本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、近年來，在同一基板上形成有作為半導(dǎo)體層具備不同半導(dǎo)體材料的晶體管的半導(dǎo)體裝置的開發(fā)不斷發(fā)展。例如，在要求高速動(dòng)作的晶體管中，使用采用了多晶硅的晶體管，在要求關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流少的開關(guān)動(dòng)作的晶體管中，使用采用了氧化物半導(dǎo)體的晶體管，從而能夠在同一基板上形成根據(jù)所要求的功能而具有不同特性的晶體管。

2、專利文獻(xiàn)1中，公開了在同一基板上形成有在周邊區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電路中使用了硅的晶體管、在顯示區(qū)域的像素電路中形成有使用了氧化物半導(dǎo)體的晶體管的顯示裝置。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本特開第2018-128693號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，目的之一在于提供針對(duì)不同特性的晶體管中的各自分別顯示出良好的電特性、且可靠性高的半導(dǎo)體裝置。

3、用于解決課題的手段

4、本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置具有：第1半導(dǎo)體層；與前述第1半導(dǎo)體層對(duì)置的第1柵電極；第2柵電極，其與前述第1半導(dǎo)體層對(duì)置，并被供給與前述第1柵電極相同的電壓；第1柵極絕緣層，其在前述第1半導(dǎo)體層與前述第1柵電極之間、并且在前述第1半導(dǎo)體層與前述第2柵電極之間；第2半導(dǎo)體層，其與前述第1半導(dǎo)體層一起夾著前述第1柵電極；第3柵電極，其在以前述第2半導(dǎo)體層為基準(zhǔn)與前述第1柵電極為相反側(cè)與前述第2半導(dǎo)體層對(duì)置，并在俯視觀察下與前述第1柵電極重疊；和前述第2半導(dǎo)體層與前述第3柵電極之間的第2柵極絕緣層。

技術(shù)特征：

1.半導(dǎo)體裝置，其具有：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第2半導(dǎo)體層包含氧化物半導(dǎo)體。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第2柵電極在俯視觀察下與所述第3柵電極不重疊。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其還具有：

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第1柵電極在俯視觀察下與所述第1半導(dǎo)體層不重疊的區(qū)域中與所述第2柵電極連接。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其還具有：

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第1柵電極與所述第2柵電極為同一層。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其還具有：

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其還具有：

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第1電極與所述第3柵電極為同一層。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。提供對(duì)于不同特性的晶體管中的各自分別得到良好特性的可靠性高的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置具有：第1半導(dǎo)體層；與前述第1半導(dǎo)體層對(duì)置的第1柵電極；第2柵電極，其與前述第1半導(dǎo)體層對(duì)置，并被供給與前述第1柵電極相同的電壓；第1柵極絕緣層，其在前述第1半導(dǎo)體層與前述第1柵電極之間、并且在前述第1半導(dǎo)體層與前述第2柵電極之間；第2半導(dǎo)體層，其與前述第1半導(dǎo)體層一起夾著前述第1柵電極；第3柵電極，其在以前述第2半導(dǎo)體層為基準(zhǔn)與前述第1柵電極為相反側(cè)與前述第2半導(dǎo)體層對(duì)置，并在俯視觀察下與前述第1柵電極重疊；和前述第2半導(dǎo)體層與前述第3柵電極之間的第2柵極絕緣層。

技術(shù)研發(fā)人員：藤本貴光,原田賢治,鈴木喬之
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社日本顯示器
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15