行去耦合等離子氮化工藝時(shí)，受抽氣組件偏置的情況，導(dǎo)致工藝的均勻性相對較差的問題。

2、第一方面，本申請實(shí)施例公開一種承載裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，所述承載裝置包括支撐座、承載件和第一驅(qū)動(dòng)組件；

3、所述承載件用以支撐待加工件；

4、所述第一驅(qū)動(dòng)組件包括相互配合的磁懸浮定子和磁懸浮轉(zhuǎn)子，所述磁懸浮定子套設(shè)于所述磁懸浮轉(zhuǎn)子外，且所述磁懸浮定子和所述磁懸浮轉(zhuǎn)子均安裝于所述支撐座，所述磁懸浮轉(zhuǎn)子用于支撐所述承載件，所述磁懸浮定子用于驅(qū)動(dòng)所述磁懸浮轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所述承載件繞所述承載件的軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。

5、第二方面，本申請實(shí)施例公開一種半導(dǎo)體工藝腔室，其包括腔體、抽氣組件和上述承載裝置，所述承載裝置安裝于所述腔體之內(nèi)，所述抽氣組件與所述腔體連通，且在所述腔體的軸向上，所述抽氣組件的抽氣口位于所述承載裝置的一側(cè)。

6、本申請實(shí)施例公開一種半導(dǎo)體工藝腔室的承載裝置，該承載裝置中，承載件用以支撐待加工件，且第一驅(qū)動(dòng)組件中相互配合的磁懸浮定子和磁懸浮轉(zhuǎn)子均安裝于支撐座，通過使磁懸浮轉(zhuǎn)子支撐承載件，且使磁懸浮定子套設(shè)于磁懸浮轉(zhuǎn)子之外，使得磁懸浮定子能夠驅(qū)動(dòng)磁懸浮轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而帶動(dòng)承載件繞承載件的軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。在此情況下，使得承載于承載件上的待加工件能夠被第一驅(qū)動(dòng)組件所驅(qū)動(dòng)而在腔體內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而即便腔體內(nèi)的氣場存在不均勻等情況，也基本不會(huì)對待加工件的工藝均勻性產(chǎn)生不利影響，保證待加工件的工藝均勻性相對較高。

技術(shù)特征：

1.一種承載裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，所述承載裝置包括支撐座(110)、承載件和第一驅(qū)動(dòng)組件；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述支撐座包括：環(huán)形底壁和位于所述環(huán)形底壁上的管狀側(cè)壁；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，還包括隔離件，所述隔離件包括管狀隔離板以及固定于所述管狀隔離板內(nèi)側(cè)的環(huán)形支撐板；所述磁懸浮轉(zhuǎn)子位于所述環(huán)形支撐板上，且所述磁懸浮轉(zhuǎn)子位于所述管狀隔離板與管狀側(cè)壁之間，所述磁懸浮定子環(huán)繞所述管狀隔離板設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載裝置，其特征在于，所述環(huán)形底壁的上表面設(shè)有限位沉槽，所述管狀隔離板的一部分伸入所述限位沉槽內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載裝置，其特征在于，還包括位于所述隔離件頂部的遮擋環(huán)，所述遮擋環(huán)包括平環(huán)和立環(huán)，所述平環(huán)支撐于所述隔離件頂部，且所述平環(huán)的內(nèi)側(cè)延伸至所述承載件的下方；所述立環(huán)固定連接于所述平環(huán)背離所述隔離件的一側(cè)，所述立環(huán)環(huán)繞設(shè)置于所述承載件之外，且所述立環(huán)延伸至所述承載件背離所述磁懸浮轉(zhuǎn)子的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，還包括固定于所述環(huán)形底壁上且環(huán)繞所述磁懸浮定子設(shè)置的管狀襯套。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，還包括用以驅(qū)動(dòng)所述磁懸浮定子升降的第二驅(qū)動(dòng)組件，且所述第二驅(qū)動(dòng)組件安裝于所述環(huán)形底壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，所述承載件包括承載環(huán)(122)，所述承載環(huán)(122)用以支撐所述待加工件，且所述承載環(huán)支撐于所述磁懸浮轉(zhuǎn)子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的承載裝置，其特征在于，所述支撐座還包括環(huán)狀支撐臺(tái)，所述環(huán)狀支撐臺(tái)固定連接于所述管狀側(cè)壁的內(nèi)側(cè)；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的承載裝置，其特征在于，還包括支撐于管狀側(cè)壁上的石英盤(121)，且所述石英盤(121)支撐于所述第二絕緣環(huán)，所述石英盤(121)位于所述承載環(huán)下方，且所述承載環(huán)的內(nèi)徑小于所述石英盤的外徑。

11.一種半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，包括腔體、抽氣組件和權(quán)利要求1-10任意一項(xiàng)所述的承載裝置，所述承載裝置安裝于所述腔體之內(nèi)，所述抽氣組件與所述腔體連通，且在所述腔體的軸向上，所述抽氣組件的抽氣口位于所述承載裝置的一側(cè)。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種承載裝置和半導(dǎo)體工藝腔室，所述承載裝置包括支撐座、承載件和第一驅(qū)動(dòng)組件；所述承載件用以支撐待加工件；所述第一驅(qū)動(dòng)組件包括相互配合的磁懸浮定子和磁懸浮轉(zhuǎn)子，所述磁懸浮定子套設(shè)于所述磁懸浮轉(zhuǎn)子外，且所述磁懸浮定子和所述磁懸浮轉(zhuǎn)子均安裝于所述支撐座，所述磁懸浮轉(zhuǎn)子用于支撐所述承載件，所述磁懸浮定子用于驅(qū)動(dòng)所述磁懸浮轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所述承載件繞所述承載件的軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。上述承載裝置可以解決目前半導(dǎo)體工藝腔室進(jìn)行去耦合等離子氮化工藝時(shí)，受抽氣組件偏置的情況，導(dǎo)致工藝的均勻性相對較差的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：馬一博,李曉婷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19