本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，具體的說，是一種光控LED用信號處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

目前，由于LED燈具有能耗低、使用壽命長以及安全環(huán)保等特點，其已經(jīng)成為了人們生活照明的主流產(chǎn)品之一。在生活中人們多采用聲控或光控控制系統(tǒng)來實現(xiàn)對LED燈的開啟與關(guān)閉。光控LED控制系統(tǒng)因其能根據(jù)LED燈使用環(huán)境的亮度來控制LED燈的開啟與關(guān)閉，且能有效的滿足人們對LED燈在節(jié)能方面的要求，而備受人們的青睞。然而，現(xiàn)有的光控LED控制系統(tǒng)的信號處理系統(tǒng)易受外界的電磁波干擾而對亮度信號處理不準(zhǔn)確，導(dǎo)致光控控制系不能根據(jù)環(huán)境的光照強度準(zhǔn)確的控制LED燈的開啟與關(guān)閉，從而無法很好的滿足人們在節(jié)能方面的要求。

因此，提供一種能對亮度信號準(zhǔn)確處理的信號處理系統(tǒng)便是當(dāng)務(wù)之急。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的光控LED控制系統(tǒng)的信號處理系統(tǒng)易受外界的電磁波干擾而對亮度信號處理不準(zhǔn)確的缺陷，提供的一種光控LED用信號處理系統(tǒng)。

本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：一種光控LED用信號處理系統(tǒng)，主要由處理芯片U，三極管VT1，N極與處理芯片U的FDBK管腳相連接、P極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U的COM管腳相連接的二極管D2，P極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的VNEG管腳相連接、N極與三極管VT1的基極相連接的二極管D3，分別與處理芯片U的VINP管腳和GNEG管腳相連接的低通濾波電路，以及分別與三極管VT1哦發(fā)射極和處理芯片U相連接的信號發(fā)射調(diào)理電路組成；所述三極管VT1的集電極與處理芯片U的FDBK管腳相連接。

所述低通濾波電路由放大器P1，正極與放大器P1的正極相連接、負(fù)極作為低通濾波電路的輸入端的極性電容C1，一端與極性電容C1的負(fù)極相連接、另一端接地的電阻R1，正極經(jīng)電阻R2后與放大器P1的負(fù)極相連接、負(fù)極接地的極性電容C2，正極經(jīng)電阻R3后與放大器P 1的正極相連接、負(fù)極與放大器P1的輸出端相連接的極性電容C3，P極與放大器P1的正極相連接、N極經(jīng)電阻R4后與極性電容C3的負(fù)極相連接的二極管D1，以及負(fù)極與放大器P1的輸出端相連接、正極經(jīng)電阻R5后與處理芯片U的GNEG管腳相連接的極性電容C4組成；所述放大器P1的輸出端與處理芯片U的VINP管腳相連接。

所述信號發(fā)射調(diào)理電路由場效應(yīng)管MOS，放大器P2，N極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、P極經(jīng)電阻R8后與處理芯片U的VPOS管腳相連接的二極管D4，負(fù)極經(jīng)電阻R11后與放大器P2的輸出端相連接、正極經(jīng)電阻R9后與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接的極性電容C5，一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端與放大器P2的輸出端相連接的可調(diào)電阻R10，負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、正極與放大器P2的正極相連接的極性電容C6，正極與三極管VT1的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R12后與放大器P2的負(fù)極相連接的極性電容C7，正極與放大器P2的輸出端相連接、負(fù)極作為信號發(fā)射調(diào)理電路的輸出端的極性電容C8，以及正極與放大器P2的輸出端相連接、負(fù)極與極性電容C8的負(fù)極相連接的極性電容C9組成；所述極性電容C7的負(fù)極接地；所述場效應(yīng)管MOS的柵極與處理芯片U的VOUT管腳相連接。

為了本發(fā)明的實際使用效果，所述處理芯片U則優(yōu)先采用AD603集成芯片來實現(xiàn)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點及有益效果：

(1)本發(fā)明能將輸入信號因外界干擾電波而產(chǎn)生的諧波消除或抑制；并且本發(fā)明還能對輸出信號的帶寬進行調(diào)整，使輸出信號與輸入的采集信號一致，從而確保了本發(fā)明對信號處理的準(zhǔn)確性，有效的確保了光控LED控制系統(tǒng)對LED燈的開啟與關(guān)閉控制的準(zhǔn)確性。

