一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層鈣鈦礦光太陽(yáng)電池及其制備方法，由導(dǎo)電襯底、電子傳輸層、光吸收層、空穴傳輸層和金屬電極依次疊加構(gòu)成，導(dǎo)電襯底為FTO導(dǎo)電玻璃，電子傳輸層為二氧化鈦薄膜，厚度為10?300nm，光吸收層為鈣鈦礦薄膜，厚度為100?600nm，空穴傳輸層為二維納米金屬氧化物薄膜，厚度為1?1000nm,金屬電極厚度為50?300nm。本發(fā)明采用來(lái)源廣泛、能級(jí)匹配、厚度合適的納米金屬氧化物空穴傳輸層代替大量使用的有機(jī)小分子空穴傳輸層材料spiro?OMeTAD，可以降低電池制備成本，提高電池效率的穩(wěn)定性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于太陽(yáng)電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種采用納米金屬氧化物作為空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池及其制備方法。【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)電池是光伏發(fā)電的核心單元，除了目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的晶體硅(包括多晶硅與單晶硅)太陽(yáng)電池與硅基、銅銦鎵硒(CIGS)與碲化鎘(CdTe)等薄膜太陽(yáng)電池外，各類(lèi)新型太陽(yáng)電池近年來(lái)發(fā)展迅速，主要包括染料敏化、有機(jī)聚合物、鈣鈦礦、銅鋅錫硫 (CZTS)與量子點(diǎn)等，均屬于薄膜類(lèi)型。由于新型薄膜太陽(yáng)電池存在效率較低或穩(wěn)定性較差等問(wèn)題，尚處于實(shí)驗(yàn)室研究和驗(yàn)證階段。
[0003]新型太陽(yáng)電池的特點(diǎn)是原材料易得，成本低廉，工藝靈活，作為電池核心的光吸收層薄膜既可以通過(guò)真空氣相沉積工藝，例如熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、磁控濺射與化學(xué)氣相沉積等，也可以通過(guò)多種非真空工藝制備，例如旋涂、噴涂與印刷等。與商業(yè)化薄膜太陽(yáng)電池類(lèi)似，新型薄膜太陽(yáng)電池也可以制備在玻璃襯底或柔性PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)上。新型薄膜太陽(yáng)電池同樣具有廣闊的市場(chǎng)前景，例如玻璃襯底的新型薄膜太陽(yáng)電池可以用于光伏建筑一體化(BIPV)及住宅窗戶(hù)發(fā)電，柔性襯底的新型薄膜太陽(yáng)電池可以作為各類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品的補(bǔ)充電源以及各類(lèi)移動(dòng)能源產(chǎn)品等。
[0004]新型薄膜太陽(yáng)電池中具有代表性的是鈣鈦礦薄膜太陽(yáng)電池。自2009年制備出第一塊電池，到現(xiàn)在鈣鈦礦電池的最高效率已經(jīng)達(dá)到21%，不僅超過(guò)了其他各類(lèi)新型太陽(yáng)電池， 而且超過(guò)了硅基三結(jié)電池甚至多晶硅電池的實(shí)驗(yàn)室效率記錄。鈣鈦礦太陽(yáng)電池以一種有機(jī)無(wú)機(jī)鉛鹵化物材料作為光吸收層，具有代表性的是甲胺鉛鹵(CH3NH3PbX3，X= I，Br，C1)，該類(lèi)材料具有晶格對(duì)稱(chēng)性高、光吸收率高、可以同時(shí)傳輸電子與空穴、載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度大以及可采用低溫非真空法制備等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此鈣鈦礦電池被認(rèn)為極具產(chǎn)業(yè)化前景。但是由于鈣鈦礦電池的光吸收層遇到水汽易于分解，由此造成了電池效率衰減與穩(wěn)定性較差的問(wèn)題。
