本公開(kāi)涉及一種基板處理方法和基板處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種能夠用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器等顯示器的子像素電路和形成子像素電路的方法。上述子像素是利用在相鄰的pdl(pixel?defining?layer：像素定義層)結(jié)構(gòu)上形成的懸垂結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行有機(jī)el(electro?luminescence：電致發(fā)光)層的分涂而形成的。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專(zhuān)利文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公報(bào)2022/0077257號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問(wèn)題

2、本公開(kāi)提供一種提高生產(chǎn)率的基板處理方法和基板處理系統(tǒng)。

3、用于解決問(wèn)題的方案

4、根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方式，提供一種基板處理方法，包括以下工序：工序(a)，準(zhǔn)備基板，所述基板具有多個(gè)電極在基板表面配置而成的電極陣列；工序(b)，在所述電極陣列的整體形成密封層疊體，所述密封層疊體具有按第一密封層、第二密封層、第三密封層的順序進(jìn)行了層疊的三層以上的密封層，所述密封層疊體以所述第二密封層的蝕刻速率高于所述第三密封層的蝕刻速率的方式形成；工序(c)，在未配置多個(gè)所述電極中的一個(gè)種類(lèi)的電極的所述密封層疊體上形成掩模；工序(d)，通過(guò)使用所述掩模對(duì)所述基板進(jìn)行蝕刻，來(lái)以使所述一個(gè)種類(lèi)的電極露出的方式針對(duì)開(kāi)口部在所述密封層疊體的端部形成傘狀；以及工序(e)，在所述工序(d)之后，在所述電極陣列的整體形成發(fā)光層和電極層。

5、發(fā)明的效果

6、根據(jù)一個(gè)方面，能夠提高生產(chǎn)率。

技術(shù)特征：

1.一種基板處理方法，包括以下工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理方法，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，還包括以下工序：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板處理方法，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

20.一種基板處理系統(tǒng)，對(duì)基板進(jìn)行處理，所述基板具有多個(gè)電極在基板表面配置而成的電極陣列，在所述電極陣列的整體形成有密封層疊體，所述密封層疊體具有按第一密封層、第二密封層、第三密封層的順序進(jìn)行了層疊的三層以上的密封層，并且所述密封層疊體以所述第二密封層的蝕刻速率高于所述第三密封層的蝕刻速率的方式形成，在所述密封層疊體中，在未配置多個(gè)所述電極中的一個(gè)種類(lèi)的電極的所述密封層疊體上具有掩模，所述基板處理系統(tǒng)具備：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種基板處理方法和基板處理系統(tǒng)，能夠提高生產(chǎn)率。基板處理方法包括以下工序：工序(A)，準(zhǔn)備基板，基板具有多個(gè)電極在基板表面配置而成的電極陣列；工序(B)，在電極陣列的整體形成密封層疊體，密封層疊體具有按第一密封層、第二密封層、第三密封層的順序進(jìn)行了層疊的三層以上的密封層，密封層疊體以第二密封層的蝕刻速率高于第三密封層的蝕刻速率的方式形成；工序(C)，在未配置多個(gè)電極中的一個(gè)種類(lèi)的電極的密封層疊體上形成掩模；工序(D)，通過(guò)使用掩模對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，來(lái)以使一個(gè)種類(lèi)的電極露出的方式針對(duì)開(kāi)口部在密封層疊體的端部形成傘形狀；以及工序(E)，在工序(D)之后，在電極陣列的整體形成發(fā)光層和電極層。

技術(shù)研發(fā)人員：吉川泰智
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15