一種串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種磷光發(fā)光單元的空穴傳 輸層材料采用線性蒸發(fā)源蒸鍍形成濃度梯度連續(xù)結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件包括夾在兩個(gè)發(fā)光單元之間的電荷生成層。該電荷生成層 將電子或者空穴運(yùn)輸?shù)较噜彽陌l(fā)光單元。然而，在該串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件中，電荷生成層 的空穴或者電子可能無法被運(yùn)輸?shù)较噜彽陌l(fā)光單元。在這種情況下，在相鄰的磷光發(fā)光單 元或熒光發(fā)光單元中可能無法進(jìn)行正常的光發(fā)射。為了克服這樣的問題，已經(jīng)采用了一種 與電荷生成層相鄰的、具有雙層結(jié)構(gòu)（包括激子或者電子阻隔層）空穴傳輸層。然而，這種 雙層結(jié)構(gòu)增大了接觸面，使制造過程復(fù)雜并且增大了空穴運(yùn)輸?shù)恼系K。
[0003] CN103367646A公開了一種串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件，其通過調(diào)整與由p型電荷生成 層和η型電荷生成層構(gòu)成的電荷生成層相鄰的空穴傳輸層的特性而具有高效率和長(zhǎng)壽命， 所述Ρ型電荷生成層僅僅由有機(jī)材料形成，并且所述Ρ型電荷生成層中包含的至少一種有 機(jī)材料具有-6.OeV至-4. 5eV的LUM0能級(jí)。此結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層為30~70nm的單一有 機(jī)材料，對(duì)空穴傳輸層的材料要求較高，且需要將P型材料摻雜到該空穴傳輸層HTL中才能 起到良好的電荷生成效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有技術(shù)中電壓高且制備困難的問題，進(jìn) 而提供一種串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件，由于第一空穴傳輸層采用線性蒸發(fā)源蒸鍍形成濃度梯 度連續(xù)結(jié)構(gòu)，減少蒸鍍腔室蒸發(fā)源數(shù)量，使空穴注入勢(shì)皇大大降低，從而可以顯著降低器件 的電壓，提高效率。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0006] -種串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件，包括基板，以及堆疊設(shè)置的第一電極層、若干藍(lán)光焚 光發(fā)光單元、若干電荷產(chǎn)生層、若干發(fā)光波長(zhǎng)大于500nm的磷光發(fā)光單元和第二電極層，相 鄰的藍(lán)光熒光發(fā)光單元和磷光發(fā)光單元之間設(shè)置有η型材料構(gòu)成的η型電荷生成層；
[0007] 所述的磷光發(fā)光單元包括第一空穴傳輸層、磷光發(fā)光層和第一電子傳輸層；所述 的第一空穴傳輸層包括第一空穴材料層，由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料構(gòu)成的 過渡層和第二空穴材料層；所述第一空穴材料層與所述η型電荷生成層接觸；
[0008] 所述的過渡層中所述的第二空穴傳輸材料的摻雜濃度沿遠(yuǎn)離所述第一空穴材料 層的方向逐漸升高；
[0009] 所述第一空穴傳輸材料HTL1的HOMO能級(jí)與η型材料的LUM0相差在0. 3eV以內(nèi)， 即HTLlH0MCI_NLUMCI^i0· 3eV;
[0010] 所述第二空穴傳輸材料HTL2的三線態(tài)能級(jí)T1大于2. 5eV，HOMO與磷光發(fā)光層的 主體材料的Η0Μ0能級(jí)差小于0. 3eV，即HTL2_-H0ST_< 0. 3eV。
[0011] 在所述過渡層中，沿遠(yuǎn)離所述第一空穴材料層的方向，所述第二空穴傳輸材料的 分布濃度由〇 %逐漸升高至100%。
[0012] 所述的第一空穴傳輸材料為HOMO低于4.OeV的芳胺類空穴傳輸材料，第二空穴傳 輸材料為三苯胺類衍生物或TADF材料。
[0013] 所述芳胺類空穴傳輸材料為NPB、B-NPB、TPD、BPD中的一種或其中幾種的混合物； 所述的三苯胺類衍生物為TCTA;所述的TADF為PICTRZ。
[0014] 所述η型材料為電子親和勢(shì)EA滿足4.OeV<EA<6. 5eV的有機(jī)材料。
[0015] 所述η型材料選自HAT-CN、PTCBI和PTCDA中的一種或任意組合。
[0016] 所述的藍(lán)光熒光發(fā)光單元為1-5層，和所述磷光發(fā)光單元為1-5層。
[0017] 所述過渡層是由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料線性蒸發(fā)源蒸鍍制備而 成，其中蒸鍍過程中第一空穴傳輸材料所占比例由100%逐漸將至〇%，所述第二空穴傳輸 材料所占比例由〇 %逐漸將至1〇〇 %。
[0018] 所述的第一空穴材料層的厚度5-20nm，過渡層厚度為20~50nm，第二空穴材料層 的厚度為5-20nm。
