微電容超聲傳感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種微電容超聲傳感器，包括：襯底、設(shè)置于襯底上表面的下電極組件、上膜以及設(shè)置于上膜上表面的上電極組件，襯底上表面還設(shè)置有封閉環(huán)繞下電極組件的下密封線(xiàn)圈，上膜下表面凹設(shè)有用于收容下電極組件的收容腔以及封閉環(huán)繞收容腔的上密封線(xiàn)圈，上膜和襯底至少通過(guò)上密封線(xiàn)圈和下密封線(xiàn)圈對(duì)接密封收容腔。根據(jù)本實(shí)用新型的微電容超聲傳感器不僅提高了密封性，阻斷了其內(nèi)部的收容腔與外部環(huán)境的交換，簡(jiǎn)單且低成本地實(shí)現(xiàn)了自密封作用；而且還避免了寄生電容對(duì)能效的耗散，加強(qiáng)了轉(zhuǎn)換效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
微電容超聲傳感器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種微電容超聲傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]把電能、機(jī)械能或聲能從一種形式的能量轉(zhuǎn)換為另一種形式的能量的裝置稱(chēng)作超聲傳感器。超聲傳感器是超聲測(cè)距、成像及聲吶系統(tǒng)的核心部件，其廣泛應(yīng)用于車(chē)輛避障、醫(yī)學(xué)診斷及治療、海洋形貌探測(cè)、軍事目標(biāo)的識(shí)別等領(lǐng)域。憑借微機(jī)電系統(tǒng)(簡(jiǎn)稱(chēng)MEMS)技術(shù)的發(fā)展，微電容超聲傳感器(簡(jiǎn)稱(chēng)CMUT)應(yīng)運(yùn)而生。與現(xiàn)有技術(shù)中的壓電超聲換能器相比，CMUT具有體積小、重量輕、成本低、功耗低、可陣列化、易于電路集成等特點(diǎn)，因此在超聲測(cè)距、成像、聲吶系統(tǒng)等領(lǐng)域均具有非常重要的實(shí)用價(jià)值。
[0003]轉(zhuǎn)換效率是CMUT的一個(gè)非常重要的參數(shù)，轉(zhuǎn)換效率是指?jìng)鬟f的機(jī)械能與傳感器總儲(chǔ)能之比。轉(zhuǎn)換效率對(duì)CMUT的帶寬有決定性作用，而帶寬又對(duì)CMUT的性能有很大影響?，F(xiàn)有技術(shù)中，由于CMUT采用重?fù)诫s的共用底電極或上電極及導(dǎo)電薄膜，導(dǎo)致CMUT存在大量的雜散寄生電容。而寄生電容，尤其是并聯(lián)寄生電容的存在，會(huì)導(dǎo)致CMUT的轉(zhuǎn)換效率降低，帶寬變窄，進(jìn)而降低CMUT的性能。此外，現(xiàn)有技術(shù)中，CMUT的空腔密封手段主要分為兩種，一是采用對(duì)腐蝕孔密封填充，二是采用硅硅鍵合直接密封。但這兩種方法仍存在缺點(diǎn):一是引入不必要的附加材料，二是工藝復(fù)雜導(dǎo)致加工成本增加，高成品良率難保證。而具有非密封空腔的CMUT難以滿(mǎn)足體內(nèi)、水下等浸入應(yīng)用的需求;同時(shí)非密封的空腔所存在的空氣阻尼，又會(huì)消耗CMUT的有效電能、機(jī)械能或聲能，降低其轉(zhuǎn)換效率，造成CMUT的性能下降。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種微電容超聲傳感器，該微電容超聲傳感器不僅能夠?qū)崿F(xiàn)自密封作用，提高密封性;而且避免了寄生電容對(duì)能效的耗散，加強(qiáng)了轉(zhuǎn)換效率。
[0005]為了達(dá)到上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用了如下的技術(shù)方案:
[0006]—種微電容超聲傳感器，包括:襯底、設(shè)置于所述襯底上表面的下電極組件、上膜以及設(shè)置于所述上膜上表面的上電極組件，所述襯底上表面還設(shè)置有封閉環(huán)繞所述下電極組件的下密封線(xiàn)圈，所述上膜下表面凹設(shè)有用于收容所述下電極組件的收容腔以及封閉環(huán)繞所述收容腔的上密封線(xiàn)圈，所述上膜和所述襯底至少通過(guò)所述上密封線(xiàn)圈和所述下密封線(xiàn)圈對(duì)接密封所述收容腔。
