本申請涉及半導(dǎo)體器件及集成電路，尤其涉及一種鈍化層的刻蝕方法。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體集成電路制造業(yè)中，鈍化層(passivation?layer)主要用于在器件之間和布線之間進(jìn)行電氣隔離，以及將器件與周圍環(huán)境隔離，以增強(qiáng)器件對外來污染的阻擋能力，以保護(hù)器件內(nèi)部的互連，防止機(jī)械損傷和化學(xué)損傷。以聚酰亞胺(polyimide)的鈍化層為例，在頂層金屬層上形成聚酰亞胺的鈍化層后，通常使用濕法刻蝕工藝進(jìn)行刻蝕以打開頂層金屬層，進(jìn)而在暴露的頂層金屬層上進(jìn)行化學(xué)電鍍形成表面金屬層。

2、參考圖1，其示出了在頂層金屬層上形成表面金屬層后的剖面示意圖。示例性的，如圖1所示，頂層金屬層110(其可以包括鋁(al)層)上形成有包含聚酰亞胺的鈍化層120，通過濕法刻蝕后目標(biāo)區(qū)域的鈍化層120被去除，從而在該暴露區(qū)域進(jìn)行化學(xué)電鍍形成表面金屬層(其從下而上依次包括鎳(ni)層131、鈀(pd)層132和金(au)層133)，暴露的頂層金屬層110和鈍化層120的邊緣區(qū)域存在聚酰亞胺的殘留(如圖1中虛線所示的區(qū)域)會直接影響表面金屬層的沉積，造成其局部跳鍍(鍍層裂開)，更嚴(yán)重時(shí)，跳鍍區(qū)域的表面金屬層因?yàn)楦街鴱?qiáng)度低，最終造成鍍層的脫落，從而影響產(chǎn)品的可靠性和良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┝艘环N鈍化層的刻蝕方法，可以解決相關(guān)技術(shù)中提供的鈍化層的刻蝕方法由于刻蝕后鈍化層的邊緣形貌較為平緩所導(dǎo)致后續(xù)形成的電鍍層在邊緣區(qū)域容易產(chǎn)生跳鍍和脫落的問題，該方法包括：

2、在金屬層上形成鈍化層，所述金屬層形成于層間介質(zhì)層中，所述層間介質(zhì)層形成于襯底上，所述襯底用于形成半導(dǎo)體器件；

3、在所述鈍化層上覆蓋光阻，依次通過曝光和顯影去除目標(biāo)區(qū)域的光阻，使所述目標(biāo)區(qū)域的鈍化層暴露；

4、進(jìn)行濕法刻蝕，使所述目標(biāo)區(qū)域的鈍化層被減??；

5、進(jìn)行干法刻蝕，直至所述目標(biāo)區(qū)域的金屬層暴露。

6、在一些實(shí)施例中，所述鈍化層包括聚酰亞胺層。

7、在一些實(shí)施例中，所述金屬層包括鋁層。

8、在一些實(shí)施例中，通過濕法刻蝕后，所述鈍化層的厚度為3微米至5微米。

9、在一些實(shí)施例中，所述進(jìn)行干法刻蝕后，還包括：

10、通過化學(xué)電鍍工藝在暴露的金屬層上形成表面金屬層。

11、在一些實(shí)施例中，所述表面金屬層從下而上依次包括鎳層、鈀層和金層。

12、本申請技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點(diǎn)：

13、通過在金屬層上的鈍化層上覆蓋光阻后，依次通過曝光和顯影暴露出目標(biāo)區(qū)域，依次通過濕法刻蝕和干法刻蝕去除目標(biāo)區(qū)域的鈍化層，使目標(biāo)區(qū)域的金屬層暴露，從而使得暴露的金屬層和鈍化層的交接區(qū)域的邊緣的形貌更為陡直，降低了鈍化層的殘留，進(jìn)而避免了后續(xù)的電鍍金屬層的跳鍍和脫落現(xiàn)象，在一定程度上提高了產(chǎn)品的可靠性和良率。

技術(shù)特征：

1.一種鈍化層的刻蝕方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈍化層包括聚酰亞胺層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括鋁層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，通過濕法刻蝕后，所述鈍化層的厚度為3微米至5微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行干法刻蝕后，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述表面金屬層從下而上依次包括鎳層、鈀層和金層。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種鈍化層的刻蝕方法，包括：在金屬層上形成鈍化層，該金屬層形成于層間介質(zhì)層中，該層間介質(zhì)層形成于襯底上，該襯底用于形成半導(dǎo)體器件；在鈍化層上覆蓋光阻，依次通過曝光和顯影去除目標(biāo)區(qū)域的光阻，使目標(biāo)區(qū)域的鈍化層暴露；進(jìn)行濕法刻蝕，使目標(biāo)區(qū)域的鈍化層被減??；進(jìn)行干法刻蝕，直至目標(biāo)區(qū)域的金屬層暴露。本申請通過在金屬層上的鈍化層上覆蓋光阻后，依次通過曝光和顯影暴露出目標(biāo)區(qū)域，依次通過濕法刻蝕和干法刻蝕去除目標(biāo)區(qū)域的鈍化層，使目標(biāo)區(qū)域的金屬層暴露，從而使得暴露的金屬層和鈍化層的交接區(qū)域的邊緣的形貌更為陡直，降低了鈍化層的殘留，進(jìn)而避免了后續(xù)的電鍍金屬層的跳鍍和脫落現(xiàn)象。

技術(shù)研發(fā)人員：陸聰,馮超,朱金妹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15