[0019] 本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0020] 本發(fā)明的藍(lán)光熒光發(fā)光單元和磷光發(fā)光單元之間設(shè)置有η型電荷生成層；所述磷 光發(fā)光單元的空穴傳輸層包括第一空穴材料層，由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料 構(gòu)成的過渡層和第二空穴材料層；所述的第一空穴材料層和η型電荷生成層共同構(gòu)成電荷 生成層，其中所述的第一空穴材料層兼做電荷生成層的Ρ型電荷生成層。所述第一空穴傳 輸材料HTL1的HOMO能級(jí)與η型材料的LUM0相差在0· 3eV以內(nèi)，即HTL1h_-N_< 0· 3eV， 所述第二空穴傳輸材料HTL2的三線態(tài)能級(jí)T1大于2. 5eV，HOMO與磷光發(fā)光層的主體材料 的Η0Μ0能級(jí)差小于0· 3eV，即ΗΤΙΛΜ(]-Η03ΤΗυΜ。彡0· 3eV。制備時(shí)采用線源蒸鍍，形成濃度 梯度連續(xù)的摻雜空穴傳輸層HTL，可以減少蒸鍍腔室蒸發(fā)源數(shù)量，降低設(shè)備成本。采用梯度 變化的HTL結(jié)構(gòu)，使空穴注入勢(shì)皇大大降低，從而可以顯著降低器件的電壓，提高效率。
【附圖說明】
[0021] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合 附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0022] 圖1為本發(fā)明的串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖2為串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件的能級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖3為第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料摻雜濃度示意圖；
[0025]圖4為串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件的第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖5為串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件的壽命曲線；
[0027] 圖6為第一空穴傳輸層的制備過程示意圖。
[0028] 其中：1_第一電極層，2-第二空穴傳輸層，3-藍(lán)光熒光發(fā)光層，4-第二電子傳輸 層，5-n型電荷生成層，6-第一空穴傳輸層，61-第一空穴材料層，62-過渡層，63-第二空穴 材料層，7-磷光發(fā)光層，8-第一電子傳輸層，9-第二電極層，10-空穴注入層。
【具體實(shí)施方式】
[0029] 本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。 相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給 本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會(huì)夸大層和區(qū) 域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作"形成在"或"設(shè)置 在"另一元件"上"時(shí)，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。 相反，當(dāng)元件被稱作"直接形成在"或"直接設(shè)置在"另一元件上時(shí)，不存在中間元件。
[0030] 實(shí)施例1
[0031] 如圖1所示，本發(fā)明的一種串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件，包括基板，以，以及堆疊設(shè)置 第一電極層1、若干藍(lán)光焚光發(fā)光單元、若干電荷生成層、若干發(fā)光波長(zhǎng)大于500nm的磷光 發(fā)光單元和第二電極層9 ;圖1所示的串聯(lián)白色有機(jī)發(fā)光器件的藍(lán)光熒光發(fā)光單元和磷光 發(fā)光單元分別為1層。
[0032] 相鄰的藍(lán)光熒光發(fā)光單元和磷光發(fā)光單元之間設(shè)置有η型材料構(gòu)成的η型電荷生 成層5 ;所述的磷光發(fā)光層可以為紅光染料和綠光染料共摻的磷光發(fā)光層或黃光磷光發(fā)光 層。
[0033] 所述的磷光發(fā)光單元包括第一空穴傳輸層6、磷光發(fā)光層7和第一電子傳輸層8 ; 所述的第一空穴傳輸層6包括第一空穴材料層61，由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材 料構(gòu)成的過渡層62和第二空穴材料層63 ;所述第一空穴材料層61與所述η型電荷生成層 5接觸；所述的第一空穴材料層61和η型電荷生成層5共同構(gòu)成電荷生成層，其中所述的 第一空穴材料層61兼做電荷生成層的ρ型電荷生成層。
[0034] 所述的過渡層中所述的第二空穴傳輸材料的摻雜濃度沿遠(yuǎn)離所述第一空穴材料 層61的方向逐漸升高；
[0035] 所述第一空穴傳輸材料HTL1的HOMO能級(jí)與η型材料的LUM0相差在0