專(zhuān)利名稱(chēng)：具有薄膜電路的模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的模塊提供有薄膜電路，薄膜電路提供在絕緣材料的基底上，本發(fā)明還涉及生產(chǎn)方法，用于生產(chǎn)具有薄膜電路的模塊，并涉及薄膜電路。多種電子設(shè)備發(fā)展的特點(diǎn)在于后面的幾種趨勢(shì)小型化；在增強(qiáng)功能性的同時(shí)具有較低的價(jià)格，或至少不變的價(jià)格；更高的可靠性；和更低的能耗。經(jīng)驗(yàn)顯示，在很多消費(fèi)電子設(shè)備中，例如在電視機(jī)和錄像機(jī)這樣的設(shè)備中，無(wú)源元件的數(shù)量占出現(xiàn)的元件總數(shù)量的70％。但是，移動(dòng)電話領(lǐng)域的飛速發(fā)展和無(wú)線電話設(shè)備的持續(xù)小型化，導(dǎo)致了對(duì)單個(gè)元件的更高需求。
在持續(xù)小型化過(guò)程中，通過(guò)提供所謂的SMD技術(shù)，來(lái)實(shí)現(xiàn)小型化的一定階段。這項(xiàng)技術(shù)基于小型化的元件(SMD=Surface Mounted Devices，即表面貼裝器件)，將這些元件直接安裝在印刷電路板的表面或陶瓷基底上，而在印刷電路板或陶瓷基底上提供有導(dǎo)電線路。與傳統(tǒng)連線的相應(yīng)元件相比，SMD實(shí)質(zhì)上更小。如果不斷使用SMD，電路的表面或空間要求及重量可以減小到原量的二分之一或三分之一。還通過(guò)SMD技術(shù)的優(yōu)化應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)成本的節(jié)約，因?yàn)榭梢允褂幂^小的印刷電路板。
一種功率放大器模塊用于移動(dòng)電話的高頻單元，現(xiàn)在可以通過(guò)這一技術(shù)來(lái)生產(chǎn)這種模塊。在印刷過(guò)程中，導(dǎo)電線路提供在基底上?；子米饔性丛蜔o(wú)源元件的載體，有源元件包括例如放大器，而無(wú)源元件包括例如電阻、電容和電感。在這種情況下，有源元件通過(guò)粘接的方法，以IC的形式固定，而無(wú)源元件作為SMD元件焊接其上。
但是，進(jìn)一步的小型化使無(wú)源SMD元件的生產(chǎn)、處理和安裝更加困難。通過(guò)使用整體結(jié)合的無(wú)源元件(IPC)，可以避免上述問(wèn)題。在這項(xiàng)技術(shù)中，無(wú)源元件例如電阻(R)、電容(C)或電感(L)，連接到不可分的基本電路或系統(tǒng)中。依靠在絕緣材料的載體薄板上使用掩膜，通過(guò)使用薄膜技術(shù)得到所謂的薄膜電路，這種電路與急劇減小的印刷電路板等效。薄膜電路的生產(chǎn)是已知的，并且依靠幾個(gè)連續(xù)的涂層和構(gòu)造過(guò)程，通常可以實(shí)現(xiàn)薄膜電路的生產(chǎn)。提供多種形狀、組成和厚度的幾層來(lái)實(shí)現(xiàn)薄膜電路，這樣的薄膜電路包括電阻、電容和/或電感的結(jié)合。通過(guò)將分立的元件(SMD)，與具有特殊功能(例如，濾波功能)的有源元件連接，可以簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)電路，它具有極為不同的無(wú)源元件和有源元件。但是，缺點(diǎn)是所有SMD元件必須單獨(dú)焊接。由于大量焊點(diǎn)需要大的表面區(qū)域，這使得電路非常龐大。
本發(fā)明的目的是提供具有薄膜電路的模塊，它包括在絕緣材料的基底上的無(wú)源元件，或包括無(wú)源和有源元件，該薄膜電路只需要很小的空間。
通過(guò)在絕緣材料基底上，為模塊提供薄膜電路來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目的，薄膜電路至少包括一個(gè)無(wú)源元件，該元件至少包括結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層，絕緣層，和第二導(dǎo)電層，并具有保護(hù)層，以及，至少一個(gè)接觸孔穿過(guò)模塊，和一塊金屬化物，它覆蓋模塊和接觸孔。
