傳感器及電子設(shè)備的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種傳感器及電子設(shè)備，該傳感器包括：襯底基板；薄膜晶體管，設(shè)置在所述襯底基板上，所述薄膜晶體管包括源極；第一絕緣層，設(shè)置在所述薄膜晶體管上，所述第一絕緣層中設(shè)置有貫穿所述第一絕緣層的第一過(guò)孔；導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第一過(guò)孔中和部分所述第一絕緣層上并通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述源極電連接；偏壓電極，設(shè)置于所述第一絕緣層上且與所述導(dǎo)電層分離；傳感有源層，分別與所述導(dǎo)電層和所述偏壓電極連接；以及輔助導(dǎo)電層，設(shè)置于所述導(dǎo)電層上。該傳感器在不增加工序的情況下，在導(dǎo)電層上設(shè)置輔助導(dǎo)電層，提高了導(dǎo)通能力，保證信號(hào)的正常傳輸。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
傳感器及電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本公開(kāi)的實(shí)施例涉及一種傳感器及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]光電傳感器具有精度高、反應(yīng)快、非接觸、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，其在檢測(cè)和控制中應(yīng)用非常廣泛。例如，光電傳感器可應(yīng)用于煙塵監(jiān)測(cè)儀、條形碼掃描槍、產(chǎn)品計(jì)數(shù)器、光電式煙霧報(bào)警器等方面。
[0003]光電傳感器包括薄膜晶體管和光電二極管，光電二極管接收光并將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，通過(guò)薄膜晶體管控制電信號(hào)的讀取。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種傳感器，包括:襯底基板;薄膜晶體管，設(shè)置在所述襯底基板上，所述薄膜晶體管包括源極;第一絕緣層，設(shè)置在所述薄膜晶體管上，所述第一絕緣層中設(shè)置有貫穿所述第一絕緣層的第一過(guò)孔;導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第一過(guò)孔中和部分所述第一絕緣層上并通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述源極電連接;偏壓電極，設(shè)置于所述第一絕緣層上且與所述導(dǎo)電層分離;傳感有源層，分別與所述導(dǎo)電層和所述偏壓電極連接；以及輔助導(dǎo)電層，設(shè)置于所述導(dǎo)電層上。
[0005]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述輔助導(dǎo)電層與所述傳感有源層相分離。
[0006]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述輔助導(dǎo)電層為金屬氧化物導(dǎo)電層。
[0007]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述輔助導(dǎo)電層為氧化銦錫(ITO)層或氧化銦鋅(IZO)層。
[0008]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述輔助導(dǎo)電層與所述導(dǎo)電層直接接觸。
[0009]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述傳感有源層上設(shè)置有第二絕緣層。
[0010]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述導(dǎo)電層為金屬導(dǎo)電層。
[0011]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述導(dǎo)電層的厚度為10納米到100納米。
[0012]例如，本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器，還包括鈍化層，所述鈍化層中設(shè)置有第二過(guò)孔，其中，在垂直于所述襯底基板的方向上，所述鈍化層設(shè)置于所述源極與所述第一絕緣層之間，所述第二過(guò)孔貫穿所述鈍化層并與所述第一過(guò)孔連通，所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔與所述源極電連接。
[0013]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述第二過(guò)孔的最大孔徑小于所述第一過(guò)孔的最小孔徑。
