本發(fā)明涉及霧化領(lǐng)域，尤其涉及一種加熱不燃燒裝置及其加熱控制方法。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有的加熱不燃燒裝置一般都需要預(yù)先設(shè)定(生產(chǎn)時設(shè)定)好溫度控制曲線，而在用戶使用該加熱不燃燒裝置時，按照該溫度控制曲線控制加熱組件對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，這樣，在加熱過程中，無論用戶是否進(jìn)行了抽吸，均需要按照該溫度控制曲線上固定階段的固定溫度值進(jìn)行加熱，因此，不但會造成能量不必要的浪費(fèi)，而且在連續(xù)抽吸時會使加熱不燃燒裝置的外殼溫度過高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)存在的浪費(fèi)不必要的能量的技術(shù)缺陷，提供一種加熱不燃燒裝置及其加熱控制方法。

2、本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種加熱不燃燒裝置的加熱控制方法，所述加熱不燃燒裝置包括加熱組件，所述加熱組件為微波加熱組件或激光加熱組件，包括：

3、預(yù)熱步驟：在接收到啟動加熱信號時，控制所述加熱組件對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從初始溫度升高到第一溫度；

4、加熱步驟：在檢測到抽吸動作開始時，控制所述加熱組件對所述氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從當(dāng)前溫度升高到第三溫度，其中，所述第三溫度大于或等于所述第一溫度；

5、降溫步驟：在檢測到抽吸動作結(jié)束時，控制所述加熱組件對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從當(dāng)前溫度下降至第四溫度，其中，所述第四溫度小于所述第三溫度。

6、優(yōu)選地，所述加熱步驟還包括：

7、若預(yù)設(shè)時間內(nèi)未檢測到首次抽吸動作，則控制所述加熱組件從所述第一溫度下降至第二溫度，其中，所述第二溫度小于等于所述第一溫度。

8、優(yōu)選地，所述第四溫度大于或者等于所述第二溫度。

9、優(yōu)選地，所述加熱步驟還包括：

10、根據(jù)當(dāng)前的抽吸總次數(shù)確定所述第三溫度，其中，所述第三溫度與所述當(dāng)前的抽吸總次數(shù)正相關(guān)。

11、優(yōu)選地，所述降溫步驟還包括：

12、根據(jù)所述當(dāng)前的抽吸總次數(shù)確定所述第四溫度，其中，所述第四溫度與所述當(dāng)前的抽吸總次數(shù)正相關(guān)。

13、優(yōu)選地，所述第四溫度與所述第三溫度的差值為5～10度；和/或，所述第二溫度與所述第一溫度的差值為5～10度。

14、優(yōu)選地，所述加熱步驟包括：

15、升溫子步驟：在檢測到抽吸動作開始時，控制所述加熱組件在第一時間段內(nèi)以第一預(yù)設(shè)功率對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱；

16、控溫子步驟：在所述第一時間段結(jié)束后，若判斷當(dāng)前溫度低于第三溫度，則控制所述加熱組件在第二時間段內(nèi)以第二預(yù)設(shè)功率加熱；若判斷當(dāng)前溫度高于第三溫度，則控制所述加熱組件在第三時間段內(nèi)停止加熱；其中，所述第二預(yù)設(shè)功率小于所述第一預(yù)設(shè)功率。

17、本發(fā)明還構(gòu)造一種加熱不燃燒裝置，包括：

18、用于對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱的加熱組件，所述加熱組件為微波加熱組件或激光加熱組件；

19、用于向所述加熱組件提供電力供應(yīng)的電源；

20、用于檢測是否發(fā)生抽吸動作的抽吸檢測組件；

21、控制組件，且所述控制組件被配置為：

22、預(yù)熱步驟：在接收到啟動加熱信號時，控制所述加熱組件對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從初始溫度升高到第一溫度；

23、加熱步驟：在檢測到抽吸動作開始時，控制所述加熱組件對所述氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從當(dāng)前溫度升高到第三溫度，其中，所述第三溫度大于或等于所述第一溫度；

24、降溫步驟：在檢測到抽吸動作結(jié)束時，控制所述加熱組件對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從當(dāng)前溫度下降至第四溫度，其中，所述第四溫度小于所述第三溫度。

25、優(yōu)選地，所述加熱組件為微波加熱組件，且所述微波加熱組件包括：

26、外導(dǎo)體單元，且所述外導(dǎo)體單元包括封閉端及與所述封閉端相對的開口端；

27、設(shè)置于所述外導(dǎo)體單元中的收容腔，用于收容氣溶膠形成基質(zhì)；

28、微波源單元，用于產(chǎn)生微波信號；

29、微波饋入單元，用于饋入所述微波源單元所產(chǎn)生的微波信號；

30、內(nèi)導(dǎo)體單元，且所述內(nèi)導(dǎo)體單元包括微波匹配結(jié)構(gòu)和結(jié)合于微波匹配結(jié)構(gòu)上的微波輻射結(jié)構(gòu)，其中，所述微波匹配結(jié)構(gòu)的底部與所述外導(dǎo)體單元的封閉端連接，并與所述封閉端的端壁歐姆接觸，形成所述微波加熱組件的短路端；所述微波輻射結(jié)構(gòu)的一端結(jié)合在所述微波匹配結(jié)構(gòu)的頂部，所述微波輻射結(jié)構(gòu)的另一端位于所述收容腔中，形成所述微波加熱組件的開路端。