在這個(gè)薄膜電路中，基底上不僅提供有導(dǎo)電線路，而且提供有至少一個(gè)無(wú)源元件，例如電容。無(wú)源元件這樣直接的整體結(jié)合，使其可能實(shí)現(xiàn)整體薄膜電路，來(lái)實(shí)質(zhì)上減小對(duì)空間的需求。
在特別優(yōu)選實(shí)施例中，電阻層提供在基底和結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層之間，使薄膜電路至少包括一個(gè)電阻。
絕緣材料的基底優(yōu)選包括陶瓷材料、玻璃陶瓷材料、玻璃材料、或具有玻璃平面層或有機(jī)材料平面層的陶瓷材料。
由這些材料構(gòu)成的基底可以廉價(jià)地生產(chǎn)，并且對(duì)于這些元件的處理成本可以保持得很低。在這種情況下，基底組成分立元件和IC的載體。
特別地，絕緣材料的基底最好包括Al2O3、玻璃、或具有玻璃平面層或有機(jī)材料平面層的Al2O3。
這些材料與薄膜技術(shù)兼容，并且具有可接受的表面粗糙度。由于Al2O3的機(jī)械穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性，它特別適于作為基底。
而且，隔離層最好提供在基底和結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層之間，或在基底和電阻層之間。
隔離層可以防止與絕緣層和導(dǎo)電層的粗糙表面發(fā)生反應(yīng)，這樣的反應(yīng)導(dǎo)致了電容的短路或差的高頻性能。
當(dāng)結(jié)構(gòu)化成型的第一和第二導(dǎo)電層包括Cu、摻雜Cu的Al、摻雜Mg的Al、摻雜Si的Al或摻雜Cu和Si的Al時(shí)，會(huì)很有利。
而且，電阻層最好包括NixCryAlz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryOz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、CuxNiy(0≤x≤1,0≤y≤1)或TixWy(0≤x≤1,0≤y≤1)。
依靠例如光刻印刷技術(shù)處理，與濕式和干式蝕刻技術(shù)相結(jié)合，根據(jù)在薄膜電路的所述層將完成的功能，在沉積后使這些材料結(jié)構(gòu)化成型。
進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)在于絕緣層包括Si3N4、SiO2、SixOyNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryOz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)或Ta2O5。
所有這些材料的相對(duì)介電常數(shù)εr＞4，這樣能夠以小的尺寸得到高的電容值。
保護(hù)層最好包括無(wú)機(jī)材料。
保護(hù)層保護(hù)下面的層不承受機(jī)械載荷，并不被潮濕腐蝕。
而且，結(jié)構(gòu)化成型的金屬化物最好包括基礎(chǔ)層和覆蓋層。
在本實(shí)施例中，基礎(chǔ)層作為它的成核層，用于結(jié)構(gòu)化成型的金屬化物覆蓋層的電化學(xué)沉積。
更為有利地，分立元件提供在基底與薄膜電路相對(duì)的一側(cè)上。
硅晶片兩側(cè)的這一應(yīng)用，可以進(jìn)一步增強(qiáng)封裝密度。
本發(fā)明進(jìn)一步涉及制造這種模塊的方法，薄膜電路提供在模塊的絕緣材料基底上，電路至少包括一個(gè)無(wú)源元件，其中第一導(dǎo)電層沉積在基底上，并且結(jié)構(gòu)化成型，絕緣層沉積在結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層上，第二導(dǎo)電層沉積在絕緣層上，并且結(jié)構(gòu)化成型，保護(hù)層提供在結(jié)構(gòu)化成型的第二導(dǎo)電層上，絕緣層和保護(hù)層結(jié)構(gòu)化成型，形成至少一個(gè)接觸孔來(lái)穿過(guò)模塊，并且提供結(jié)構(gòu)化成型的金屬化物，來(lái)覆蓋模塊和接觸孔。