[0014]例如，本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器，還包括屏蔽金屬層，所述屏蔽金屬層中設(shè)置有第三過(guò)孔，其中，所述屏蔽金屬層設(shè)置于所述鈍化層和所述第一絕緣層之間，所述第三過(guò)孔貫穿所述屏蔽金屬層并與所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔連通，所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔、所述第二過(guò)孔和所述第三過(guò)孔與所述源極電連接。
[0015]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述屏蔽金屬層在所述襯底基板上的投影與所述薄膜晶體管的有源層在所述襯底基板上的投影至少部分交疊。
[0016]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述第三過(guò)孔的最大孔徑小于所述第一過(guò)孔的最小孔徑，所述第三過(guò)孔的最小孔徑大于所述第二過(guò)孔的最大孔徑。
[0017]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述導(dǎo)電層至少設(shè)置在第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和第三過(guò)孔的側(cè)壁上，所述導(dǎo)電層的至少位于所述側(cè)壁的部分被所述輔助導(dǎo)電層完全覆至
ΠΠ O
[0018]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器中，所述第一絕緣層的厚度為I微米到4微米。
[0019]本公開(kāi)的實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，包括本公開(kāi)實(shí)施例任一項(xiàng)所述的傳感器。
[0020]本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器，在不增加工序的情況下，在較薄的導(dǎo)電層上設(shè)置輔助導(dǎo)電層，提高了導(dǎo)通能力，保證信號(hào)的正常傳輸。
【附圖說(shuō)明】
[0021]為了更清楚地說(shuō)明本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開(kāi)的一些實(shí)施例，而非對(duì)本公開(kāi)的限制。
[0022]圖1為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種傳感器的截面圖；
[0023]圖2為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種傳感器中部分結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0024]圖3為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種傳感器的制造方法的流程圖；以及
[0025]圖4A-4L為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種傳感器的制造方法的示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記
[0027]100-傳感器；101-襯底基板；102-薄膜晶體管；1021-柵極；1022-柵絕緣層；1023-有源層；1024-漏極；1025-源極；1031-導(dǎo)電層；1032-偏壓電極；1033-傳感有源層；1034-輔助導(dǎo)電層；1035-間隔絕緣層；1036-第二絕緣層；104-鈍化層；105-屏蔽金屬層；106-第一絕緣層；1071-第一過(guò)孔；1072-第二過(guò)孔；1073-第三過(guò)孔;L1-第一過(guò)孔的最小孔徑;L2-第二過(guò)孔的最大孔徑;L3-第三過(guò)孔的最大孔徑;L4-第三過(guò)孔的最小孔徑;Fl-第一臺(tái)階;F2-第二臺(tái)階。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本公開(kāi)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開(kāi)實(shí)施例的附圖，對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公開(kāi)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋竟_(kāi)的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開(kāi)保護(hù)的范圍。
