本發(fā)明涉及氣溶膠生成,尤其涉及一種氣溶膠生成裝置及其加熱控制方法。
背景技術(shù):
1、現(xiàn)有氣溶膠生成裝置為了快速生成氣溶膠,其加熱方式需要在預(yù)熱階段(0-t1)將氣溶膠生成基質(zhì)加熱到一個(gè)較高的溫度,例如250℃以上,然后為了讓口感不焦糊,進(jìn)行降溫,如圖1所示。還有部分氣溶膠生成裝置為了讓后段氣溶膠量不進(jìn)行衰減,在降溫階段過(guò)后,又再次提升加熱溫度。但在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn),用戶(hù)抽吸第一口時(shí),往往會(huì)出現(xiàn)氣溶膠過(guò)燙的現(xiàn)象,令用戶(hù)有燙口的感覺(jué)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于,針對(duì)上述背景技術(shù)中提及的相關(guān)技術(shù)存在的至少一個(gè)缺陷:氣溶膠生成裝置在預(yù)熱階段將氣溶膠生成基質(zhì)加熱到一個(gè)較高的溫度,用戶(hù)抽吸第一口時(shí),往往會(huì)出現(xiàn)氣溶膠過(guò)燙的現(xiàn)象,令用戶(hù)有燙口的感覺(jué),提供一種氣溶膠生成裝置及其加熱控制方法。
2、本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種氣溶膠生成裝置的加熱控制方法,所述氣溶膠生成裝置包括加熱體,所述加熱體為微波加熱體或激光加熱體,所述加熱控制方法包括以下步驟:
3、預(yù)熱步驟:在檢測(cè)到對(duì)容納在所述氣溶膠生成裝置中的所述氣溶膠生成基質(zhì)的加熱啟動(dòng)信號(hào)時(shí),控制所述加熱體對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱,以使所述氣溶膠生成基質(zhì)的溫度從當(dāng)前溫度上升至預(yù)熱溫度并保持至抽吸動(dòng)作發(fā)生前;
4、抽吸加熱步驟:在檢測(cè)到發(fā)生抽吸動(dòng)作時(shí),控制所述加熱體對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱,以使所述氣溶膠生成基質(zhì)的溫度達(dá)到相應(yīng)的目標(biāo)溫度并保持至下一抽吸動(dòng)作發(fā)生前;
5、其中,所述目標(biāo)溫度與當(dāng)前抽吸口數(shù)相對(duì)應(yīng),第一口的目標(biāo)溫度大于所述預(yù)熱溫度,且小于或等于其它口數(shù)的目標(biāo)溫度。
6、優(yōu)選地,第i口的目標(biāo)溫度大于或等于第(i-1)口的目標(biāo)溫度,i=2、3、4、…、n,n為抽吸口數(shù)閾值。
7、優(yōu)選地,所述第一口的目標(biāo)溫度與所述預(yù)熱溫度的差值大于第二口的目標(biāo)溫度與所述第一口的目標(biāo)溫度的差值。
8、優(yōu)選地,所述預(yù)熱溫度的溫度范圍為100℃~188℃。
9、優(yōu)選地,所述抽吸加熱步驟包括:
10、升溫子步驟:在檢測(cè)到發(fā)生抽吸動(dòng)作時(shí),控制所述加熱體在第一預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)以第一預(yù)設(shè)功率對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱;
11、控溫子步驟:在所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間段結(jié)束后,若判斷所述氣溶膠生成基質(zhì)的溫度小于所述目標(biāo)溫度,則控制所述加熱體在第二預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)以第二預(yù)設(shè)功率對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱;若判斷所述氣溶膠生成基質(zhì)的溫度大于或等于所述目標(biāo)溫度,則控制所述加熱體在第三預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)停止對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱;其中,所述第二預(yù)設(shè)功率小于所述第一預(yù)設(shè)功率。
12、本發(fā)明還構(gòu)造了一種氣溶膠生成裝置,包括:
13、加熱體,所述加熱體為微波加熱體或激光加熱體;
14、控制組件,所述控制組件被配置為:
15、在檢測(cè)到對(duì)容納在所述氣溶膠生成裝置中的所述氣溶膠生成基質(zhì)的加熱啟動(dòng)信號(hào)時(shí),控制所述加熱體對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱,以使所述氣溶膠生成基質(zhì)的溫度從當(dāng)前溫度上升至預(yù)熱溫度并保持至抽吸動(dòng)作發(fā)生前;
16、在檢測(cè)到發(fā)生抽吸動(dòng)作時(shí),控制所述加熱體對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱,以使所述氣溶膠生成基質(zhì)的溫度達(dá)到相應(yīng)的目標(biāo)溫度并保持至下一抽吸動(dòng)作發(fā)生前;
17、其中,所述目標(biāo)溫度與當(dāng)前抽吸口數(shù)相對(duì)應(yīng),第一口的目標(biāo)溫度大于所述預(yù)熱溫度,且小于或等于其它口數(shù)的目標(biāo)溫度。
18、優(yōu)選地,所述控制組件被配置為:第i口的目標(biāo)溫度大于或等于第(i-1)口的目標(biāo)溫度,i=2、3、4、…、n,n為抽吸口數(shù)閾值。
19、優(yōu)選地,所述控制組件被配置為:所述預(yù)熱溫度的溫度范圍為100℃~188℃。
20、優(yōu)選地,所述微波加熱體在所述氣溶膠生成基質(zhì)的外周圈或內(nèi)部。
21、優(yōu)選地,所述激光加熱體為紅外加熱體,所述紅外加熱體在所述氣溶膠生成基質(zhì)的外周圈或內(nèi)部。
22、通過(guò)實(shí)施本發(fā)明,具有以下有益效果:
23、本發(fā)明在檢測(cè)到對(duì)容納在氣溶膠生成裝置中的氣溶膠生成基質(zhì)的加熱啟動(dòng)信號(hào)時(shí),控制微波加熱體或激光加熱體對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱,以使氣溶膠生成基質(zhì)的溫度從當(dāng)前溫度上升至預(yù)熱溫度并保持至抽吸動(dòng)作發(fā)生前。后續(xù)在檢測(cè)到發(fā)生抽吸動(dòng)作時(shí),控制微波加熱體或激光加熱體對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱,以使氣溶膠生成基質(zhì)的溫度達(dá)到相應(yīng)的目標(biāo)溫度并保持至下一抽吸動(dòng)作發(fā)生前。其中,目標(biāo)溫度與當(dāng)前抽吸口數(shù)相對(duì)應(yīng),由于第一口的目標(biāo)溫度大于預(yù)熱溫度,且小于其它口數(shù)的目標(biāo)溫度,因此可以有效地降低第一口氣溶膠中水蒸氣的含量和溫度,避免用戶(hù)抽吸第一口時(shí),氣溶膠過(guò)燙而帶來(lái)的燙口問(wèn)題,提升抽吸體驗(yàn)。
1.一種氣溶膠生成裝置的加熱控制方法,其特征在于,所述氣溶膠生成裝置包括加熱體,所述加熱體為微波加熱體或激光加熱體,所述加熱控制方法包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置的加熱控制方法,其特征在于,第i口的目標(biāo)溫度大于或等于第(i-1)口的目標(biāo)溫度,i=2、3、4、…、n,n為抽吸口數(shù)閾值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置的加熱控制方法,其特征在于,所述第一口的目標(biāo)溫度與所述預(yù)熱溫度的差值大于第二口的目標(biāo)溫度與所述第一口的目標(biāo)溫度的差值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置的加熱控制方法,其特征在于,所述預(yù)熱溫度的溫度范圍為100℃~188℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置的加熱控制方法,其特征在于,所述抽吸加熱步驟包括:
6.一種氣溶膠生成裝置,其特征在于,包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣溶膠生成裝置,其特征在于,所述控制組件被配置為:第i口的目標(biāo)溫度大于或等于第(i-1)口的目標(biāo)溫度,i=2、3、4、…、n,n為抽吸口數(shù)閾值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣溶膠生成裝置,其特征在于,所述控制組件被配置為:所述預(yù)熱溫度的溫度范圍為100℃~188℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣溶膠生成裝置,其特征在于,所述微波加熱體在所述氣溶膠生成基質(zhì)的外周圈或內(nèi)部。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣溶膠生成裝置,其特征在于,所述激光加熱體為紅外加熱體,所述紅外加熱體在所述氣溶膠生成基質(zhì)的外周圈或內(nèi)部。