在特別優(yōu)選實(shí)施例中，第一步是將隔離層沉積在基底上。
在特別優(yōu)選實(shí)施例中，電阻層首先提供在基底或隔離層上，并且結(jié)構(gòu)化成型。
而且，最好在第一步形成接觸孔，或在提供保護(hù)層后形成接觸孔。
根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程，可以在提供保護(hù)層后形成接觸孔，或在導(dǎo)電線路和整體結(jié)合的無(wú)源元件，依靠薄膜技術(shù)而被提供之前，形成接觸孔。
對(duì)于結(jié)構(gòu)化成型金屬化物的生產(chǎn)來(lái)說(shuō)，首先，基礎(chǔ)層最好沉積在模塊上，并沉積在接觸孔中，然后，光致抗蝕劑層沉積在基礎(chǔ)層上，并根據(jù)需要的金屬化物的結(jié)構(gòu)來(lái)結(jié)構(gòu)化成型，覆蓋層沉積在基礎(chǔ)層上，并且光致抗蝕劑層和基礎(chǔ)層的確定部分被去除。
本發(fā)明還涉及薄膜電路，在絕緣材料的基底上，提供有至少一個(gè)無(wú)源元件，薄膜電路至少包括結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層，絕緣層，第二導(dǎo)電層，并提供有保護(hù)層，具有至少一個(gè)接觸孔，接觸孔穿過(guò)基底，并且具有結(jié)構(gòu)化成型的金屬化物，它覆蓋保護(hù)層和接觸孔。
下面，將參考五幅圖和三個(gè)實(shí)施例，更具體地解釋本發(fā)明。
在圖中

圖1示意地畫(huà)出了根據(jù)本發(fā)明的模塊的剖面結(jié)構(gòu)，模塊提供有薄膜電路，薄膜電路包括電容、電阻和導(dǎo)電線路的電感，并且圖2到圖5畫(huà)出了具有薄膜電路的模塊的生產(chǎn)順序。
在圖1中，具有薄膜電路的模塊具有基底1，基底1包括例如陶瓷材料、玻璃陶瓷材料、玻璃材料，或具有玻璃平面層或有機(jī)材料平面層的陶瓷材料?；?最好包括Al2O3、玻璃、具有玻璃平面層的Al2O3、具有聚酰胺材料平面層的Al2O3、或具有聚苯環(huán)丁烯平面層的Al2O3。隔離層8可以提供在這個(gè)基底1上，包括例如Si3N4。電阻層7沉積在基底1或隔離層8上，并且結(jié)構(gòu)化成型。這個(gè)結(jié)構(gòu)化成型的電阻層7可以包括，例如NixCryAlz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryOz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、CuxNiy(0≤x≤1,0≤y≤1)或TixWy(0≤x≤1,0≤y≤1)。第一導(dǎo)電層2提供在這個(gè)電阻層7上，并且結(jié)構(gòu)化成型。絕緣層3出現(xiàn)在這個(gè)結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層2上，絕緣層3通常覆蓋基底1的整個(gè)表面區(qū)域，并且只在適當(dāng)位置中斷，來(lái)建立到結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層2的通路。絕緣層3可以包括例如，Si3N4、SiO2、SixOyNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)或Ta2O5。第二導(dǎo)電層4沉積在絕緣層3上，并且結(jié)構(gòu)化成型。第一導(dǎo)電層2和第二導(dǎo)電層4可以包括例如，Cu、Al、摻雜少量百分比Cu的Al、摻雜少量百分比Si的Al、摻雜少量百分比Mg的Al，或摻雜少量百分比Cu和Si的Al。