[0029]除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本公開(kāi)所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā钡阮?lèi)似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”等類(lèi)似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。
[0030]在相關(guān)技術(shù)中，傳感器為了獲得更好的信噪比，通常設(shè)置有較厚的絕緣層，而傳輸信號(hào)的導(dǎo)電層為了減少可能漏電的面積、減少漏電流、降低雜訊，其厚度通常較薄。絕緣層在烘烤成型時(shí)因材料收縮，其側(cè)壁的坡度變大，設(shè)置在絕緣層側(cè)壁上的導(dǎo)電層容易因?yàn)槠露容^大而斷裂，產(chǎn)生導(dǎo)通不良的問(wèn)題。
[0031]本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器及其制造方法，在不增加工序的情況下，在較薄的導(dǎo)電層上設(shè)置輔助導(dǎo)電層，提高了導(dǎo)通能力，保證信號(hào)的正常傳輸。
[0032]圖1為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種傳感器的截面圖，如圖1所示，本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種傳感器100，包括:襯底基板101;薄膜晶體管102，設(shè)置在襯底基板101上，薄膜晶體管102包括源極1025、漏極1024、有源層1023、柵極1021和柵絕緣層1022;第一絕緣層106，設(shè)置在薄膜晶體管102上，第一絕緣層106中設(shè)置有貫穿第一絕緣層106的第一過(guò)孔1071;偏壓電極1032，設(shè)置于第一絕緣層106上且與導(dǎo)電層1031分離；傳感有源層1033，分別與導(dǎo)電層1031和偏壓電極1032連接；以及輔助導(dǎo)電層1034，設(shè)置于導(dǎo)電層1031上。
[0033]例如，傳感器100還可以包括鈍化層104，鈍化層104中設(shè)置有第二過(guò)孔1072，在垂直于襯底基板的方向上，鈍化層104設(shè)置于源極1025與第一絕緣層106之間，第二過(guò)孔1072貫穿鈍化層104并與第一過(guò)孔1071連通。
[0034]例如，傳感器100還可以包括屏蔽金屬層105，屏蔽金屬層105中設(shè)置有第三過(guò)孔1073，屏蔽金屬層105設(shè)置于鈍化層104和第一絕緣層106之間，第三過(guò)孔1073貫穿屏蔽金屬層105并與第一過(guò)孔1071和第二過(guò)孔1072連通，導(dǎo)電層1031通過(guò)第一過(guò)孔1071、第二過(guò)孔1072和第三過(guò)孔1073與源極1025電連接。
[0035]例如，偏壓電極1032與導(dǎo)電層1031分離是指偏壓電極1032與導(dǎo)電層1031沒(méi)有直接接觸。例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，導(dǎo)電層1031和偏壓電極1032之間設(shè)置有間隔絕緣層1035。又例如，導(dǎo)電層1031和偏壓電極1032之間設(shè)置有傳感有源層1033。在一些示例中，也可以不設(shè)置間隔絕緣層1035，導(dǎo)電層1031和偏壓電極1032之間填充用于形成傳感有源層1033的材料。
[0036]例如，偏壓電極1032被施加高電壓，高電壓的范圍例如為100伏到300伏，又例如，高電壓的范圍例如為150伏到200伏。例如，偏壓電極1032的材料可以為鉬、鋁、銅等導(dǎo)電金屬或由它們?nèi)我饨M合形成的合金;偏壓電極1032的材料也可以為ΙΤ0、ΑΖ0、ΙΖ0、導(dǎo)電樹(shù)脂、
石墨烯薄膜、碳納米管薄膜等導(dǎo)電材料。
[0037]例如，也可以是在導(dǎo)電層1031上設(shè)置傳感有源層1033，在傳感有源層1033上設(shè)置偏壓電極1032。此時(shí)，為了保證傳感有源層1033能夠接受光照，該偏壓電極1032應(yīng)該為透明的導(dǎo)電材料，例如，ITO、IZO、AZO、導(dǎo)電樹(shù)脂、石墨烯薄膜、碳納米管薄膜等。
[0038]例如，傳感有源層1033為非晶硅半導(dǎo)體層。
[0039]例如，屏蔽金屬層105可以起到屏蔽的作用，防止屏蔽金屬層105兩側(cè)電場(chǎng)的相互串?dāng)_。例如，屏蔽金屬層105可以屏蔽導(dǎo)電層1031中的電場(chǎng)在漏極1024、源極1025和與漏極1024連接的數(shù)據(jù)線(xiàn)上產(chǎn)生的感應(yīng)電流，提高信噪比。
[0040]例如，屏蔽金屬層105可由多個(gè)彼此分離的部分組成，部分屏蔽金屬層可被施加穩(wěn)定電壓提高屏蔽效果。