[0007]進(jìn)一步地，所述襯底上表面還設(shè)置有與所述下電極組件通過(guò)下焊盤(pán)引線(xiàn)連接的下焊盤(pán)，所述上膜開(kāi)設(shè)有與所述下焊盤(pán)對(duì)應(yīng)的下焊盤(pán)窗口，所述下焊盤(pán)窗口位于所述上密封線(xiàn)圈封閉環(huán)繞的區(qū)域之外，所述下焊盤(pán)通過(guò)所述下焊盤(pán)窗口暴露;所述上膜上表面還設(shè)置有與所述上電極組件通過(guò)上焊盤(pán)引線(xiàn)連接的上焊盤(pán)。
[0008]進(jìn)一步地，所述下焊盤(pán)窗口與所述下焊盤(pán)的形狀對(duì)應(yīng)，且所述下焊盤(pán)窗口的內(nèi)側(cè)壁與所述下焊盤(pán)之間具有間隙。
[0009]進(jìn)一步地，所述微電容超聲傳感器還包括夾設(shè)于所述上膜與所述上電極組件之間的絕緣層。
[0010]進(jìn)一步地，所述上電極組件包括上電極互聯(lián)引線(xiàn)以及通過(guò)所述上電極互聯(lián)引線(xiàn)彼此連接的若干上電極，所述下電極組件包括下電極互聯(lián)引線(xiàn)以及通過(guò)所述下電極互聯(lián)引線(xiàn)彼此連接的若干下電極;其中，在與所述襯底垂直的方向上，所述若干上電極與所述若干下電極的投影對(duì)應(yīng)重合，且對(duì)應(yīng)的所述上電極之間的上電極互聯(lián)引線(xiàn)與所述下電極之間的下電極互聯(lián)引線(xiàn)的投影相互交叉。
[0011]進(jìn)一步地，所述上膜下表面還凹設(shè)有貫通若干所述收容腔的互聯(lián)通道;其中，所述互聯(lián)通道與所述下電極互聯(lián)引線(xiàn)相對(duì)應(yīng)，且所述互聯(lián)通道與所述收容腔的深度相等。
[0012]進(jìn)一步地，在與所述襯底垂直的方向上，所述若干上電極和下電極的投影在對(duì)應(yīng)的所述收容腔的投影之內(nèi)；且所述收容腔的深度大于與其對(duì)應(yīng)的所述下電極的厚度。
[0013]進(jìn)一步地，所述上密封線(xiàn)圈和所述下密封線(xiàn)圈均為首尾相連的環(huán)形線(xiàn)圈，且所述上密封線(xiàn)圈與所述下密封線(xiàn)圈的形狀相匹配。
[0014]進(jìn)一步地，所述上密封線(xiàn)圈和所述下密封線(xiàn)圈均為金屬線(xiàn)圈。
[0015]進(jìn)一步地，所述襯底的材料為玻璃，所述上膜的材料為娃，和/或所述上膜和所述襯底還通過(guò)陽(yáng)極鍵合密封所述收容腔。
[0016]本實(shí)用新型的有益效果在于:
[0017](I)本實(shí)用新型的微電容超聲傳感器通過(guò)設(shè)置形狀相同且位置相對(duì)的下密封線(xiàn)圈以及上密封線(xiàn)圈，同時(shí)將二者緊密對(duì)接并形成金屬鍵合，從而提高了密封性，阻斷了其內(nèi)部的收容腔與外部環(huán)境的交換，簡(jiǎn)單且低成本地實(shí)現(xiàn)了自密封作用，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)中的微電容超聲傳感器所存在的因空腔難密封而造成的浸入應(yīng)用成本高的問(wèn)題；
[0018](2)本實(shí)用新型的微電容超聲傳感器通過(guò)采用絕緣的襯底，并結(jié)合圖形化的下電極和上電極、以及呈交叉分布的下電極互聯(lián)引線(xiàn)和上電極互聯(lián)引線(xiàn)，防止了寄生電容對(duì)能效的耗散，加強(qiáng)了轉(zhuǎn)換效率，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)中的微電容超聲傳感器所存在的因寄生電容高而造成的轉(zhuǎn)化效率低下的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0019]通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本實(shí)用新型的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中:
[0020]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例1的微電容超聲傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例1的微電容超聲傳感器在移除上膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例1的微電容超聲傳感器在移除下密封線(xiàn)圈及襯底后的仰視圖；
[0023]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例2的微電容超聲傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本實(shí)用新型，并且本實(shí)用新型不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本實(shí)用新型的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本實(shí)用新型的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可以夸大元件的形狀和尺寸，并且相同的標(biāo)號(hào)將始終被用于表示相同或相似的元件。
[0025]實(shí)施例1
[0026]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例1的微電容超聲傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例1的微電容超聲傳感器在移除上膜后的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例1的微電容超聲傳感器在移除下密封線(xiàn)圈及襯底后的仰視圖。
[0027]參照?qǐng)D1至圖3，根據(jù)本實(shí)施例的微電容超聲傳感器包括襯底1、上膜2、下密封線(xiàn)圈
3、上密封線(xiàn)圈4、下電極組件5以及上電極組件6。襯底I上表面設(shè)置有下電極組件5以及封閉環(huán)繞所述下電極組件5的下密封線(xiàn)圈3，上膜2上表面設(shè)置有上電極組件6，而上膜2下表面凹設(shè)有用于收容所述下電極組件5的收容腔21、將若干收容腔21連通的互聯(lián)通道22、以及封閉環(huán)繞所述收容腔21的上密封線(xiàn)圈4。其中，襯底I與上膜2首先通過(guò)下密封線(xiàn)圈3與上密封線(xiàn)圈4之間的對(duì)接作用密封所述收容腔21;與此同時(shí)，襯底I的未被下密封線(xiàn)圈3覆蓋的上表面與上膜2的未被上密封線(xiàn)圈4覆蓋的下表面也貼合在一起以進(jìn)一步密封該收容腔21。
[0028]下密封線(xiàn)圈3和上密封線(xiàn)圈4均為首尾相接的環(huán)形閉合線(xiàn)圈，二者形狀、大小均相同；在本實(shí)施例中，所述下密封線(xiàn)圈3和上密封線(xiàn)圈4的形狀均為矩形，且二者的材質(zhì)均為金屬，如此，當(dāng)二者對(duì)接在一起時(shí)，可形成金屬鍵合，以起到初步密封所述收容腔21的作用。當(dāng)然，下密封線(xiàn)圈3和上密封線(xiàn)圈4的形狀并不限于本實(shí)施例中所述的矩形，也可以是其他如圓形、正方形等任意環(huán)形閉合線(xiàn)圈，只需保證當(dāng)下密封線(xiàn)圈3與上密封線(xiàn)圈4能夠完全對(duì)接以達(dá)到初步密封收容腔21的作用即可。
[0029]在本實(shí)施例中，襯底I的材質(zhì)為絕緣的玻璃襯底，而上膜2的材質(zhì)為硅，如此，襯底I的未被下密封線(xiàn)圈3覆蓋的上表面與上膜2的未被上密封線(xiàn)圈4覆蓋的下表面之間可形成陽(yáng)極鍵合。
[0030]如此，根據(jù)本實(shí)施例的微電容超聲傳感器即通過(guò)下密封線(xiàn)圈3和上密封線(xiàn)圈4之間的金屬鍵合、以及上膜2和襯底I之間的陽(yáng)極鍵合的雙重鍵合作用密封所述收容腔21，從而使該微電容超聲傳感器實(shí)現(xiàn)了自密封作用，阻斷了其內(nèi)部的收容腔21與外部環(huán)境的交換，提高了該微電容超聲傳感器的密封性。