(2)本發(fā)明的處理芯片采用了AD603集成芯片來實現(xiàn)，該芯片性能穩(wěn)定與外部電路相結(jié)合有效的提高了本發(fā)明對信號處理的準(zhǔn)確性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例及其附圖對本發(fā)明作進一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。

實施例

如圖1所示，本發(fā)明主要由處理芯片U，三極管VT1，N極與處理芯片U的FDBK管腳相連接、P極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U的COM管腳相連接的二極管D2，P極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的VNEG管腳相連接、N極與三極管VT1的基極相連接的二極管D3，分別與處理芯片U的VINP管腳和GNEG管腳相連接的低通濾波電路，以及分別與三極管VT1哦發(fā)射極和處理芯片U相連接的信號發(fā)射調(diào)理電路組成；所述三極管VT1的集電極與處理芯片U的FDBK管腳相連接。

其中，所述低通濾波電路由放大器P1，電阻R1，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，極性電容C1，極性電容C2，極性電容C3，極性電容C4，以及二極管D1組成。

連接時，極性電容C1的正極與放大器P1的正極相連接、其負(fù)極作為低通濾波電路的輸入端并與亮度傳感器相連接。電阻R1的一端與極性電容C1的負(fù)極相連接、其另一端接地。極性電容C2的正極經(jīng)電阻R2后與放大器P1的負(fù)極相連接、其負(fù)極接地。極性電容C3的正極經(jīng)電阻R3后與放大器P 1的正極相連接、其負(fù)極與放大器P1的輸出端相連接。

同時，二極管D1的P極與放大器P1的正極相連接、其N極經(jīng)電阻R4后與極性電容C3的負(fù)極相連接。極性電容C4的負(fù)極與放大器P1的輸出端相連接、其正極經(jīng)電阻R5后與處理芯片U的GNEG管腳相連接。所述放大器P1的輸出端與處理芯片U的VINP管腳相連接。

進一步地，所述信號發(fā)射調(diào)理電路由場效應(yīng)管MOS，放大器P2，電阻R8，電阻R9，可調(diào)電阻R10，電阻R11，電阻R12，極性電容C5，極性電容C6，極性電容C7，極性電容C8，極性電容C9，二極管D4組成。

連接時，二極管D4的N極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其P極經(jīng)電阻R8后與處理芯片U的VPOS管腳相連接。極性電容C5的負(fù)極經(jīng)電阻R11后與放大器P2的輸出端相連接、其正極經(jīng)電阻R9后與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接。可調(diào)電阻R10的一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、其另一端與放大器P2的輸出端相連接。

同時，極性電容C6的負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、其正極與放大器P2的正極相連接。極性電容C7的正極與三極管VT1的發(fā)射極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R12后與放大器P2的負(fù)極相連接。極性電容C8的正極與放大器P2的輸出端相連接、其負(fù)極作為信號發(fā)射調(diào)理電路的輸出端并與光控LED控制器相連接。極性電容C9的正極與放大器P2的輸出端相連接、其負(fù)極與極性電容C8的負(fù)極相連接。所述極性電容C7的負(fù)極接地；所述場效應(yīng)管MOS的柵極與處理芯片U的VOUT管腳相連接。

實施時，本發(fā)明能將輸入信號因外界干擾電波而產(chǎn)生的諧波消除或抑制；并且本發(fā)明還能對輸出信號的帶寬進行調(diào)整，使輸出信號與輸入的采集信號一致，從而確保了本發(fā)明對信號處理的準(zhǔn)確性。本發(fā)明將分析處理后的信號轉(zhuǎn)換為準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)信號后并傳輸給光控LED控制系統(tǒng)的控制器，控制器則根據(jù)接收的數(shù)據(jù)信號來控制LED燈的開啟與關(guān)閉。為了本發(fā)明的實際使用效果，所述處理芯片U則優(yōu)先采用AD603集成芯片來實現(xiàn)。

按照上述實施例，即可很好的實現(xiàn)本發(fā)明。