本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體封裝件。更具體地說(shuō)，本發(fā)明構(gòu)思涉及一種包括加強(qiáng)件的半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體封裝件由用于電子產(chǎn)品的半導(dǎo)體芯片實(shí)現(xiàn)。在半導(dǎo)體封裝件中，半導(dǎo)體芯片安裝在印刷電路板上，并使用接合線(xiàn)或接合凸塊電連接到印刷電路板。隨著半導(dǎo)體封裝件的進(jìn)步導(dǎo)致更高的性能，半導(dǎo)體封裝件的尺寸已經(jīng)增加。因此，使用包括加強(qiáng)件的半導(dǎo)體封裝件來(lái)控制由于半導(dǎo)體封裝件中的一個(gè)或多個(gè)組件的熱膨脹系數(shù)的差異而發(fā)生的翹曲。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一再分布結(jié)構(gòu)；第二再分布結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在第一再分布結(jié)構(gòu)上；半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面上；橋接芯片，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的下表面上；模制層，其設(shè)置在第一再分布結(jié)構(gòu)與第二再分布結(jié)構(gòu)之間，其中模制層圍繞橋接芯片；以及加強(qiáng)件，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面上。在一個(gè)方面，加強(qiáng)件包括開(kāi)口。在一個(gè)方面，半導(dǎo)體芯片設(shè)置在加強(qiáng)件的開(kāi)口中。

2、一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一再分布結(jié)構(gòu)；第二再分布結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在第一再分布結(jié)構(gòu)上；半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面上；橋接芯片，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的下表面上；無(wú)源裝置，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的下表面上并且在水平方向上與橋接芯片間隔開(kāi)。在一個(gè)方面，水平方向平行于第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面。半導(dǎo)體封裝件還包括：模制層，其設(shè)置在第一再分布結(jié)構(gòu)與第二再分布結(jié)構(gòu)之間，其中模制層圍繞橋接芯片和無(wú)源裝置；導(dǎo)電柱，其在模制層內(nèi)在水平方向上與橋接芯片和無(wú)源裝置間隔開(kāi)；散熱器，其設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的上表面上；以及加強(qiáng)件，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面上，其中加強(qiáng)件包括開(kāi)口。在一個(gè)方面，半導(dǎo)體芯片設(shè)置在加強(qiáng)件的開(kāi)口中。

3、一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一再分布結(jié)構(gòu)，其包括鈍化層、設(shè)置在鈍化層的下表面的一部分上并覆蓋鈍化層的下表面的該一部分的凸塊下金屬(ubm)層、以及與ubm層接觸并在鈍化層的上表面處暴露的導(dǎo)電層。半導(dǎo)體封裝件還包括：第二再分布結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在第一再分布結(jié)構(gòu)上，其中第二再分布結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)再分布絕緣層、設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)再分布絕緣層中并且在水平方向上延伸的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)圖案、以及設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)再分布絕緣層中并且在垂直于水平方向的豎直方向上延伸的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電穿通件，其中水平方向平行于第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面。半導(dǎo)體封裝件還包括：一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面上；橋接芯片，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的下表面上，其中橋接芯片提供一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間的電連接路徑；無(wú)源裝置，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的下表面上，并且在水平方向上與橋接芯片間隔開(kāi)；模制層，其設(shè)置在第一再分布結(jié)構(gòu)與第二再分布結(jié)構(gòu)之間，其中模制層圍繞橋接芯片的下表面和側(cè)表面以及無(wú)源裝置的下表面和側(cè)表面；導(dǎo)電柱，其在模制層內(nèi)在水平方向上與橋接芯片和無(wú)源裝置間隔開(kāi)；以及加強(qiáng)件，其設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面上，其中加強(qiáng)件包括開(kāi)口。一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片設(shè)置在加強(qiáng)件的開(kāi)口中。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述加強(qiáng)件的所述開(kāi)口的水平截面是四邊形形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述加強(qiáng)件的上表面設(shè)置在比所述半導(dǎo)體芯片的上表面低的豎直水平處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，設(shè)置在所述加強(qiáng)件的所述開(kāi)口中的所述半導(dǎo)體芯片與所述加強(qiáng)件的所述開(kāi)口的側(cè)壁間隔開(kāi)恒定間隔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述恒定間隔的范圍為2mm到3mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述導(dǎo)電柱包括柱狀部以及設(shè)置在所述柱狀部與所述第一再分布結(jié)構(gòu)的上表面之間的連接層，并且

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括：

11.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述散熱器在豎直方向上與所述加強(qiáng)件的最上表面間隔開(kāi)，并且

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述散熱器與所述加強(qiáng)件的最上表面接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述散熱器包括突出部分，并且所述突出部分朝向所述半導(dǎo)體芯片突出。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述無(wú)源裝置的高度和所述橋接芯片的高度彼此不同。

16.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述加強(qiáng)件的所述開(kāi)口的水平截面是四邊形形狀。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述加強(qiáng)件的上表面處于比所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)的上表面低的豎直水平。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，設(shè)置在所述加強(qiáng)件的所述開(kāi)口中的所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片與所述加強(qiáng)件的所述開(kāi)口的側(cè)壁間隔開(kāi)范圍為2mm至3mm的間隙。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一再分布結(jié)構(gòu)、設(shè)置在第一再分布結(jié)構(gòu)上的第二再分布結(jié)構(gòu)、設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面上的半導(dǎo)體芯片、設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的下表面上的橋接芯片、設(shè)置在第一再分布結(jié)構(gòu)與第二再分布結(jié)構(gòu)之間的模制層、以及設(shè)置在第二再分布結(jié)構(gòu)的上表面上的加強(qiáng)件，其中模制層圍繞橋接芯片。加強(qiáng)件包括開(kāi)口。半導(dǎo)體芯片設(shè)置在加強(qiáng)件的開(kāi)口中。

技術(shù)研發(fā)人員：金鐘局,權(quán)興奎,張政煥,金永澈,李春興,安旻基,張?jiān)跈?quán),崔幸喆,崔熙正
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15