[0031]具體參照?qǐng)D2，下電極組件5包括下電極51以及將若干所述下電極51彼此連接的下電極互聯(lián)引線(xiàn)52;具體參照?qǐng)D1，上電極組件6包括上電極61以及將若干所述上電極61彼此連接的上電極互聯(lián)引線(xiàn)62。
[0032]在本實(shí)施例中，下電極51與收容腔21相對(duì)應(yīng)，下電極互聯(lián)引線(xiàn)52與互聯(lián)通道22相對(duì)應(yīng)，當(dāng)襯底I與上膜2貼合在一起時(shí)，下電極51和下電極互聯(lián)引線(xiàn)52恰好可分別卡設(shè)于收容腔21和互聯(lián)通道22內(nèi)部，因此，即要求下電極51的尺寸要比收容腔21的尺寸更小，同時(shí)下電極互聯(lián)引線(xiàn)52的尺寸也要比互聯(lián)通道22的尺寸更小;也就是說(shuō)，要求在與襯底I垂直的方向上，下電極51的投影在其所對(duì)應(yīng)的收容腔21的投影之內(nèi)。
[0033]在本實(shí)施例中，互聯(lián)通道22的深度與收容腔21的深度保持一致。
[0034]當(dāng)襯底I與上膜2對(duì)接在一起形成微電容超聲傳感器時(shí)，應(yīng)當(dāng)保證設(shè)置在襯底I上方的上膜2能夠進(jìn)行一定范圍內(nèi)的上下振動(dòng)，如此，即要求用于收容下電極組件5的收容腔21的深度應(yīng)當(dāng)與下電極51的厚度更大方可。
[0035]優(yōu)選地，上電極61和下電極51的形狀、大小均相同，且均為圓形。與此同時(shí)，將上電極61相互連接在一起的上電極互聯(lián)引線(xiàn)62以及將下電極51相互連接在一起的下電極互聯(lián)引線(xiàn)52的形狀也相同，在本實(shí)施例中，二者均為人字形，且上電極互聯(lián)引線(xiàn)62與下電極互聯(lián)引線(xiàn)52呈180°翻轉(zhuǎn)；也就是說(shuō)，在與襯底I垂直的方向上，若干上電極61與若干下電極51的投影對(duì)應(yīng)重合，且對(duì)應(yīng)的上電極61之間的上電極互聯(lián)引線(xiàn)62與下電極51之間的下電極互聯(lián)引線(xiàn)52的投影相互交叉。如此，采用絕緣的襯底1，并結(jié)合圖形化的下電極51和上電極61、以及呈交叉分布的下電極互聯(lián)引線(xiàn)52和上電極互聯(lián)引線(xiàn)62，即避免了寄生電容對(duì)能效的耗散，從而加強(qiáng)了微電容超聲傳感器的轉(zhuǎn)換效率。
[0036]當(dāng)然，下電極51以及上電極61的形狀并不限于本實(shí)施例中所述的圓形，還可以是其他如正方形、矩形、菱形、橢圓形、三角形以及規(guī)則或不規(guī)則的多邊形中的任意一種;與此同時(shí)，下電極互聯(lián)引線(xiàn)52以及上電極互聯(lián)引線(xiàn)62的形狀也不限于本實(shí)施例中所述的人字形，還可以是如十字形等形狀，只需保證二者在垂直方向上未完全重合、存在交叉即可。
[0037]為了更方便地將下電極組件5以及上電極組件6引出，在襯底I上表面上和上膜2上表面上還分別設(shè)置有下焊盤(pán)組件7以及上焊盤(pán)組件8。
[0038]具體地，下焊盤(pán)組件7包括下焊盤(pán)71以及下焊盤(pán)引線(xiàn)72，上焊盤(pán)組件8包括上焊盤(pán)81以及上焊盤(pán)引線(xiàn)82;其中，下焊盤(pán)引線(xiàn)72水平貫穿下密封線(xiàn)圈3，并將下電極互聯(lián)引線(xiàn)52與下焊盤(pán)71連接在一起，而上焊盤(pán)引線(xiàn)82將上電極互聯(lián)引線(xiàn)62與上焊盤(pán)81連接在一起。與之相對(duì)應(yīng)地，上膜2即開(kāi)設(shè)有與下焊盤(pán)71相對(duì)應(yīng)的上下貫通的下焊盤(pán)窗口 23，該下焊盤(pán)窗口23位于所述上密封線(xiàn)圈4封閉環(huán)繞的區(qū)域之外，下焊盤(pán)71即可通過(guò)所述下焊盤(pán)窗口 23暴露，從而可將下焊盤(pán)71從上膜2上表面引出。