結(jié)構(gòu)化成型的無(wú)機(jī)材料保護(hù)層5位于基底1的整個(gè)表面上，無(wú)機(jī)材料是例如SiO2、Si3N4或SixOyNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)。但是可選地，可以使用有機(jī)材料，例如聚酰胺或聚苯環(huán)丁烯。提供有薄膜電路的模塊還具有至少一個(gè)接觸孔6。模塊與接觸孔一起，被結(jié)構(gòu)化成型的金屬化物包圍，金屬化物依次包括基礎(chǔ)層9。而且，一個(gè)或多個(gè)金屬層最好可以提供在基礎(chǔ)層9上。在這種情況下，金屬層9包括例如Cr/Cu，對(duì)于覆蓋層11的電化學(xué)沉積，金屬層9用作成核層。覆蓋層11包括例如Cu/Ni/Au。
而且，電源觸點(diǎn)可以固定在模塊彼此相反的兩側(cè)上。Cr/Cu、Ni/Sn或Cr/Cu、Cu/Ni/Sn或Cr/Ni、Pb/Sn的電鍍SMD端觸點(diǎn)，突起端觸點(diǎn)，Cr/Cu、Cu/Ni/Au的堞墻，包括Cr/Cu/Ni層、并使Sn或PbSn合金球排列在層上的球柵陣列，或Cr/Cu的平面格狀陣列，可以用作電源觸點(diǎn)。
提供有薄膜電路的這樣的模塊，可以用于例如生產(chǎn)功率放大器，這種功率放大器用于移動(dòng)電話的高頻單元。
在生產(chǎn)具有薄膜電路的模塊的過(guò)程中，隔離層8可以包括例如Si3N4，在圖2所示的處理步驟Ⅰ中，隔離層8沉積在基底1上，基底包括例如陶瓷材料、玻璃陶瓷材料、玻璃材料，或具有玻璃平面層或有機(jī)材料平面層的陶瓷材料，有機(jī)材料可以是例如聚酰胺或聚苯環(huán)丁烯。電阻層7可以沉積并且結(jié)構(gòu)化成型在隔離層8上，或可選地沉積并且結(jié)構(gòu)化成型在基底1上(圖2中的步驟Ⅱ)。電阻層7可以包括例如，NixCryAlz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryOz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、CuxNiy(0≤x≤1,0≤y≤1)或TixWy(0≤x≤1,0≤y≤1)。第一導(dǎo)電層2沉積在電阻層7的部分上，或可選地沉積在基底1上，還沉積在隔離層8上，并且第一導(dǎo)電層2結(jié)構(gòu)化成型(圖2中的步驟Ⅲ)。絕緣層3沉積在基底1的整個(gè)表面上(圖2中的步驟Ⅳ)。絕緣層3最好包括Si3N4、SiO2、SixOyNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)或Ta2O5。在圖3的步驟Ⅰ中，第二導(dǎo)電層4隨后沉積在絕緣層3上，并且結(jié)構(gòu)化成型。第一導(dǎo)電層2和第二導(dǎo)電層4可以包括例如，Cu、Al、摻雜少量百分比Cu的Al、摻雜少量百分比Si的Al、摻雜少量百分比Mg的Al，或摻雜少量百分比Cu和Si的Al。在圖3的步驟Ⅱ中，無(wú)機(jī)材料的保護(hù)層5提供在整個(gè)薄膜電路上?？梢允褂玫臒o(wú)機(jī)材料是，例如Si3N4、SiO2、SixOyNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)。可選地，有機(jī)材料也可以用作保護(hù)層的材料，例如聚苯環(huán)丁烯或聚酰胺。然后，保護(hù)層5和絕緣層3結(jié)構(gòu)化成型(圖3中的步驟Ⅲ)。在使用光致抗蝕劑材料的情況下，可以依靠光刻金屬板印刷處理來(lái)結(jié)構(gòu)化成型，或者可選地，依靠濕式化學(xué)腐蝕或干式蝕刻技術(shù)來(lái)結(jié)構(gòu)化成型。而且，至少一個(gè)接觸孔6穿過(guò)基底1，接觸孔6依靠激光來(lái)形成(圖3中的步驟Ⅳ)。
