本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、硅通孔(tsv)用作器件管芯中的電路徑的部分，使得器件管芯的相對(duì)側(cè)上的導(dǎo)電部件可以互連。tsv的形成工藝可以包括：蝕刻半導(dǎo)體襯底以形成開(kāi)口；用導(dǎo)電材料填充開(kāi)口以形成tsv；實(shí)施背側(cè)研磨工藝以從背側(cè)去除半導(dǎo)體襯底的部分并且以暴露tsv；以及在半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上形成電連接件以連接至tsv。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：形成第一器件管芯，包括：在半導(dǎo)體襯底上形成集成電路；以及在所述半導(dǎo)體襯底上形成互連結(jié)構(gòu)，其中，所述互連結(jié)構(gòu)包括多個(gè)金屬層；將第二器件管芯接合至所述第一器件管芯；形成圍繞所述第二器件管芯的間隙填充區(qū)域；在第一形成工藝中，形成穿透所述半導(dǎo)體襯底的第一硅通孔(tsv)，其中，所述第一硅通孔具有第一寬度；以及在第二形成工藝中，形成穿透所述半導(dǎo)體襯底的第二硅通孔，其中，所述第二硅通孔具有與所述第一寬度不同的第二寬度。

2、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：第一器件管芯，包括：半導(dǎo)體襯底；集成電路器件，位于所述半導(dǎo)體襯底上；互連結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路器件上，其中，所述互連結(jié)構(gòu)包括多個(gè)金屬層；以及第一硅通孔(tsv)和第二硅通孔，其中，所述第一硅通孔和所述第二硅通孔接合在所述多個(gè)金屬層的不同金屬層上；以及第二器件管芯，連接至所述第一器件管芯，其中，所述第一硅通孔和所述第二硅通孔電連接至所述第二器件管芯。

3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：第一器件管芯，包括：半導(dǎo)體襯底；集成電路器件，位于所述半導(dǎo)體襯底上；互連結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路器件上，其中，所述互連結(jié)構(gòu)包括多個(gè)金屬層；第一硅通孔(tsv)，穿透所述半導(dǎo)體襯底，其中，所述第一硅通孔具有第一較寬端和窄于所述第一較寬端的第一較窄端，并且其中，所述第一較寬端位于所述半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上；以及第二硅通孔，具有第二較寬端和窄于所述第二較寬端的第二較窄端，其中，所述第二較寬端位于所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上。

技術(shù)特征：

1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一硅通孔和所述第二硅通孔形成為具有不同的高度和相同的高寬比。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一硅通孔和所述第二硅通孔都使用后硅通孔工藝來(lái)形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一硅通孔在所述第二器件管芯接合至所述第一器件管芯之前形成，并且所述第二硅通孔在所述第二器件管芯接合至所述第一器件管芯之后形成，并且所述第二硅通孔從所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)延伸至所述半導(dǎo)體襯底中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一硅通孔使用中硅通孔工藝來(lái)形成，并且所述第二硅通孔使用后硅通孔工藝來(lái)形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一硅通孔使用先硅通孔工藝來(lái)形成，并且所述第二硅通孔使用后硅通孔工藝來(lái)形成。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

技術(shù)總結(jié)
方法包括：形成第一器件管芯，包括：在半導(dǎo)體襯底上形成集成電路；以及在半導(dǎo)體襯底上形成互連結(jié)構(gòu)。互連結(jié)構(gòu)具有多個(gè)金屬層。方法還包括：將第二器件管芯接合至第一器件管芯；以及形成圍繞第二器件管芯的間隙填充區(qū)域。在第一形成工藝中，形成第一TSV以穿透半導(dǎo)體襯底，其中，第一TSV具有第一寬度。在第二形成工藝中，形成第二TSV以穿透半導(dǎo)體襯底。第二TSV具有與第一寬度不同的第二寬度。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：張智杰,楊芷欣,王茂南,王冠勛,施養(yǎng)鑫,李昀昇,王良瑋,陳殿豪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15