[0005]鈣鈦礦電池的典型結(jié)構(gòu)為襯底/透明導(dǎo)電電極/電子傳輸層(ETL)/鈣鈦礦層/空穴傳輸層(HTL) /金屬電極。其中HTL負(fù)責(zé)空穴的抽取與輸運(yùn)，HTL材料的種類(lèi)與性質(zhì)是影響電池效率的重要因素。具有價(jià)帶能級(jí)匹配、尚空穴遷移率、尚穩(wěn)定性的HTL材料可以有效的提升電池效率與穩(wěn)定性。
[0006]目前成功運(yùn)用與鈣鈦礦電池上的HTL材料包括8?化〇-01^了40，？了44(?〇17-triarylamine)，硫氰酸亞銅(CuSCN)，碘化銅(Cul)或氧化銅(CuOx)，聚三己基噻吩(P3HT) 等。其中spiro-OMeTAD是最常應(yīng)用的空穴傳輸材料，因?yàn)槠鋬r(jià)帶能級(jí)與鈣鈦礦可以實(shí)現(xiàn)較好匹配可以獲得非常高的電池效率，但其本身的空穴迀移率較低，會(huì)增加器件的串聯(lián)電阻， 為了解決這個(gè)問(wèn)題，需要采用雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰(LiTFSI)對(duì)其進(jìn)行摻雜。雖然摻雜提高了效率，但LiTFSI具有較強(qiáng)的吸濕作用，接觸空氣時(shí)所吸附的水分極易造成鈣鈦礦光吸收層的分解，導(dǎo)致器件效率迅速衰退。另外，spiro-OMeTAD的價(jià)格昂貴，增加了工藝成本，限制了鈣鈦礦電池的大面積化與規(guī)?；苽洹Ｒ虼?，開(kāi)發(fā)來(lái)源廣泛、成本低廉、不需摻雜、無(wú)吸水效應(yīng)且可以溶液法制備的HTL材料是鈣鈦礦電池研究的重要內(nèi)容。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是提供一種納米氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池及其制備方法，采用無(wú)機(jī)金屬氧化物作為空穴傳輸層，在降低成本的同時(shí)簡(jiǎn)化了器件的制備工藝，在一定程度上提高了器件的穩(wěn)定性，在鈣鈦礦太陽(yáng)電池具有重要的實(shí)際應(yīng)用前景。
[0008]本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0009]—種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池，包括:襯底，在襯底上依次設(shè)置有電子傳輸層、鈣鈦礦光吸收層、空穴傳輸層和金屬電極，其中，所述空穴傳輸層為無(wú)機(jī)金屬氧化物空穴傳輸層。
[0010]進(jìn)一步，所述襯底為透明導(dǎo)電襯底，所述空穴傳輸層為二維納米金屬氧化物薄膜。
[0011]進(jìn)一步，所述無(wú)機(jī)金屬氧化物空穴傳輸層為厚度為l-1000nm的氧化鎳、氧化鉬、氧化鉻或氧化釕薄膜。
[0012]進(jìn)一步，所述電子傳輸層為二氧化鈦薄膜、三氧化二鋁薄膜、氧化鋯薄膜或氧化鋅薄膜，厚度10-300nm，鈣鈦礦光吸收層薄膜為甲基氨基鉛碘化合物薄膜，厚度為100-600nm， 金屬電極為金、銀或鋁電極，金屬電極的厚度為50_300nm。