[0039]所述下焊盤(pán)窗口 23與下焊盤(pán)71的形狀對(duì)應(yīng)，且該下焊盤(pán)窗口 23的內(nèi)側(cè)壁與所述下焊盤(pán)71之間還具有間隙。
[0040]在本實(shí)施例中，下焊盤(pán)71的形狀為正方形，上焊盤(pán)81的形狀為圓形，但本實(shí)用新型并不限制于此，其他如矩形、菱形、橢圓形、三角形或其他規(guī)則或不規(guī)則的多邊形均可，且下焊盤(pán)71和上焊盤(pán)81的形狀及大小可不對(duì)應(yīng);但與下焊盤(pán)71相對(duì)應(yīng)地，下焊盤(pán)窗口 23的形狀應(yīng)當(dāng)與下焊盤(pán)71相吻合，且要求下焊盤(pán)71的尺寸不超過(guò)下焊盤(pán)窗口 23的尺寸，如此，當(dāng)襯底I與上膜2相互貼合密封在一起時(shí)，位于襯底I上表面的下焊盤(pán)71可卡設(shè)于下焊盤(pán)窗口 23內(nèi)，從而通過(guò)上膜2的頂表面將下焊盤(pán)71引出。
[0041 ]如此，本實(shí)施例的微電容超聲傳感器不僅能夠?qū)崿F(xiàn)自密封作用，提高密封性;而且避免了寄生電容對(duì)能效的耗散，加強(qiáng)了轉(zhuǎn)換效率。
[0042]實(shí)施例2
[0043]在實(shí)施例2的描述中，與實(shí)施例1的相同之處在此不再贅述，只描述與實(shí)施例1的不同之處。具體參照?qǐng)D4，實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同之處在于:在實(shí)施例2的微電容超聲傳感器中，還包括夾設(shè)于上膜2與上電極組件6之間的絕緣層9。該絕緣層9的設(shè)置，不僅可以保證當(dāng)該微電容超聲傳感器在非常規(guī)工作模式(即塌陷工作模式)時(shí)，保護(hù)該微電容超聲傳感器不發(fā)生短路;而且可以通過(guò)對(duì)該絕緣層9厚度的設(shè)置，使該微電容超聲傳感器保持在常規(guī)工作模式而不發(fā)生塌陷；另外，該絕緣層9還增大了上膜2的可動(dòng)范圍，從而進(jìn)一步提高了該微電容超聲傳感器的轉(zhuǎn)換效率。
[0044]在本實(shí)施例中，與下焊盤(pán)窗口 23相對(duì)應(yīng)地，絕緣層9的與下焊盤(pán)窗口 23相對(duì)的位置處具有上下貫通的通孔91，從而可通過(guò)下焊盤(pán)窗口 23以及通孔91將下焊盤(pán)53引出。但本實(shí)用新型并不限制于此，如還可通過(guò)將絕緣層9的尺寸調(diào)小，從而使得絕緣層9避開(kāi)下焊盤(pán)窗口 23，如此，則無(wú)需在絕緣層9上開(kāi)設(shè)通孔91。
[0045]如此，本實(shí)施例的微電容超聲傳感器不僅能夠?qū)崿F(xiàn)自密封作用，提高密封性;而且避免了寄生電容對(duì)能效的耗散，加強(qiáng)了轉(zhuǎn)換效率。
[0046]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的微電容超聲傳感器一方面通過(guò)設(shè)置形狀相同且位置相對(duì)的下密封線(xiàn)圈3以及上密封線(xiàn)圈4，同時(shí)將二者緊密對(duì)接在一起形成金屬鍵合，并結(jié)合襯底I與上膜2之間的陽(yáng)極鍵合，通過(guò)雙重鍵合作用將收容腔21進(jìn)行密封，從而提高了密封性，阻斷了微電容超聲傳感器內(nèi)部的收容腔21與外部環(huán)境的交換，簡(jiǎn)單且低成本地實(shí)現(xiàn)了該微電容超聲傳感器的自密封作用；另一方面，通過(guò)采用絕緣的襯底I，并結(jié)合圖形化的上電極61和下電極51、以及呈交叉分布的上電極互聯(lián)引線(xiàn)62和下電極互聯(lián)引線(xiàn)52，從而避免了寄生電容對(duì)能效的耗散，加強(qiáng)了該微電容超聲傳感器的轉(zhuǎn)換效率。
