1.一種偏置控制集成電路(300，400)，用于提供多個(gè)偏置信號(hào)，所述偏置控制集成電路包括半導(dǎo)體管芯(301)，在所述半導(dǎo)體管芯上集成有多個(gè)偏置電路(200)，每個(gè)偏置電路能夠在多個(gè)模式中的一個(gè)模式下獨(dú)立地工作，其中，每個(gè)偏置電路包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置控制集成電路，其中，至少一個(gè)高電壓的極性不同于至少一個(gè)其他高電壓的極性，和/或其中，至少一個(gè)低電壓的極性不同于至少一個(gè)其他低電壓的極性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置控制集成電路，其中，每個(gè)偏置電路的切換單元包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置控制集成電路，其中，所述多個(gè)模式包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置控制集成電路，其中，所述多個(gè)偏置電路中的每個(gè)偏置電路的所述參考高節(jié)點(diǎn)和參考低節(jié)點(diǎn)各自由端子形成，并且其中，為了以相應(yīng)模式操作給定偏置電路，所述偏置電路的所述參考高節(jié)點(diǎn)和所述參考低節(jié)點(diǎn)被配置為分別連接到對(duì)應(yīng)于所述偏置電路工作或應(yīng)該工作的模式的高電壓的電源和低電壓的電源，其中，所述高電壓的電源和/或所述低電壓的電源優(yōu)選地設(shè)置在所述半導(dǎo)體管芯之外。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置控制集成電路，包括參考電壓設(shè)置單元(405)，所述參考電壓設(shè)置單元(405)被配置為根據(jù)用于給定偏置電路且旨在將所述偏置電路設(shè)置為在所述多個(gè)模式中的給定模式下工作的模式信號(hào)，執(zhí)行以下操作：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的偏置控制集成電路，其中，所述半導(dǎo)體管芯包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的偏置控制集成電路，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置控制集成電路，其中，所述半導(dǎo)體管芯包括控制器(302)，所述控制器被配置為確定并提供用于每個(gè)偏置電路的相應(yīng)數(shù)字值，其中，所述控制器被配置為接收一個(gè)或多個(gè)輸入信號(hào)并且根據(jù)所述一個(gè)或多個(gè)輸入信號(hào)確定所述相應(yīng)數(shù)字值，并且其中所述控制器被配置為接收每個(gè)偏置電路的單獨(dú)輸入信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的偏置控制集成電路，其中，所述控制器被配置為根據(jù)由溫度傳感器測(cè)量的溫度和所述一個(gè)或多個(gè)輸入信號(hào)為每個(gè)偏置電路生成所述相應(yīng)數(shù)字值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的偏置控制集成電路，其中，所述溫度傳感器設(shè)置在所述半導(dǎo)體管芯上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的偏置控制集成電路，其中，所述控制器包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的偏置控制集成電路，其中，所述算術(shù)單元被配置為基于所述查找表中保存的與高于和低于所述測(cè)量的溫度的溫度對(duì)應(yīng)的兩個(gè)或多個(gè)數(shù)字值，使用插值確定待輸出到每個(gè)偏置電路的所述數(shù)字值，其中，所述查找表分別保存每個(gè)偏置電路的多個(gè)溫度的相應(yīng)數(shù)字值。
14.一種射頻功率放大器模塊(500，600，700，800)，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的功率放大器模塊，其中，所述多個(gè)功率放大器中的功率放大器的一個(gè)或多個(gè)功率晶體管所基于的同一半導(dǎo)體材料與所述多個(gè)功率放大器中的不同功率放大器的一個(gè)或多個(gè)功率晶體管所基于的半導(dǎo)體材料不同，
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的功率放大器模塊，還包括第一基底(501)，諸如層疊基底，其中，每個(gè)功率放大器的一個(gè)或多個(gè)功率晶體管被設(shè)置為安裝在第一基底上的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯，
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率放大器模塊，其中，所述多個(gè)偏置電路中的每個(gè)偏置電路的所述參考高節(jié)點(diǎn)和參考低節(jié)點(diǎn)各自由端子形成，并且其中，為了以相應(yīng)模式操作給定偏置電路，所述偏置電路的所述參考高節(jié)點(diǎn)和所述參考低節(jié)點(diǎn)被配置為分別連接到對(duì)應(yīng)于所述偏置電路工作或應(yīng)當(dāng)工作的模式的高電壓的電源和低電壓的電源，其中，所述高電壓的電源和/或所述低電壓的電源優(yōu)選地設(shè)置在所述半導(dǎo)體管芯之外，其中，用于所述多個(gè)高電壓中的高電壓的管芯外電源以及用于所述多個(gè)低電壓中的低電壓的管芯外電源使用設(shè)置在所述第一基底上的一個(gè)或多個(gè)電壓生成單元來(lái)實(shí)現(xiàn)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率放大器模塊，其中，所述多個(gè)偏置電路中的每個(gè)偏置電路的所述參考高節(jié)點(diǎn)和參考低節(jié)點(diǎn)各自由端子形成，并且其中，為了以相應(yīng)模式操作給定偏置電路，所述偏置電路的所述參考高節(jié)點(diǎn)和所述參考低節(jié)點(diǎn)被配置為分別連接到對(duì)應(yīng)于所述偏置電路工作或應(yīng)當(dāng)工作的模式的高電壓的電源和低電壓的電源，其中，所述高電壓的電源和/或所述低電壓的電源優(yōu)選地設(shè)置在所述半導(dǎo)體管芯之外，所述功率放大器模塊包括多個(gè)端子，所述多個(gè)端子被配置為連接到所述功率放大器模塊外部的所述高電壓的電源和所述低電壓的電源，其中，每個(gè)偏置電路的所述參考高節(jié)點(diǎn)和參考低節(jié)點(diǎn)電連接到所述功率放大器模塊的所述多個(gè)端子中的相應(yīng)端子。
19.一種偏置控制集成電路，包括：
20.一種偏置控制集成電路，包括：