在圖4的步驟Ⅱ中，提供有覆蓋模塊和接觸孔6的第一基礎(chǔ)層9，用來(lái)實(shí)現(xiàn)使金屬化物結(jié)構(gòu)化成型的目的。這個(gè)金屬層包括例如，Cr/Cu。在下面的步驟中，光致抗蝕劑層10依靠光刻印刷處理，沉積在基礎(chǔ)層9上，并且結(jié)構(gòu)化成型，光刻印刷處理使光致抗蝕劑層10具有的圖樣，符合所需的金屬化物的結(jié)構(gòu)(圖4中的步驟Ⅲ)。然后，包括例如Cu/Ni/Au的覆蓋層11，以電化學(xué)方式沉積在基礎(chǔ)層9上(圖5中的步驟Ⅱ)。在去除光致抗蝕劑材料10后，沒(méi)有被覆蓋層11覆蓋的基礎(chǔ)層9部分，在蝕刻浴中被去除。
而且，電源觸點(diǎn)可以固定在模塊彼此相反的兩側(cè)上。Cr/Cu、Ni/Sn或Cr/Cu、Cu/Ni/Sn或Cr/Ni、Pb/Sn的電鍍SMD端觸點(diǎn)，突起端觸點(diǎn)，Cr/Cu、Cu/Ni/Au的堞墻，包括Cr/Cu/Ni層、并使Sn或PbSn合金球排列在層上的球柵陣列，或Cr/Cu的平面格狀陣列，可以用作電源觸點(diǎn)。
可選地，在導(dǎo)線軌跡和整體結(jié)合的無(wú)源元件通過(guò)薄膜技術(shù)提供之前，可以形成接觸孔6。
本發(fā)明的實(shí)施例將在下面解釋?zhuān)@些實(shí)施例代表本發(fā)明如何在實(shí)際中實(shí)現(xiàn)的例子。
實(shí)施例1結(jié)構(gòu)化成型的Si3N4隔離層8提供在Al2O3的基底1上，Al2O3的基底1具有玻璃平面層。Ni0.3Cr0.6Al0.1的電阻層7沉積在隔離層8上，并且結(jié)構(gòu)化成型。第一導(dǎo)電層2的材料選用摻雜4％Cu的Al，第一導(dǎo)電層2沉積在電阻層7的部分和隔離層8的部分上，并且結(jié)構(gòu)化成型。在下面的步驟中，Si3N4的絕緣層3沉積在基底1的整個(gè)表面上。第二導(dǎo)電層4的材料選用摻雜4％Cu的Al，第二導(dǎo)電層4沉積在絕緣層3上，并且結(jié)構(gòu)化成型。完整的薄膜電路提供有Si3N4的保護(hù)層5。絕緣層3和保護(hù)層結(jié)構(gòu)化成型，結(jié)果使第一導(dǎo)電層和/或電阻層形成電接觸。而且，穿過(guò)基底1的幾個(gè)接觸孔6依靠激光來(lái)形成。提供的金屬化物包括Cr/Cu的基礎(chǔ)層9和Cu/Ni/Au的覆蓋層11，金屬化物9包圍模塊，并提供在接觸孔6中。而且，球柵陣列包括Cr/Cu/Ni層和Sn球，球柵陣列固定在模塊的兩側(cè)，作為電源觸點(diǎn)。
模塊裝備有薄膜電路，通過(guò)進(jìn)一步提供適當(dāng)?shù)臒o(wú)源元件和有源元件，來(lái)形成功率放大器，這個(gè)功率放大器用于移動(dòng)電話的高頻單元。
實(shí)施例2Si3N4隔離層8提供在Al2O3的基底1上，并且結(jié)構(gòu)化成型。第一導(dǎo)電層2的材料選用摻雜4％Cu的Al，第一導(dǎo)電層2沉積在隔離層8上，并且結(jié)構(gòu)化成型。在下面的步驟中，Ta2O5的絕緣層3沉積在基底1的整個(gè)表面上，并且結(jié)構(gòu)化成型。第二導(dǎo)電層4的材料選用摻雜4％Cu的Al，第二導(dǎo)電層4沉積在絕緣層3上，并且結(jié)構(gòu)化成型。整個(gè)薄膜電路提供有Si3N4的保護(hù)層5。而且，完全穿過(guò)基底1的幾個(gè)接觸孔6依靠激光來(lái)形成。提供的金屬化物包括Cr/Cu的基礎(chǔ)層9和Cu/Ni/Au的覆蓋層11，金屬化物包圍整個(gè)模塊，并提供在接觸孔6中。Cr/Cu、Cu/Ni/Au的堞墻固定在模塊的兩側(cè)，作為電源觸點(diǎn)。
這樣得到的模塊具有薄膜電路，它進(jìn)一步用于生產(chǎn)移動(dòng)電話中的帶通濾波器。
