專利名稱：多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及多晶硅生產(chǎn)設(shè)備，特別是多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻 裝置。
背景技術(shù)：
在多晶硅的生產(chǎn)過程中，多晶硅氫還原爐底盤夾套冷卻，目前大都采用常溫 (25'C左右)水進行冷卻。但是這樣就會使多晶硅氫還原爐熱利用率偏低，大量 的熱量被低溫水帶走，傳熱過程中效率低，多晶硅氫還原爐能耗增加、功耗增大； 而且，水質(zhì)處理不好，長時間運行就會結(jié)垢，也就會影響傳熱效率、換熱效果； 產(chǎn)品硅棒表面在停爐時還容易著一層氯硅烷，不能做到免清洗，撤爐時要打掃、 清洗，這樣不但浪費原材料，而且還減少了多晶硅氫還原爐有效生產(chǎn)時間；同時， 常溫水的冷卻也不利于電極硅棒的預熱啟動。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型為解決上述問題，提供了多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置， 可以在達到良好冷卻效果的同時還可以降低多晶硅氫還原爐損耗。 本實用新型的技術(shù)方案如下
多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置，其特征在于包括除氧器、管道泵， 除氧器的頂部設(shè)置有蒸汽冷凝進水管，除氧器的底部設(shè)置有連接管道泵的蒸汽冷 凝出水管，管道泵與多晶硅氫還原爐底盤通過管道連接，多晶硅氫還原爐底盤另 一側(cè)與除氧器通過管道連通；所述除氧器、管道泵和多晶硅氫還原爐底盤通過管
道的連接形成一個循環(huán)冷卻結(jié)構(gòu)。
所述管道泵的輸出的管道與多晶硅氫還原爐底盤的夾套連通。 所述除氧器和多晶硅氫還原爐地盤均位于管道泵的上方。 所述除氧器為高溫熱力除氧器，管道泵為低功率管道泵。 本實用新型的冷卻流程為
采用多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置對多晶硅氫還原爐底盤進行冷 卻，首先蒸汽冷凝水通過除氧器頂部注入，經(jīng)過除氧器解析除去蒸汽冷凝水中溶解的氧等有害氣體后后，溫度為100土4。C左右的蒸汽冷凝水被輸送到管道泵，通 過管道泵的動力作用將蒸汽冷凝水輸送到高處的多晶硅氫還原爐底盤夾套內(nèi)，經(jīng) 過換熱作用，水被加熱到達125。C左右，多晶硅氫還原爐底盤被冷卻，這個冷卻過 程中生成的蒸汽供其他工段使用，冷卻后的熱水仍然借助管道泵的動力被送回除 氧器循環(huán)使用。
所述除氧器解析除去蒸汽冷凝水中溶解的氧等有害氣體，可以防止腐蝕損害
設(shè)備
本實用新型的有益效果如下-
該裝置對多晶硅氫還原爐底盤的冷卻效果非常好，而且多晶硅氫還原爐運行 十分安全穩(wěn)定髙效，傳熱過程中效率高，多晶硅氫還原爐熱損耗減少、功耗降低； 同時，底盤在較高溫度下不易沉積物料(硅烷)，產(chǎn)品可以免清洗，撤爐時不用打 掃、清洗，這樣既不浪費原材料，也不會減少多晶硅氫還原爐有效生產(chǎn)時間；有 利于電極硅棒的預熱，硅棒啟動百分之百成功。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖具體實施方式
如圖1所示，多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置，包括除氧器l、管道泵 2，除氧器1的頂部設(shè)置有蒸汽冷凝進水管，除氧器1的底部設(shè)置有連接管道泵2 的蒸汽冷凝出水管，管道泵2與多晶硅氫還原爐底盤3通過管道連接，多晶硅氫 還原爐底盤3另一側(cè)與除氧器1通過管道連通；所述除氧器1、管道泵2和多晶硅 氫還原爐底盤3通過管道的連接形成一個循環(huán)冷卻結(jié)構(gòu)。
所述管道泵2的輸出的管道與多晶硅氫還原爐底盤3的夾套連通。 所述除氧器1和多晶硅氫還原爐底盤3均位于管道泵的上方。 所述除氧器1為高溫熱力除氧器，管道泵2為低功率管道泵。 本實用新型的冷卻流程為
采用多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置對多晶硅氫還原爐底盤進行冷 卻，首先蒸汽冷凝水通過除氧器頂部注入，經(jīng)過除氧器解析除去蒸汽冷凝水中溶 解的氧等有害氣體后后，溫度為100土4'C左右的蒸汽冷凝水被輸送到管道泵，通 過管道泵的動力作用將蒸汽冷凝水輸送到高處的多晶硅氫還原爐底盤夾套內(nèi)，經(jīng) 過換熱作用，水被加熱到達125'C左右，多晶硅氫還原爐底盤被冷卻，這個冷卻過程中生成的蒸汽供其他工段使用，冷卻后的熱水仍然借助管道泵的動力被送回除 氧器循環(huán)使用。
所述除氧器解析除去蒸汽冷凝水中溶解的氧等有害氣體，可以防止腐蝕損害 設(shè)備。
權(quán)利要求1、多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置，其特征在于包括除氧器(1)、管道泵(2)，除氧器(1)的頂部設(shè)置有蒸汽冷凝進水管，除氧器(1)的底部設(shè)置有連接管道泵(2)的蒸汽冷凝出水管，管道泵(2)與多晶硅氫還原爐底盤(3)通過管道連接，多晶硅氫還原爐底盤(2)另一側(cè)與除氧器(1)通過管道連通；所述除氧器(1)、管道泵(2)和多晶硅氫還原爐底盤(3)通過管道的連接形成一個循環(huán)冷卻結(jié)構(gòu)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置，其特征在于所述管道泵(2)的輸出的管道與多晶硅氫還原爐底盤(3)的夾套連通。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置，其特征在于:所述除氧器(1)和多晶硅氫還原爐底盤(3)均位于管道泵(2)的上方。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置，其特征在于 所述除氧器(1)為高溫熱力除氧器，管道泵(2)為低功率管道泵。
專利摘要本實用新型公開了多晶硅氫還原爐底盤的高溫水冷卻裝置，其特征在于包括除氧器、管道泵，除氧器的頂部設(shè)置有蒸汽冷凝進水管，除氧器的底部設(shè)置有連接管道泵的蒸汽冷凝出水管，管道泵與多晶硅氫還原爐底盤通過管道連接，多晶硅氫還原爐底盤另一側(cè)與除氧器通過管道連通；所述除氧器、管道泵和多晶硅氫還原爐底盤通過管道的連接形成一個循環(huán)冷卻結(jié)構(gòu)；該裝置對多晶硅氫還原爐底盤的冷卻效果非常好，而且多晶硅氫還原爐運行十分安全穩(wěn)定高效，傳熱過程中效率高，多晶硅氫還原爐熱損耗減少、功耗降低；同時，底盤在較高溫度下不易沉積物料(硅烷)，產(chǎn)品可以免清洗，撤爐時不用打掃、清洗，這樣既不浪費原材料，也不會減少多晶硅氫還原爐有效生產(chǎn)時間；有利于電極硅棒的預熱，硅棒啟動百分之百成功。
文檔編號C30B29/06GK201305652SQ200820222839
公開日2009年9月9日 申請日期2008年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月24日
發(fā)明者戴自忠, 涂大勇 申請人:四川永祥多晶硅有限公司