[0013]—種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池的制備方法，采用化學(xué)溶液旋涂法或磁控濺射法在襯底上制備電子傳輸層;采用化學(xué)溶液旋涂法或雙源共蒸發(fā)法在電子傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層;采用溶液旋涂法或磁控濺射法在鈣鈦礦光吸收層上制備納米金屬氧化物空穴傳輸層;采用熱蒸發(fā)法或磁控濺射法在納米金屬氧化物空穴傳輸層上制備金屬電極。
[0014]進(jìn)一步，采用化學(xué)溶液旋涂法在電子傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層時(shí)，其前驅(qū)體采用碘化鉛或氯化鉛或溴化鉛或甲脒碘或甲脒溴的二甲基甲酰胺溶液與甲基氨基碘的異丙醇溶液;采用雙源共蒸發(fā)法在電子傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層時(shí)，采用的蒸發(fā)源為甲基氨基碘粉末與碘化鉛或氯化鉛或溴化鉛或甲脒碘或甲脒溴。
[0015]進(jìn)一步，當(dāng)采用化學(xué)溶液旋涂法時(shí)，第一步旋涂Pbl2的DMF溶液，在70-150°C下熱處理至少5min，第二步旋涂CH3NH3I的IPA溶液，在70-200°C下熱處理至少5min;當(dāng)采用雙源共蒸發(fā)法時(shí)，Pbl2與CH3NH3I粉末的質(zhì)量比為1:1-1: 3。
[0016]進(jìn)一步，采用溶液旋涂法制備納米金屬氧化物空穴傳輸層時(shí)，溶液為Ni02的乙二醇溶液、Mo〇3的甲醇溶液、Cr2〇3的鄰二氯苯溶液或Ru02的異丙醇溶液;采用磁控濺射法制備納米金屬氧化物空穴傳輸層時(shí)，所用靶材為:Ni02、Mo03、Cr2〇3或Ru02。
[0017]進(jìn)一步，當(dāng)采用溶液旋涂法時(shí)，旋涂溶液在70-200°C下熱處理至少5min。
[0018]進(jìn)一步，采用氧氣輝光放電處理透明導(dǎo)電襯底，用以提高透明導(dǎo)電襯底的潔凈度與浸潤(rùn)性。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果表現(xiàn)在:
[0020]由于平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)電池中通常使用的空穴傳輸層(HTL)為spiro-OMeTAD，該材料價(jià)格昂貴、摻雜后的吸濕效果會(huì)造成鈣鈦礦光吸收層的分解及太陽(yáng)電池效率的衰減，本發(fā)明以無(wú)機(jī)金屬氧化物代替有機(jī)空穴傳輸層，降低鈣鈦礦太陽(yáng)電池制備成本， 提高電池穩(wěn)定性，同時(shí)簡(jiǎn)化電池工藝流程?！靖綀D說(shuō)明】
[0021]圖1為一種納米金屬氧化物空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]其中，1、導(dǎo)電襯底2、電子傳輸層3、光吸收層4、空穴傳輸層5、金屬電極?！揪唧w實(shí)施方式】
[0023]結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明:
[0024]本發(fā)明提供的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)電池，其結(jié)構(gòu)包括:在收集電子的透明導(dǎo)電襯底1上依次是電子傳輸層2、鈣鈦礦光吸收層3、納米金屬氧化物空穴傳輸層4和收集空穴的金屬電極5。其中，納米金屬氧化物空穴傳輸層4是二維納米薄膜結(jié)構(gòu)，該二維納米薄膜結(jié)構(gòu)是厚度為l-l〇〇〇nm的Ni〇2、Mo〇3、Cr2〇3或Ru〇2等。該納米金屬氧化物在合適的薄膜厚度下可以與鈣鈦礦光吸收層3形成異質(zhì)結(jié)，實(shí)現(xiàn)空穴的提取與輸運(yùn)。