實(shí)施例3為了生產(chǎn)具有薄膜電路的模塊，在具有玻璃平面層Al2O3的基底1上，沉積有Si3N4的隔離層8，并且隔離層8結(jié)構(gòu)化成型。Ti0.1W0.9的電阻層7沉積在這個(gè)隔離層8上，并且結(jié)構(gòu)化成型。然后沉積第一導(dǎo)電層2，并且第一導(dǎo)電層2結(jié)構(gòu)化成型。Si3N4的絕緣層3沉積在這個(gè)結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層2上。然后第二導(dǎo)電層4沉積在絕緣層3上，并且結(jié)構(gòu)化成型。第一導(dǎo)電層2和第二導(dǎo)電層4包括摻雜4％Si的Al。Si3N4的保護(hù)層5提供在模塊上。電通路通過(guò)保護(hù)層5和絕緣層3而蝕刻，它用于電接觸。然后，幾個(gè)接觸孔6由激光來(lái)形成，使之完全穿過(guò)基底1。在下面的步驟中，包括Cr/Cu的基礎(chǔ)層，沉積在整個(gè)模塊周?chē)徒佑|孔6中。然后光致抗蝕劑層10提供在基礎(chǔ)層9上。在光刻金屬板印刷處理中，這個(gè)光致抗蝕劑層10結(jié)構(gòu)化成型，使其具有的圖樣符合需要的金屬化物的結(jié)構(gòu)。在下面的步驟中，Cu/Ni/Au的覆蓋層11以電化學(xué)方式，沉積在Cr/Cu的基礎(chǔ)層9上，其后光致抗蝕劑層10被去除。而且，球柵陣列包括Cr/Cu/Ni層和Sn球，球柵陣列固定在模塊的兩側(cè)，作為電源觸點(diǎn)。
權(quán)利要求
1．一個(gè)模塊，在其絕緣材料的基底上(1)提供有薄膜電路，該模塊具有至少一個(gè)無(wú)源元件，該元件至少包括結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層(2)，絕緣層(3)，和第二導(dǎo)電層(4)，并具有保護(hù)層(5)，同樣還有至少一個(gè)接觸孔(6)，它穿過(guò)該模塊，和金屬化物，它覆蓋該模塊和該接觸孔(6)。
2．如權(quán)利要求1所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于電阻層(7)提供在所述基底(1)和所述結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層(2)之間。
3．如權(quán)利要求1所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于絕緣材料的該基底(1)包括，陶瓷材料、玻璃陶瓷材料、玻璃材料、或具有玻璃平面層或有機(jī)材料平面層的陶瓷材料。
4．如權(quán)利要求3所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于絕緣材料的該基底(1)包括，Al2O3、玻璃、或具有玻璃平面層或有機(jī)材料平面層的Al2O3。
5．如權(quán)利要求1所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于隔離層(8)提供在該基底(1)和所述結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層(2)之間，或在該基底(1)和所述電阻層(7)之間。
6．如權(quán)利要求1所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于所述結(jié)構(gòu)化成型的第一和第二導(dǎo)電層(2,4)包括Cu、摻雜Cu的Al、摻雜Mg的Al、摻雜Si的Al，或摻雜Cu和Si的Al。
7．如權(quán)利要求2所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于所述電阻層(7)包括NixCryAlz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryOz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、CuxNiy(0≤x≤1,0≤y≤1)或TixWy(0≤x≤1,0≤y≤1)。
8．權(quán)利要求1所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于所述絕緣層(3)包括Si3N4、SiO2、SixOyNz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)、SixCryOz(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)或Ta2O5。