[0041]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，屏蔽金屬層105在襯底基板101上的投影與薄膜晶體管102的有源層1023在襯底基板101上的投影至少部分交疊。由于光照會(huì)影響薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)特性，所以需要對(duì)薄膜晶體管的有源層1023遮光，屏蔽金屬層105在襯底基板101上的投影與薄膜晶體管102的有源層1023在襯底基板101上的投影至少部分交疊設(shè)置，屏蔽金屬層105可以為薄膜晶體管102的有源層1023遮光，防止外界光線(xiàn)對(duì)薄膜晶體管的影響。
[0042]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，輔助導(dǎo)電層1034與傳感有源層1033相分離。即輔助導(dǎo)電層1034與傳感有源層1033沒(méi)有直接接觸，以免產(chǎn)生漏電雜訊。
[0043]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，輔助導(dǎo)電層1034為金屬氧化物導(dǎo)電層。
[0044]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，輔助導(dǎo)電層1034為氧化銦錫(ITO)層或氧化銦鋅(IZO)層。例如，輔助導(dǎo)電層1034與導(dǎo)電層1031直接接觸。
[0045]例如，當(dāng)導(dǎo)電層1031斷裂時(shí)，輔助導(dǎo)電層1034可以輔助導(dǎo)電層1031的導(dǎo)通，以保證信號(hào)的正常傳輸。
[0046]例如，為保證周邊區(qū)的引線(xiàn)電極不被氧化，需要在周邊電極上設(shè)置抗氧化導(dǎo)電保護(hù)層，輔助導(dǎo)電層1034與抗氧化導(dǎo)電保護(hù)層可以利用同一種材料(例如ΙΤ0)同層形成，所以在導(dǎo)電層1031上設(shè)置輔助1034并沒(méi)有多出額外的工序。例如，傳感器中的數(shù)據(jù)線(xiàn)與集成電路(IC)通過(guò)引線(xiàn)電極連接，需要在該引線(xiàn)電極上設(shè)置抗氧化保護(hù)層，以防止該引線(xiàn)電極被氧化，輔助導(dǎo)電層1034與該抗氧化導(dǎo)電保護(hù)層可以由同一種材料(例如ΙΤ0)同層形成，所以不需要增加額外的工序。
[0047]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，傳感有源層1033上設(shè)置有第二絕緣層1036。第二絕緣層1036可以起到保護(hù)傳感有源層的作用。
[0048]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，導(dǎo)電層1031為金屬導(dǎo)電層。
[0049]例如，導(dǎo)電層1031可由鉬、鋁、銅等金屬中的任意一種或其合金制成。
[0050]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，導(dǎo)電層1031的厚度為10納米到100納米。又例如，導(dǎo)電層1031的厚度為30納米到70納米。
[0051 ] 例如，第一絕緣層106、間隔絕緣層1035、第二絕緣層1036可以是有機(jī)絕緣層，如有機(jī)樹(shù)脂等;也可以是無(wú)機(jī)絕緣層，如氮化硅、氧化硅等。
[0052]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，第一絕緣層106的厚度為I微米到4微米。又例如，第一絕緣層106的厚度為2微米到3微米。由于偏壓電極1032被施加的電壓較高，設(shè)置較厚的第一絕緣層106可以減小偏壓電極1032的電場(chǎng)對(duì)例如薄膜晶體管102源極1025的干擾。同時(shí)，高厚度的絕緣層也可以起到平坦化的作用，便于后續(xù)工藝的實(shí)施。
[0053]例如，圖2為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種傳感器中部分結(jié)構(gòu)的截面圖，如圖2所示，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，第三過(guò)孔1073的最大孔徑L3小于第一過(guò)孔1071的最小孔徑LI，第三過(guò)孔1073的最小孔徑L4大于第二過(guò)孔1072的最大孔徑L2。從而在鈍化層104和屏蔽金屬層105之間形成第一臺(tái)階Fl，在屏蔽金屬層105和絕緣層106之間形成第二臺(tái)階F2。第一臺(tái)階Fl、第二臺(tái)階F2使第一過(guò)孔1071、第二過(guò)孔1072和第三過(guò)孔1073的側(cè)壁變得平緩，有利于導(dǎo)電層1031的形成，防止導(dǎo)電層1031斷裂。
[0054]例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器100中，導(dǎo)電層1031至少設(shè)置在第一過(guò)孔1071、第二過(guò)孔1072和第三過(guò)孔1073的側(cè)壁上，導(dǎo)電層1031的至少位于側(cè)壁的部分被輔助導(dǎo)電層1034完全覆蓋。