[0025]納米金屬氧化物薄膜的制備方法可以采用溶液旋涂法制備，也可以采用真空磁控濺射法制備，從工藝上分別與兩步溶液法與雙源共蒸發(fā)法制備鈣鈦礦光吸收層薄膜相兼容，因此將納米金屬氧化物薄膜作為空穴傳輸層4時(shí)，在工藝制備上簡(jiǎn)化了器件的制備流程、降低成本，且在一定程度上提高了器件的穩(wěn)定性。
[0026]該納米金屬氧化物空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)電池的制備方法如下:[〇〇27]步驟1:采用氧氣輝光放電處理透明導(dǎo)電玻璃襯底1，用以提高透明導(dǎo)電襯底1的潔凈度與浸潤(rùn)性，處理時(shí)間為30-300S。
[0028]步驟2:采用化學(xué)溶液旋涂法或磁控濺射法制備電子傳輸層2于透明導(dǎo)電襯底1之上。電子傳輸層2采用致密的二氧化鈦(Ti02)、三氧化二鋁、氧化鋯或氧化鋅薄膜，厚度為 10-300nm。當(dāng)采用化學(xué)溶液旋涂法時(shí)，旋涂液為乙酰丙酮鈦，在400-550°C下熱處理至少 10min〇
[0029]步驟3:采用化學(xué)溶液旋涂法或雙源共蒸發(fā)法制備鈣鈦礦光吸收層3于電子傳輸層 2之上，其中，化學(xué)溶液旋涂法的前驅(qū)體采用碘化鉛(Pbl2)的二甲基甲酰胺(DMF)溶液與甲基氨基碘(CH3NH3I)的異丙醇(IPA)溶液，雙源共蒸發(fā)法采用的蒸發(fā)源為碘化鉛(Pbl2)與甲基氨基碘(CH3NH3I)粉末。鈣鈦礦光吸收層薄膜厚度為100-600nm。其中，前驅(qū)體的溶液還可以是:？13(:12、？匕8〇、11(:(順2)21、11(:(順2):^;所述的蒸發(fā)源還可以是:？13(:12、？匕8〇、11(:(順2) 21、HC(NH2)2Br等。當(dāng)采用化學(xué)溶液旋涂法時(shí)，第一步旋涂Pbl2的DMF溶液，在70-150 °C下熱處理至少5min，第二步旋涂CH3NH3I的IPA溶液，在70-200°C下熱處理至少5min;當(dāng)采用雙源共蒸發(fā)法時(shí)，Pbl2與CH3NH3I粉末的質(zhì)量比為1:1-1: 3。
[0030]步驟4:采用溶液旋涂法或磁控濺射法制備納米金屬氧化物空穴傳輸層4于鈣鈦礦光吸收層3之上，其中溶液旋涂法采用的溶液為Ni02的乙二醇溶液、Mo03的甲醇溶液、Cr2〇3 的鄰二氯苯溶液或Ru02的異丙醇溶液，磁控濺射法采用的是Ni02、Mo03、Cr2〇3或Ru02的靶材。 空穴傳輸層4薄膜厚度為10_300nm。當(dāng)采用溶液旋涂法時(shí)，旋涂溶液在70-200 °C下熱處理至少5min;
[0031]步驟5:采用熱蒸發(fā)法或磁控濺射法制備金屬電極5于納米金屬氧化物空穴傳輸層4之上，熱蒸發(fā)采用Au、Ag或A1顆粒，磁控派射采用Au、Ag或A1的祀材。金屬電極5厚度為50-300nm。實(shí)施例1:[〇〇32] 步驟1:采用氧氣輝光放電處理FT0透明導(dǎo)電玻璃襯底，處理時(shí)間為120s。[〇〇33]步驟2:在透明導(dǎo)電襯底上采用溶液旋涂法制備致密二氧化鈦薄膜作為電子傳輸層。旋涂液為乙酰丙酮鈦，550°C下熱處理30min。薄膜厚度為200nm。
[0034]步驟3:在電子傳輸層上采用兩步化學(xué)溶液旋涂法制備鈣鈦礦光吸收層，第一步旋涂Pbl2的DMF溶液，150 °C熱處理15min，第二步旋涂CH3NH3I的IPA溶液，200 °C熱處理15min， 反應(yīng)形成的鈣鈦礦光吸收層厚度為400nm。[〇〇35]步驟4:采用化學(xué)溶液旋涂法制備空穴傳輸層，旋涂溶液為Ni02的乙二醇溶液、Mo03 的甲醇溶液、Cr2〇3的鄰二氯苯溶液或Ru02的異丙醇溶液，200°C熱處理15min，空穴傳輸層厚度為 lOOOnm。[OO36]步驟5:采用熱蒸發(fā)法制備金屬電極，蒸發(fā)源為Au，電極厚度為100nm，即得到一種納米金屬氧化物空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)電池。[〇〇37] 實(shí)施例2:[〇〇38] 步驟1:采用氧氣輝光放電處理FT0透明導(dǎo)電玻璃襯底，處理時(shí)間為300s。