9．如權(quán)利要求1所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于所述保護(hù)層(5)包括無(wú)機(jī)材料。
10．如權(quán)利要求1所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于所述結(jié)構(gòu)化成型的金屬化物包括基礎(chǔ)層(9)和覆蓋層(10)。
11．如權(quán)利要求1所述的具有所述薄膜電路的模塊，其特征在于分立元件提供在所述基底上，在與所述薄膜電路相對(duì)的一側(cè)。
12．一種在所述絕緣材料的基底(1)上生產(chǎn)模塊的方法，該模塊提供有所述薄膜電路，該模塊具有至少一個(gè)所述無(wú)源元件，其特征在于所述第一導(dǎo)電層(2)沉積在所述基底(1)上，并且結(jié)構(gòu)化成型，所述絕緣層(3)沉積在所述結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層(2)上，所述第二導(dǎo)電層(4)沉積在所述絕緣層(3)上，并且結(jié)構(gòu)化成型，所述保護(hù)層(5)提供在所述結(jié)構(gòu)化成型的第二導(dǎo)電層(4)上。所述絕緣層(3)和所述保護(hù)層(5)結(jié)構(gòu)化成型，形成至少一個(gè)所述接觸孔(6)，來(lái)穿過(guò)該模塊，并且所述結(jié)構(gòu)化成型的金屬化物，提供在該模塊和所述接觸孔(6)上。
13．如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于作為第一步，所述隔離層(8)沉積在所述基底(1)上。
14．如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述電阻層(7)首先提供在所述基底(1)上，或提供在所述隔離層上，并且結(jié)構(gòu)化成型。
15．如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于在第一步形成所述接觸孔(6)，或在提供所述保護(hù)層(5)后，形成所述接觸孔(6)。
16．如權(quán)利要求12所述的方法，對(duì)于生產(chǎn)結(jié)構(gòu)化成型的所述金屬化物，其特征在于首先，所述基礎(chǔ)層(9)沉積在該模塊上，并沉積在所述接觸孔(6)中，然后，所述光致抗蝕劑層(10)沉積在所述基礎(chǔ)層(9)上，并根據(jù)需要的所述金屬化物的結(jié)構(gòu)來(lái)結(jié)構(gòu)化成型，所述覆蓋層(11)沉積在所述基礎(chǔ)層(9)上，并且所述光致抗蝕劑層(10)和所述基礎(chǔ)層(9)的適當(dāng)部分被去除。
17．一種提供在所述絕緣材料的基底(1)上的薄膜電路，至少具有一個(gè)無(wú)源元件，該元件電路至少包括所述結(jié)構(gòu)化成型的第一導(dǎo)電層(2)，所述絕緣層(3)，所述第二導(dǎo)電層(4)，并提供有所述保護(hù)層(5)，具有至少一個(gè)所述接觸孔(6)，它穿過(guò)所述基底(1)，并且具有所述結(jié)構(gòu)化成型的金屬化物，它覆蓋所述保護(hù)層(5)和所述接觸孔(6)。
全文摘要
本發(fā)明描述的模塊提供有薄膜電路。為了實(shí)現(xiàn)具有薄膜電路的模塊,在導(dǎo)線軌跡提供在絕緣材料的基底(1)上之后,電容,或電容和電阻,或電容、電阻和電感緊接著直接提供在絕緣材料的基底(1)上。無(wú)源元件的部分或全部的整體結(jié)合,導(dǎo)致了建立的模塊只需要很小的空間。
文檔編號(hào)H05K1/11GK1306307SQ00131060
公開(kāi)日2001年8月1日 申請(qǐng)日期2000年12月18日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月21日
發(fā)明者C·科佩蒂, M·弗羅伊斯特, F·H·M·桑德斯 申請(qǐng)人:皇家菲利浦電子有限公司