[0055]例如，鈍化層104可以起到平坦化的作用，并且使屏蔽金屬層105與薄膜晶體管102絕緣，減小鈍化層104兩側(cè)電場(chǎng)之間的干擾，提高信噪比。
[0056]例如，襯底基板101例如為玻璃基板和石英基板。
[0057]例如，傳感器100可以包括絕緣層106，但不包括屏蔽金屬層105和鈍化層104，這種情況下，導(dǎo)電層1031設(shè)置于第一過(guò)孔1071中和部分第一絕緣層106上并通過(guò)第一過(guò)孔1071與源極1025電連接。例如，在這種情況下，導(dǎo)電層1031至少設(shè)置在第一過(guò)孔1071的側(cè)壁上，導(dǎo)電層1031的至少位于側(cè)壁的部分被輔助導(dǎo)電層1034完全覆蓋。
[0058]例如，傳感器100可以包括絕緣層106和鈍化層104，但不包括屏蔽金屬層105，此時(shí)，導(dǎo)電層1031設(shè)置于第一過(guò)孔1071中、第二過(guò)孔1072中及部分第一絕緣層106上并通過(guò)第一過(guò)孔1071和第二過(guò)孔1072與源極1025電連接。例如，在這種情況下，第二過(guò)孔1072的最大孔徑L2小于第一過(guò)孔1071的最小孔徑LI。導(dǎo)電層1031至少設(shè)置在第一過(guò)孔1071和第二過(guò)孔1072的側(cè)壁上，導(dǎo)電層1031的至少位于側(cè)壁的部分被輔助導(dǎo)電層1034完全覆蓋。
[0059]本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器例如為光電傳感器，但不僅限于光電傳感器，也可為其它利用電流傳輸信號(hào)的傳感器。
[0060]本公開(kāi)的實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，包括本公開(kāi)實(shí)施例任一項(xiàng)的傳感器。
[0061]本公開(kāi)的實(shí)施例還提供一種傳感器的制造方法，包括:在襯底基板上形成薄膜晶體管，薄膜晶體管包括源極;在薄膜晶體管上形成第一絕緣層，第一絕緣層中設(shè)置有第一過(guò)孔;在第一過(guò)孔中和部分第一絕緣層上形成導(dǎo)電層，導(dǎo)電層通過(guò)第一過(guò)孔與源極電連接;在絕緣層上形成與導(dǎo)電層相分離的偏壓電極以及傳感有源層，傳感有源層分別與導(dǎo)電層和偏壓電極連接；以及在導(dǎo)電層上形成輔助導(dǎo)電層。
[0062]例如，本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器的制造方法，還包括，在導(dǎo)電層和偏壓電極之間形成間隔絕緣層。
[0063]例如，本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器的制造方法，還包括，在傳感有源層上形成第二絕緣層。
[0064]例如，本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器的制造方法，還包括，在源極與第一絕緣層之間形成鈍化層，鈍化層中設(shè)置有與第一過(guò)孔連通的第二過(guò)孔，形成通過(guò)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔與源極電連接的導(dǎo)電層。
[0065]例如，本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器的制造方法，還包括，在鈍化層和第一絕緣層之間形成屏蔽金屬層，屏蔽金屬層中設(shè)置有與第一過(guò)孔和第二過(guò)孔連通的第三過(guò)孔，形成通過(guò)第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和第三過(guò)孔與源極電連接的導(dǎo)電層。
[0066]例如，圖3為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種傳感器的制造方法的流程圖，圖4A-4L為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種傳感器的制造方法的示意圖。該制造方法可以包括如下步驟:
[0067]步驟SOl:如圖4A-4D所示，在襯底基板101上形成薄膜晶體管102;例如包括:
[0068]步驟SOll:如圖4A所示，在襯底基板上形成柵極1021;
[0069]步驟S012:如圖4B所示，在柵極1021上形成柵絕緣層1022;
[0070]步驟SOl 3:如圖4C所示，在柵絕緣層1022上形成有源層1023 ；
[0071]步驟S014:如圖4D所示，在有源層1023上形成源極1025和漏極。
[0072]步驟S02:如圖4E所示，在薄膜晶體管102上形成鈍化層104，鈍化層104中設(shè)置有第二過(guò)孔1072;