[0039]步驟2:在透明導(dǎo)電襯底上采用磁控濺射法制備致密二氧化鈦薄膜作為電子傳輸層，革G材為T(mén)i〇2。薄膜厚度為10nm。
[0040]步驟3:在電子傳輸層上采用雙源共蒸發(fā)法制備鈣鈦礦光吸收層，蒸發(fā)源為Pbl2與 CH3NH3I粉末，質(zhì)量比為1:3。反應(yīng)形成的鈣鈦礦光吸收層厚度為600nm。[〇〇411步驟4:采用磁控濺射法制備空穴傳輸層，派射靶材為Ni02、Mo03、Cr2〇3或Ru02，空穴傳輸層厚度為100nm〇[〇〇42]步驟5:采用熱蒸發(fā)法制備金屬電極，蒸發(fā)源為Au，電極厚度為200nm，即得到一種納米金屬氧化物空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)電池。[〇〇43] 實(shí)施例3:[〇〇44] 步驟1:采用氧氣輝光放電處理FT0透明導(dǎo)電玻璃襯底，處理時(shí)間為120s。
[0045]步驟2:在透明導(dǎo)電襯底上采用溶液旋涂法制備致密二氧化鈦薄膜作為電子傳輸層。旋涂液為乙酰丙酮鈦，400°C下熱處理至少10min。薄膜厚度為300nm。
[0046]步驟3:在電子傳輸層上采用兩步化學(xué)溶液旋涂法制備鈣鈦礦光吸收層，第一步旋涂Pbl2的DMF溶液，70 °C熱處理5min，第二步旋涂CH3NH3I的IPA溶液，70 °C熱處理5min，反應(yīng)形成的1丐鈦礦光吸收層厚度為100nm〇[〇〇47]步驟4:采用磁控濺射法制備空穴傳輸層，派射靶材為Ni02、Mo03、Cr2〇3或Ru02，空穴傳輸層厚度為300nm〇[〇〇48]步驟5:采用熱蒸發(fā)法制備金屬電極，蒸發(fā)源為Au，電極厚度為300nm，即得到一種納米金屬氧化物空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)電池。
[0049]實(shí)施例4:
[0050] 步驟1:采用氧氣輝光放電處理FT0透明導(dǎo)電玻璃襯底，處理時(shí)間為30s。[〇〇51]步驟2:在透明導(dǎo)電襯底上采用磁控濺射法制備致密二氧化鈦薄膜作為電子傳輸層，采用Ti02靶材。薄膜厚度為200nm。[〇〇52]步驟3:在電子傳輸層上采用雙源共蒸發(fā)法制備鈣鈦礦光吸收層，蒸發(fā)源為Pbl2與CH3NH3I粉末，質(zhì)量比為1:1，保證CH3NH3I過(guò)量，反應(yīng)形成的鈣鈦礦光吸收層厚度為300nm。 [〇〇53]步驟4:采用化學(xué)溶液旋涂法制備空穴傳輸層，旋涂溶液為Ni02的乙二醇溶液、Mo03 的甲醇溶液、Cr2〇3的鄰二氯苯溶液或Ru02的異丙醇溶液，70°C熱處理5min，空穴傳輸層厚度為 lnm〇[OO54]步驟5:采用熱蒸發(fā)法制備金屬電極，蒸發(fā)源為Au，電極厚度為50nm，即得到一種納米金屬氧化物空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)電池。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池，其特征在于:包括:襯底(1)，在 襯底上依次設(shè)置有電子傳輸層(2)、鈣鈦礦光吸收層(3)、空穴傳輸層(4)和金屬電極(5)，其 中，所述空穴傳輸層為無(wú)機(jī)金屬氧化物空穴傳輸層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池，其特征 在于:所述襯底(1)為透明導(dǎo)電襯底，所述空穴傳輸層(4)為二維納米金屬氧化物薄膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池，其特征 在于:所述無(wú)機(jī)金屬氧化物空穴傳輸層為厚度為l-l〇〇〇nm的氧化鎳、氧化鉬、氧化鉻或氧化 釕薄膜。