本公開涉及半導體裝置。

背景技術：

1、在場效應晶體管中，在基板的表面?zhèn)刃纬捎性礃O焊盤和漏極焊盤，在基板的背面?zhèn)刃纬捎斜趁骐姌O。背面電極和源極焊盤通過通孔連接。高輸出放大器所使用的場效應晶體管的漏極焊盤，為了使較大的電流流動而接有多條引線，因此形成得較大。在該表面?zhèn)鹊穆O焊盤與背面?zhèn)鹊膎型半導體基板或背面電極之間形成有較大的寄生電容。為了減少該寄生電容，提出一種從背面對基板進行蝕刻并在漏極焊盤的下方形成空洞的技術(例如，參照專利文獻1)。

2、專利文獻1：日本特開2002-270822號公報。

3、但是，以往在引線的接合部分的正下方形成有空洞，因此很難確?？梢猿惺芤€接合的沖擊的強度。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開是為了解決上述那樣的課題所做出的，其目的在于得到能夠減少寄生電容并且承受引線接合的沖擊的半導體裝置。

2、本公開的半導體裝置，其特征在于，具備：基板；外延層，其形成于所述基板之上；場效應晶體管，其形成于所述外延層；漏極焊盤，其形成于所述外延層之上，并與所述場效應晶體管的漏電極連接；背面電極，其形成于所述基板的背面，并與所述場效應晶體管的源電極連接；以及引線，其與所述漏極焊盤接合，在所述漏極焊盤的正下方，在所述基板形成有空洞，所述空洞不形成在所述引線的接合部分的正下方。

3、在本公開中，在漏極焊盤的正下方，在基板形成有空洞。因此，不減小漏極焊盤的面積，而能夠減少漏極焊盤與背面電極之間的寄生電容。另外，空洞不形成在引線的接合部分的正下方。因此，能夠承受引線接合的沖擊。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權利要求3或4所述的半導體裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權利要求1～6中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

技術總結
在基板(1)之上形成有外延層(2)。在外延層(2)形成有場效應晶體管(3)。在外延層(2)之上形成有漏極焊盤(8)。漏極焊盤(8)與場效應晶體管(3)的漏電極(5)連接。背面電極(13)形成于基板(1)的背面，并與場效應晶體管(3)的源電極(6)連接。引線(16)與漏極焊盤(8)接合。在漏極焊盤(8)的正下方，在基板(1)形成有空洞(17)?？斩?17)不形成在引線(16)的接合部分的正下方。

技術研發(fā)人員：角野翼,鈴木敏
受保護的技術使用者：三菱電機株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/15