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發(fā)光元件、顯示裝置和發(fā)光元件的制造方法與流程

文檔序號:41950407發(fā)布日期:2025-05-16 14:09閱讀:3來源:國知局
發(fā)光元件、顯示裝置和發(fā)光元件的制造方法與流程

本公開涉及發(fā)光元件、顯示裝置以及發(fā)光元件的制造方法。


背景技術:

1、在專利文獻1中,為了改善發(fā)光特性,公開了一種量子點設備,其具備量子點層,該量子點層包含發(fā)光性量子點和非發(fā)光性量子點,公開了發(fā)光性量子點的殼具有比核大的帶隙,從而發(fā)揮量子限制效果,發(fā)出光。

2、現(xiàn)有技術

3、專利文獻:美國專利申請公開第2019/280232號


技術實現(xiàn)思路

1、所要解決的問題

2、然而,在專利文獻1中,在這些量子點中配置有油酸等有機配體。由有機物構成的有機配體存在穩(wěn)定性低、容易剝離的問題,導致發(fā)光特性的降低以及可靠性的降低。

3、因此,如果用無機介質代替有機配體覆蓋量子點的周圍,則能夠牢固地保護量子點。但是,在用無機介質均勻地覆蓋量子點的周圍的情況下,為了發(fā)揮量子限制效果,如果使用帶隙大的無機化合物作為無機介質,則空穴和電子載流子向量子點的注入效率下降,成為發(fā)光效率降低的原因。

4、本公開的一方面鑒于上述問題點而完成,其目的在于提供穩(wěn)定性高、發(fā)光效率和可靠性高的發(fā)光元件和顯示裝置以及發(fā)光元件的制造方法。

5、用于解決問題的技術方案

6、為了解決上述問題,本公開的一方面涉及的發(fā)光元件具備第一電極以及第二電極、以及設置于所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層,所述發(fā)光層包含多個量子點和基體材料,所述基體材料包含第一無機化合物和第二無機化合物,所述基體材料在貫通所述發(fā)光層中的所述第一電極側的第一外緣部和所述第二電極側的第二外緣部的直線方向上具有至少包含所述第一無機化合物的第一區(qū)域、以及至少包含所述第二無機化合物的第二區(qū)域,所述第二區(qū)域設置在比所述第一區(qū)域更靠所述第二外緣部側,所述第一區(qū)域中的所述第一無機化合物的濃度與所述第二區(qū)域中的所述第一無機化合物的濃度相差一定以上。

7、為了解決上述問題,本公開的一方式涉及的顯示裝置具備本公開的一方式涉及的上述發(fā)光元件。

8、為了解決上述問題,本公開的一方式的發(fā)光元件的制造方法,所述發(fā)光元件具備第一電極以及第二電極、以及設置于所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層,所述發(fā)光層包含多個量子點和基體材料,所述基體材料包含第一無機化合物和第二無機化合物,所述基體材料在貫通所述發(fā)光層中的所述第一電極側的第一外緣部和所述第二電極側的第二外緣部的直線方向上具有至少包含所述第一無機化合物的第一區(qū)域、以及至少包含所述第二無機化合物的第二區(qū)域,所述第二區(qū)域設置在比所述第一區(qū)域更靠所述第二外緣部側,所述第一區(qū)域中的所述第一無機化合物的濃度與所述第二區(qū)域中的所述第一無機化合物的濃度相差一定以上,所述制造方法包括形成所述發(fā)光層發(fā)光層形成工序,所述發(fā)光層形成工序包括:(1)量子點分散液涂布工序,涂布含有所述多個量子點、所述第一無機化合物前體、鹵化物離子和第一溶劑且所述第一無機化合物的前體熱分解而形成所述第一無機化合物的量子點分散液,從而形成所述量子點分散液的涂膜;(2)第一膜形成工序,將所述量子點分散液的涂膜以所述第一無機化合物的前體的熱分解溫度以上的溫度加熱,以熱分解所述第一無機化合物的前體的至少一部分并除去所述第一溶劑,由此形成包括所述多個量子點和包含所述第一無機化合物的基體材料的第一膜;(3)第二無機化合物前體溶液供給工序,向所述第一膜上供給第二無機化合物前體溶液,所述第二無機化合物前體溶液含有所述第二無機化合物前體和第二溶劑,所述第二無機化合物前體熱分解而形成所述第二無機化合物;(4)第二無機化合物形成工序,在所述第二無機化合物前體熱分解溫度以上的溫度下,對在所述第二無機化合物前體溶液供給工序中供給的所述第二無機化合物前體溶液進行加熱,以使所述第二無機化合物前體的至少一部分熱分解并除去所述第二溶劑,由此形成包含所述第二無機化合物的基體材料。

9、發(fā)明效果

10、根據(jù)本公開的一方式,能夠提供穩(wěn)定性高、發(fā)光效率和可靠性高的發(fā)光元件和顯示裝置以及發(fā)光元件的制造方法。



技術特征:

1.一種發(fā)光元件,其具備第一電極、第二電極以及設置于所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層,其特征在于,

2.如權利要求1所述的發(fā)光元件,其特征在于,

3.如權利要求1或2所述的發(fā)光元件,其特征在于,

4.如權利要求1~3的任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

5.如權利要求1~4中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

6.如權利要求1~4中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

7.如權利要求6所述的發(fā)光元件,其特征在于,

8.如權利要求6所述的發(fā)光元件,其特征在于,

9.如權利要求6所述的發(fā)光元件,其特征在于,

10.如權利要求6所述的發(fā)光元件,其特征在于,

11.如權利要求1~10中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

12.如權利要求1~8、10中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

13.如權利要求1~8、10中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

14.如權利要求1~8、10中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

15.如權利要求1~14中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

16.如權利要求1~14中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

17.如權利要求7所述的發(fā)光元件,其特征在于,

18.如權利要求8所述的發(fā)光元件,其特征在于,

19.如權利要求9所述的發(fā)光元件,其特征在于,

20.如權利要求10所述的發(fā)光元件,其特征在于,

21.如權利要求16、17、19中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

22.如權利要求16~21中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

23.如權利要求1~22中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

24.如權利要求23所述的發(fā)光元件,其特征在于,

25.如權利要求1~24中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

26.如權利要求1~25中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

27.如權利要求1~26中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

28.如權利要求1~27中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

29.如權利要求1~28中任一項所述的發(fā)光元件,其特征在于,

30.如權利要求29所述的發(fā)光元件,其特征在于,

31.如權利要求29或30所述的發(fā)光元件,其特征在于,

32.一種顯示裝置,其特征在于,具備權利要求1~31中任一項所述的發(fā)光元件。

33.一種發(fā)光元件的制造方法,

34.如權利要求33所述的發(fā)光元件的制造方法,其特征在于,

35.如權利要求33或34所述的發(fā)光元件的制造方法,其特征在于,


技術總結
發(fā)光元件(1)包括陽極(11)、陰極(15)、以及包含QD(21)和MX(22)的EML(13)。MX中,在沿著貫穿EML中的陽極側的外緣部(13a)和陰極側的外緣部(13b)的直線(L1)方向,具有含有無機化合物(23)的第一區(qū)域和含有無機化合物(24)的第二區(qū)域,并且第一區(qū)域中的無機化合物(23)的濃度與第二區(qū)域中的無機化合物(24)的濃度相差一定程度以上。

技術研發(fā)人員:矢口裕真
受保護的技術使用者:夏普顯示科技株式會社
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/5/15
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