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng) 電池，其特征在于:所述電子傳輸層為二氧化鈦薄膜、三氧化二鋁薄膜、氧化鋯薄膜或氧化 鋅薄膜，厚度10-300nm，鈣鈦礦光吸收層薄膜為甲基氨基鉛碘化合物薄膜，厚度為100-600nm，金屬電極為金、銀或錯(cuò)電極，金屬電極的厚度為50-300nm〇5.—種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于:采用 化學(xué)溶液旋涂法或磁控濺射法在襯底上制備電子傳輸層;采用化學(xué)溶液旋涂法或雙源共蒸 發(fā)法在電子傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層;采用溶液旋涂法或磁控濺射法在鈣鈦礦光吸收 層上制備納米金屬氧化物空穴傳輸層;采用熱蒸發(fā)法或磁控濺射法在納米金屬氧化物空穴 傳輸層上制備金屬電極。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池的制備方 法，其特征在于:采用化學(xué)溶液旋涂法在電子傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層時(shí)，其前驅(qū)體采 用碘化鉛或氯化鉛或溴化鉛或甲脒碘或甲脒溴的二甲基甲酰胺溶液與甲基氨基碘的異丙 醇溶液;采用雙源共蒸發(fā)法在電子傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層時(shí)，采用的蒸發(fā)源為甲基 氨基碘粉末與碘化鉛或氯化鉛或溴化鉛或甲脒碘或甲脒溴。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池的制備方 法，其特征在于:當(dāng)采用化學(xué)溶液旋涂法時(shí)，第一步旋涂Pbl2的DMF溶液，在70-150 °C下熱處 理至少5min，第二步旋涂CH3NH3I的IPA溶液，在70-200°C下熱處理至少5min;當(dāng)采用雙源共 蒸發(fā)法時(shí)，Pbl2與CH3NH3I粉末的質(zhì)量比為1:1-1: 3。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池的制備方 法，其特征在于:采用溶液旋涂法制備納米金屬氧化物空穴傳輸層時(shí)，溶液為Ni02的乙二醇 溶液、Mo03的甲醇溶液、Cr2〇3的鄰二氯苯溶液或Ru〇2的異丙醇溶液;采用磁控濺射法制備納 米金屬氧化物空穴傳輸層時(shí)，所用靶材為:Ni02、Mo03、Cr2〇3或Ru02。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池的制備方 法，其特征在于:當(dāng)采用溶液旋涂法時(shí)，旋涂溶液在70-200°C下熱處理至少5min。10.根據(jù)權(quán)利要求5至9中任一項(xiàng)所述的一種納米金屬氧化物空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng) 電池的制備方法，其特征在于:采用氧氣輝光放電處理透明導(dǎo)電襯底，用以提高透明導(dǎo)電襯 底的潔凈度與浸潤(rùn)性。
【文檔編號(hào)】B82Y30/00GK105977386SQ201610517248
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年7月4日
【發(fā)明人】朱小寧, 黃林泉, 常遠(yuǎn)程, 魏葳, 田占元, 鄧增社
【申請(qǐng)人】陜西煤業(yè)化工技術(shù)研究院有限責(zé)任公司