31、優(yōu)選地，所述加熱組件為激光加熱組件，且所述激光加熱組件包括：

32、電路板及安裝在所述電路板上的激光芯片，且所述激光芯片用于向所述氣溶膠形成基質(zhì)發(fā)射激光。

33、優(yōu)選地，所述控制組件被配置為：所述加熱步驟包括升溫子步驟和控溫子步驟，其中，

34、升溫子步驟：在檢測到抽吸動作開始時，控制所述加熱組件在第一時間段內(nèi)以第一預(yù)設(shè)功率對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱；

35、控溫子步驟：在所述第一時間段結(jié)束后，持續(xù)進(jìn)行：若判斷當(dāng)前溫度低于第三溫度，則控制所述加熱組件在第二時間段內(nèi)以第二預(yù)設(shè)功率加熱；若判斷當(dāng)前溫度高于第三溫度，則控制所述加熱組件在第三時間段內(nèi)停止加熱；其中，所述第二預(yù)設(shè)功率小于所述第一預(yù)設(shè)功率。

36、優(yōu)選地，所述抽吸檢測組件包括：

37、第一氣壓傳感器，用于通過檢測氣道中的氣壓來檢測是否發(fā)生抽吸動作的。

38、優(yōu)選地，所述抽吸檢測組件包括：

39、第二氣壓傳感器，用于通過檢測氣道中的氣壓來檢測是否發(fā)生抽吸動作，并在發(fā)生抽吸動作時檢測抽吸力度；

40、而且，所述控制組件還被配置為：

41、根據(jù)所述抽吸力度，獲取所述第一時間段，其中，所述第一時間段與所述抽吸力度正相關(guān)。

42、通過本發(fā)明的技術(shù)方案，在加熱不燃燒裝置的加熱過程中，僅在用戶抽吸時，加熱組件才會進(jìn)行大功率加熱，使氣溶膠形成基質(zhì)達(dá)到一較高的溫度(第三溫度)，而在用戶不抽吸時，氣溶膠形成基質(zhì)維持在一個較低的溫度(第四溫度)，這樣，氣溶膠形成基質(zhì)不會發(fā)生過多的碳化，損耗也較小，不會使外殼溫度過高，并且可以降低裝置能耗。而且，由于加熱組件為微波加熱組件或激光加熱組件，所以，可在較短的時間(例如2～3秒)內(nèi)完成預(yù)熱，以及，在每次進(jìn)行抽吸時，可快速提高氣溶膠形成基質(zhì)的溫度，實現(xiàn)快速出煙，因此這種加熱方式可適配快速檢測抽吸，進(jìn)而快速反應(yīng)的應(yīng)用場景。另外，由于不需要按照預(yù)設(shè)的溫度控制曲線進(jìn)行加熱控制，用戶可按照自己的抽吸頻率進(jìn)行隨機(jī)抽吸，不必限定用戶在特定時間內(nèi)完成抽吸，提高了用戶體驗感。

技術(shù)特征：

1.一種加熱不燃燒裝置的加熱控制方法，所述加熱不燃燒裝置包括加熱組件，所述加熱組件為微波加熱組件或激光加熱組件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱不燃燒裝置的加熱控制方法，其特征在于，所述加熱步驟還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱不燃燒裝置的加熱控制方法，其特征在于，所述第四溫度大于或者等于所述第二溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱不燃燒裝置的加熱控制方法，其特征在于，所述加熱步驟還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱不燃燒裝置的加熱控制方法，其特征在于，所述降溫步驟還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱不燃燒裝置的加熱控制方法，其特征在于，所述第四溫度與所述第三溫度的差值為5～10度；和/或，所述第二溫度與所述第一溫度的差值為5～10度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱不燃燒裝置的加熱控制方法，其特征在于，所述加熱步驟包括：

8.一種加熱不燃燒裝置，其特征在于，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱不燃燒裝置，其特征在于，所述加熱組件為微波加熱組件，且所述微波加熱組件包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱不燃燒裝置，其特征在于，所述加熱組件為激光加熱組件，且所述激光加熱組件包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱不燃燒裝置，其特征在于，所述控制組件被配置為：所述加熱步驟包括升溫子步驟和控溫子步驟，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱不燃燒裝置，其特征在于，所述抽吸檢測組件包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的加熱不燃燒裝置，其特征在于，所述抽吸檢測組件包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種加熱不燃燒裝置及其加熱控制方法，該加熱控制方法包括：在接收到啟動加熱信號時，控制所述加熱組件對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從初始溫度升高到第一溫度；在檢測到抽吸動作開始時，控制所述加熱組件對所述氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從當(dāng)前溫度升高到第三溫度，其中，所述第三溫度大于或等于所述第一溫度；在檢測到抽吸動作結(jié)束時，控制所述加熱組件對氣溶膠形成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠形成基質(zhì)從當(dāng)前溫度下降至第四溫度，其中，所述第四溫度小于所述第三溫度。實施本發(fā)明的技術(shù)方案，氣溶膠形成基質(zhì)不會發(fā)生過多的碳化，損耗也較小。

技術(shù)研發(fā)人員：尹坤任,梁峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：思摩爾國際控股有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19