[0047]雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本實(shí)用新型，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解:在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微電容超聲傳感器，其特征在于，包括:襯底、設(shè)置于所述襯底上表面的下電極組件、上膜以及設(shè)置于所述上膜上表面的上電極組件，所述襯底上表面還設(shè)置有封閉環(huán)繞所述下電極組件的下密封線(xiàn)圈，所述上膜下表面凹設(shè)有用于收容所述下電極組件的收容腔以及封閉環(huán)繞所述收容腔的上密封線(xiàn)圈，所述上膜和所述襯底至少通過(guò)所述上密封線(xiàn)圈和所述下密封線(xiàn)圈對(duì)接密封所述收容腔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述襯底上表面還設(shè)置有與所述下電極組件通過(guò)下焊盤(pán)引線(xiàn)連接的下焊盤(pán)，所述上膜開(kāi)設(shè)有與所述下焊盤(pán)對(duì)應(yīng)的下焊盤(pán)窗口，所述下焊盤(pán)窗口位于所述上密封線(xiàn)圈封閉環(huán)繞的區(qū)域之外，所述下焊盤(pán)通過(guò)所述下焊盤(pán)窗口暴露;所述上膜上表面還設(shè)置有與所述上電極組件通過(guò)上焊盤(pán)引線(xiàn)連接的上焊盤(pán)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述下焊盤(pán)窗口與所述下焊盤(pán)的形狀對(duì)應(yīng)，且所述下焊盤(pán)窗口的內(nèi)側(cè)壁與所述下焊盤(pán)之間具有間隙。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述微電容超聲傳感器還包括夾設(shè)于所述上膜與所述上電極組件之間的絕緣層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述上電極組件包括上電極互聯(lián)引線(xiàn)以及通過(guò)所述上電極互聯(lián)引線(xiàn)彼此連接的若干上電極，所述下電極組件包括下電極互聯(lián)引線(xiàn)以及通過(guò)所述下電極互聯(lián)引線(xiàn)彼此連接的若干下電極;其中，在與所述襯底垂直的方向上，所述若干上電極與所述若干下電極的投影對(duì)應(yīng)重合，且對(duì)應(yīng)的所述上電極之間的上電極互聯(lián)引線(xiàn)與所述下電極之間的下電極互聯(lián)引線(xiàn)的投影相互交叉。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述上膜下表面還凹設(shè)有貫通若干所述收容腔的互聯(lián)通道;其中，所述互聯(lián)通道與所述下電極互聯(lián)引線(xiàn)相對(duì)應(yīng)，且所述互聯(lián)通道與所述收容腔的深度相等。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，在與所述襯底垂直的方向上，所述若干上電極和下電極的投影在對(duì)應(yīng)的所述收容腔的投影之內(nèi)；且所述收容腔的深度大于與其對(duì)應(yīng)的所述下電極的厚度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述上密封線(xiàn)圈和所述下密封線(xiàn)圈均為首尾相連的環(huán)形線(xiàn)圈，且所述上密封線(xiàn)圈與所述下密封線(xiàn)圈的形狀相匹配。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述上密封線(xiàn)圈和所述下密封線(xiàn)圈均為金屬線(xiàn)圈。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述襯底的材料為玻璃，所述上膜的材料為硅，和/或所述上膜和所述襯底還通過(guò)陽(yáng)極鍵合密封所述收容腔。
【文檔編號(hào)】H04R19/00GK205491145SQ201620070009
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年1月25日
【發(fā)明人】苗靜, 沈文江, 熊繼軍, 薛晨陽(yáng)
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所