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一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:41563411發(fā)布日期:2025-04-08 18:16閱讀:10來源:國知局
一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu)的制作方法

本技術(shù)屬于晶圓刻蝕設(shè)備,具體地說是一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu)。


背景技術(shù):

1、目前晶圓刻蝕設(shè)備普遍通過在晶圓背面,也即晶圓下方的晶圓刻蝕設(shè)備的主體腔體上設(shè)置電機防護罩,并保護用于帶動晶圓承片臺的主軸電機。在晶圓承片臺的外側(cè)設(shè)置有由晶圓刻蝕設(shè)備的升降機構(gòu)帶動升降的升降cup。在對晶圓承片臺上的晶圓直接進行刻蝕時,需要升起升降cup,將此時用于工藝的藥液擋住,使其從升降cup與電機防護罩之間的間隙流走。

2、而隨著刻蝕工藝的改進更新,使用的藥液種類變成兩種時,一般是使主要使用的藥液從電機防護罩與升起的升降cup之間的間隙流走并被回收,部分刻蝕工藝后期使用的另一種藥液順著降下的升降cup的外側(cè)面經(jīng)由位于升降cup的外側(cè)的流路流走并被回收。但目前降下后的升降cup與電機防護罩之間直接缺乏合適的密封結(jié)構(gòu),容易使得部分刻蝕工藝后期使用的另一種藥液流入升降cup與電機防護罩之間的間隙,或者被擋住在電機防護罩與降下的升降cup之間造成存液,導(dǎo)致藥液回收效果較差。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對上述問題,本實用新型的目的在于提供一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu)。

2、本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:

3、一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu),適用于晶圓刻蝕設(shè)備的電機防護罩與升降cup,所述電機防護罩的底端安裝于晶圓刻蝕設(shè)備的主體腔體上,所述電機防護罩的頂面中部開設(shè)有用于使晶圓刻蝕設(shè)備的晶圓承片臺的中部的穿過孔;所述電機防護罩的外周邊緣開設(shè)有密封圈安裝槽,所述密封圈安裝槽中鑲嵌有密封圈;

4、所述升降cup的頂端開口處向靠近所述電機防護罩的內(nèi)側(cè)方向延伸有密封圈壓接沿;所述升降cup在降下到最低位置時,所述升降cup的密封圈壓接沿壓接于所述密封圈上,所述升降cup的頂面由靠近所述電機防護罩的內(nèi)側(cè)至遠離所述電機防護罩的外側(cè)逐漸向下傾斜。

5、所述電機防護罩的頂面由位于中部的穿過孔處至位于外周邊緣的密封圈安裝槽處的方向逐漸向下傾斜。

6、所述密封圈安裝槽的內(nèi)周面抵住所述密封圈的內(nèi)周面,所述密封圈安裝槽的內(nèi)周面的頂部位置上向所述電機防護罩的外周方向延伸設(shè)有頂部擋沿,所述頂部擋沿從所述密封圈的上方抵住所述密封圈,所述密封圈安裝槽的底面從所述密封圈的下方抵住所述密封圈。

7、在所述升降cup在降下到最低位置時,所述升降cup的密封圈壓接沿所在的高度位置低于所述頂部擋沿所在的高度位置。

8、所述密封圈安裝槽的底面上凸設(shè)有側(cè)邊擋沿,所述側(cè)邊擋沿抵住所述密封圈的外周面;在所述升降cup在降下到最低位置時,所述升降cup的密封圈壓接沿所在的高度位置高于所述側(cè)邊擋沿所在的高度位置。

9、本實用新型的優(yōu)點與積極效果為:

10、本實用新型通過使密封圈壓接沿壓接密封圈,進而使電機防護罩與降下的升降cup相接形成階梯式密封結(jié)構(gòu),可有效保證降下到最低位置的升降cup與電機防護罩之間的密封效果,避免刻蝕工藝后期使用的藥液流入升降cup與電機防護罩之間的間隙,能夠充分順著降下的升降cup的外側(cè)面經(jīng)由位于升降cup的外側(cè)的流路流走并被回收,且可避免在電機防護罩與降下的升降cup之間造成存液,有效提高藥液回收效果。



技術(shù)特征:

1.一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu),適用于晶圓刻蝕設(shè)備的電機防護罩(1)與升降cup(2),其特征在于:所述電機防護罩(1)的底端安裝于晶圓刻蝕設(shè)備的主體腔體上,所述電機防護罩(1)的頂面中部開設(shè)有用于使晶圓刻蝕設(shè)備的晶圓承片臺的中部的穿過孔;所述電機防護罩(1)的外周邊緣開設(shè)有密封圈安裝槽(101),所述密封圈安裝槽(101)中鑲嵌有密封圈(3);

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu),其特征在于:所述電機防護罩(1)的頂面由位于中部的穿過孔處至位于外周邊緣的密封圈安裝槽(101)處的方向逐漸向下傾斜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu),其特征在于:所述密封圈安裝槽(101)的內(nèi)周面抵住所述密封圈(3)的內(nèi)周面,所述密封圈安裝槽(101)的內(nèi)周面的頂部位置上向所述電機防護罩(1)的外周方向延伸設(shè)有頂部擋沿(1011),所述頂部擋沿(1011)從所述密封圈(3)的上方抵住所述密封圈(3),所述密封圈安裝槽(101)的底面從所述密封圈(3)的下方抵住所述密封圈(3)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu),其特征在于:在所述升降cup(2)在降下到最低位置時,所述升降cup(2)的密封圈壓接沿(201)所在的高度位置低于所述頂部擋沿(1011)所在的高度位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu),其特征在于:所述密封圈安裝槽(101)的底面上凸設(shè)有側(cè)邊擋沿(1012),所述側(cè)邊擋沿(1012)抵住所述密封圈(3)的外周面;在所述升降cup(2)在降下到最低位置時,所述升降cup(2)的密封圈壓接沿(201)所在的高度位置高于所述側(cè)邊擋沿(1012)所在的高度位置。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于晶圓刻蝕設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是一種晶圓刻蝕設(shè)備的密封結(jié)構(gòu),適用于晶圓刻蝕設(shè)備的電機防護罩與升降CUP,電機防護罩的外周邊緣開設(shè)有密封圈安裝槽,密封圈安裝槽中鑲嵌有密封圈,升降CUP的頂端開口處向靠近電機防護罩的內(nèi)側(cè)方向延伸有密封圈壓接沿。本技術(shù)可使電機防護罩與降下的升降CUP相接形成階梯式密封結(jié)構(gòu),可有效保證降下到最低位置的升降CUP與電機防護罩之間的密封效果,避免刻蝕工藝后期使用的藥液流入升降CUP與電機防護罩之間的間隙,能夠充分順著降下的升降CUP的外側(cè)面經(jīng)由位于升降CUP的外側(cè)的流路流走并被回收,且可避免在電機防護罩與降下的升降CUP之間造成存液,有效提高藥液回收效果。

技術(shù)研發(fā)人員:郭生華,李博,孫俊主,龔明
受保護的技術(shù)使用者:沈陽芯源微電子設(shè)備股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240416
技術(shù)公布日:2025/4/7
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