[0073]步驟S03:如圖4F所示，在鈍化層104上形成屏蔽金屬層105，屏蔽金屬層105中設(shè)置有與第二過(guò)孔1072連通的第三過(guò)孔1073;
[0074]步驟S04:如圖4G所示，在屏蔽金屬層105上形成第一絕緣層106，第一絕緣層106中設(shè)置有與第三過(guò)孔1073連通的第一過(guò)孔1071;
[0075]步驟S05:如圖4!1所示，在第一過(guò)孔1071中、第二過(guò)孔1072中、第三過(guò)孔1073中和部分第一絕緣層106上形成導(dǎo)電層1031，導(dǎo)電層1031通過(guò)第一過(guò)孔1071、第二過(guò)孔1072和第三過(guò)孔1073與源極1025電連接；
[0076]步驟S06:如圖4!1所示，在第一絕緣層106上形成與導(dǎo)電層1031相分離的偏壓電極1032；
[0077]步驟S07:如圖41所示，在導(dǎo)電層1031和偏壓電極1032之間形成間隔絕緣層1035;
[0078]步驟S08:如圖4J所示，形成傳感有源層1033，傳感有源層1033分別與導(dǎo)電層1031和偏壓電極1032連接；
[0079]步驟S09:如圖4K所示，在傳感有源層1033上形成第二絕緣層1036;以及
[0080]步驟S10:如圖禮所示，在導(dǎo)電層1031上形成輔助導(dǎo)電層1034。
[0081]例如，為保證周邊區(qū)的引線(xiàn)電極不被氧化，需要在周邊電極上設(shè)置抗氧化導(dǎo)電保護(hù)層，輔助導(dǎo)電層1034與抗氧化導(dǎo)電保護(hù)層可以利用同一種材料(例如ΙΤ0)同層形成，所以在導(dǎo)電層1031上設(shè)置輔助1034并沒(méi)有多出額外的工序。例如，傳感器中的數(shù)據(jù)線(xiàn)與集成電路(IC)通過(guò)引線(xiàn)電極連接，需要在該引線(xiàn)電極上設(shè)置抗氧化保護(hù)層，以防止該引線(xiàn)電極被氧化，輔助導(dǎo)電層1034與該抗氧化導(dǎo)電保護(hù)層可以由同一種材料(例如ΙΤ0)同層形成，所以不需要增加額外的工序。
[0082]例如，每個(gè)步驟中均包括沉積(或?yàn)R射)、清洗、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠去除(例如，剝離)等工藝。
[0083]例如，柵極1025可以由Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu中任一種金屬或其合金制成。
[0084]例如，柵絕緣層1022可以由SiNx或S1x制成。
[0085]例如，有源層1023和傳感有源層1033可以由非晶硅制成。
[0086]例如，源極1025和漏極可以由鋁釹(AlNd)合金、鎢鉬合金(麗O)，鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)或鉻(Cr)中的任一種或其組合制成。
[0087]例如，鈍化層104可以由氮化硅或氧化硅制成。
[0088]例如，屏蔽金屬層105可以由鉬、鋁、銅中任一種金屬或其合金制成。
[0089]例如，第一絕緣層106、間隔絕緣層1035、第二絕緣層1036可以由有機(jī)樹(shù)脂、氮化硅或氧化硅制成。
[0090]例如，導(dǎo)電層1031可由鉬、鋁、銅等金屬中的任意一種或其合金制成。
[0091]例如，輔助導(dǎo)電層1034可以由氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)制成。
[0092]例如，偏壓電極1032的材料可以為鉬、鋁、銅等導(dǎo)電金屬或由它們?nèi)我饨M合形成的合金;偏壓電極1032的材料也可以為ΙΤ0、ΑΖ0、ΙΖ0、導(dǎo)電樹(shù)脂、石墨烯薄膜、碳納米管薄膜等導(dǎo)電材料。
[0093]本公開(kāi)實(shí)施例提供的傳感器及其制造方法，在不增加工序的情況下，在較薄的導(dǎo)電層上設(shè)置輔助導(dǎo)電層，提高了導(dǎo)通能力，保證信號(hào)的正常傳輸。
[0094]需要說(shuō)明的是，為表示清楚，本公開(kāi)的實(shí)施例及附圖并沒(méi)有給出傳感器和電子設(shè)備的全部結(jié)構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)傳感器和電子設(shè)備的必要功能，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景并參考通常設(shè)計(jì)設(shè)置其他未示出的結(jié)構(gòu)，本公開(kāi)對(duì)此不做限制。
