本公開(kāi)涉及一種線圈組件。

背景技術(shù)：

1、電感器(一種線圈組件)可以是與電阻器和電容器一起在電子裝置中使用的代表性無(wú)源電子組件。

2、隨著電子裝置已被設(shè)計(jì)為具有高性能和減小的尺寸，電子裝置中使用的電子組件的數(shù)量已增加且其尺寸已減小。

3、在其中兩個(gè)或更多個(gè)磁耦合線圈設(shè)置在線圈組件中的耦合電感器的情況下，可能需要控制兩個(gè)線圈之間的距離以調(diào)節(jié)耦合系數(shù)k。

4、然而，在其中兩個(gè)線圈沿豎直方向設(shè)置的耦合電感器的情況下，穿過(guò)兩個(gè)線圈之間的磁路可能較短，使得在兩個(gè)線圈之間可能產(chǎn)生磁通量的泄漏路徑，這可能降低耦合系數(shù)k。

5、在該情況下，當(dāng)減小兩個(gè)線圈之間的距離以增加耦合系數(shù)k時(shí)，飽和電流isat特性可能劣化，并且由于工藝誤差，導(dǎo)致所實(shí)現(xiàn)的耦合系數(shù)k也可能具有波動(dòng)性增加的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一方面在于：通過(guò)在耦合電感器的兩個(gè)線圈之間設(shè)置具有低磁導(dǎo)率的中間層并調(diào)節(jié)中間層的厚度和位置，實(shí)現(xiàn)期望的耦合系數(shù)k。

2、本公開(kāi)的另一方面在于：通過(guò)適當(dāng)?shù)乇３竹詈想姼衅髦械膬蓚€(gè)線圈之間的間隔距離，減輕當(dāng)兩個(gè)線圈彼此靠近時(shí)發(fā)生的飽和電流isat特性的降低或者由工藝誤差引起的耦合系數(shù)k的波動(dòng)性的增加。

3、根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種線圈組件包括：主體，包括中間層，所述主體具有在第一方向上彼此相對(duì)的第一表面和第二表面以及將所述第一表面連接到所述第二表面的多個(gè)側(cè)表面；第一線圈，設(shè)置在所述主體中，并且所述第一線圈包括具有至少一匝的第一線圈圖案；第二線圈，設(shè)置在所述主體中且與所述第一線圈間隔開(kāi)，并且所述第二線圈包括具有至少一匝的第二線圈圖案；第一外電極和第二外電極，設(shè)置在所述主體上并且連接到所述第一線圈；以及第三外電極和第四外電極，設(shè)置在所述主體上并且連接到所述第二線圈，其中，所述中間層具有比所述主體的除了所述中間層之外的其他區(qū)域的磁導(dǎo)率低的磁導(dǎo)率，所述中間層設(shè)置在所述第一線圈與所述第二線圈之間，并且所述中間層與所述第一線圈和所述第二線圈中的每者間隔開(kāi)。

4、根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種線圈組件包括：主體，包括中間層，所述主體具有在第一方向上彼此相對(duì)的第一表面和第二表面以及將所述第一表面連接到所述第二表面的多個(gè)側(cè)表面；第一線圈，設(shè)置在所述主體中，并且所述第一線圈包括第一線圈圖案，所述第一線圈圖案具有至少一匝且形成為單層；第二線圈，設(shè)置在所述主體中且與所述第一線圈間隔開(kāi)，并且所述第二線圈包括第二線圈圖案，所述第二線圈圖案具有至少一匝且形成為單層；第一外電極和第二外電極，設(shè)置在所述主體上并且連接到所述第一線圈；以及第三外電極和第四外電極，設(shè)置在所述主體上并且連接到所述第二線圈，其中，所述主體包括fe基合金，并且包括在所述主體中的所述中間層中的fe基合金和包括在所述主體的除了所述中間層之外的其他區(qū)域中的fe基合金具有不同的組成，并且其中，所述中間層設(shè)置在所述第一線圈與所述第二線圈之間，并且所述中間層與所述第一線圈和所述第二線圈中的每者間隔開(kāi)。

技術(shù)特征：

1.一種線圈組件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述第一線圈圖案和所述第二線圈圖案中的至少一者形成為單層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述中間層的至少一部分延伸到所述主體的所述多個(gè)側(cè)表面中的至少一個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線圈組件，其中，所述第一線圈和所述第二線圈之間的耦合系數(shù)k為大于等于0.495且小于等于0.605。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線圈組件，其中，所述中間層的相對(duì)磁導(dǎo)率為3或更小。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線圈組件，其中，所述中間層的相對(duì)磁導(dǎo)率為9，并且所述中間層在所述第一方向上的厚度為26μm或更小。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線圈組件，其中，所述中間層的相對(duì)磁導(dǎo)率為18，并且所述中間層在所述第一方向上的厚度為10μm或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線圈組件，其中，所述中間層的相對(duì)磁導(dǎo)率為36，并且所述中間層在所述第一方向上的厚度為4μm或更小。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線圈組件，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的線圈組件，其中，所述第一芯和所述第二芯均包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第一區(qū)域中，所述第一芯和所述第二芯在所述第一方向上彼此疊置，在所述第二區(qū)域中，所述第一芯和所述第二芯在所述第一方向上不彼此疊置。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述中間層的至少一部分與所述主體的所述多個(gè)側(cè)表面間隔開(kāi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的線圈組件，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈組件，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的線圈組件，其中，所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔中的每個(gè)穿透所述中間層。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈組件，

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述主體的所述其他區(qū)域包括d50的尺寸不同的兩種或更多種類(lèi)型的磁性顆粒。

17.一種線圈組件，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的線圈組件，其中，包括在所述中間層中的所述fe基合金的fe含量低于包括在所述主體的所述其他區(qū)域中的所述fe基合金的fe含量。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的線圈組件，其中，包括在所述主體中的所述fe基合金是fe-si基合金，并且包括在所述中間層中的fe-si基合金的si含量低于包括在所述主體的所述其他區(qū)域中的fe-si基合金中的si含量。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的線圈組件，其中，包括在所述中間層中的所述fe-si基合金中的si含量小于6.5wt％，并且包括在所述主體的所述其他區(qū)域中的所述fe-si基合金中的si含量為6.5wt％或更高。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的線圈組件，其中，包括在所述中間層中的所述fe-si基合金中的si含量為大于等于1wt％且小于等于5wt％。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種線圈組件，所述線圈組件包括：主體，包括中間層，并且具有彼此相對(duì)的第一表面和第二表面以及將第一表面連接到第二表面的多個(gè)側(cè)表面；第一線圈，設(shè)置在所述主體中，并且第一線圈包括具有至少一匝的第一線圈圖案；第二線圈，設(shè)置在所述主體中且與第一線圈間隔開(kāi)，并且第二線圈包括具有至少一匝的第二線圈圖案；第一外電極和第二外電極，設(shè)置在所述主體上并且連接到第一線圈；以及第三外電極和第四外電極，設(shè)置在所述主體上并且連接到第二線圈，其中，所述中間層具有比所述主體的除了所述中間層之外的其他區(qū)域的磁導(dǎo)率低的磁導(dǎo)率，所述中間層設(shè)置在第一線圈與第二線圈之間，并且所述中間層與第一線圈和第二線圈中的每者間隔開(kāi)。

技術(shù)研發(fā)人員：金相鎮(zhèn),梁主歡,金范錫,文炳喆,李漢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15