[0095]以上所述，僅為本公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】，但本公開(kāi)的保護(hù)范圍并不局限于此，本公開(kāi)的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種傳感器，其特征在于，包括: 襯底基板； 薄膜晶體管，設(shè)置在所述襯底基板上，所述薄膜晶體管包括源極； 第一絕緣層，設(shè)置在所述薄膜晶體管上，所述第一絕緣層中設(shè)置有貫穿所述第一絕緣層的第一過(guò)孔； 導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第一過(guò)孔中和部分所述第一絕緣層上并通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述源極電連接； 偏壓電極，設(shè)置于所述第一絕緣層上且與所述導(dǎo)電層分離； 傳感有源層，分別與所述導(dǎo)電層和所述偏壓電極連接；以及 輔助導(dǎo)電層，設(shè)置于所述導(dǎo)電層上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述輔助導(dǎo)電層與所述傳感有源層相分離。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述輔助導(dǎo)電層為金屬氧化物導(dǎo)電層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述輔助導(dǎo)電層為氧化銦錫(ITO)層或氧化銦鋅(IZO)層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述輔助導(dǎo)電層與所述導(dǎo)電層直接接觸。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述傳感有源層上設(shè)置有第二絕緣層。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)電層為金屬導(dǎo)電層。8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為10納米至IjlOO納米。9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的傳感器，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層中設(shè)置有第二過(guò)孔，其中，在垂直于所述襯底基板的方向上，所述鈍化層設(shè)置于所述源極與所述第一絕緣層之間，所述第二過(guò)孔貫穿所述鈍化層并與所述第一過(guò)孔連通，所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔與所述源極電連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的傳感器，其特征在于，所述第二過(guò)孔的最大孔徑小于所述第一過(guò)孔的最小孔徑。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的傳感器，其特征在于，還包括屏蔽金屬層，所述屏蔽金屬層中設(shè)置有第三過(guò)孔，其中，所述屏蔽金屬層設(shè)置于所述鈍化層和所述第一絕緣層之間，所述第三過(guò)孔貫穿所述屏蔽金屬層并與所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔連通，所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔、所述第二過(guò)孔和所述第三過(guò)孔與所述源極電連接。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的傳感器，其特征在于，所述屏蔽金屬層在所述襯底基板上的投影與所述薄膜晶體管的有源層在所述襯底基板上的投影至少部分交疊。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的傳感器，其特征在于，所述第三過(guò)孔的最大孔徑小于所述第一過(guò)孔的最小孔徑，所述第三過(guò)孔的最小孔徑大于所述第二過(guò)孔的最大孔徑。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)電層至少設(shè)置在第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和第三過(guò)孔的側(cè)壁上，所述導(dǎo)電層的至少位于所述側(cè)壁的部分被所述輔助導(dǎo)電層完全覆蓋。15.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的傳感器，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度為I微米到4微米。16.—種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-15中任一項(xiàng)所述的傳感器。
【文檔編號(hào)】G01L9/08GK205508828SQ201620320460
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年4月15日
【發(fā)明人】林家強(qiáng)
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, Ka圖像