1.一種碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法，其特征在于，該碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法包括以下步驟：
步驟1、將石蠟填充到碳化硅方鏡素坯的減重腔的中空部分；
步驟2、使用數(shù)控加工中心進行凹槽的加工；
步驟3、對加工后的碳化硅方鏡素坯進行烘烤，直至石蠟全部脫除。
2.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法，其特征在于，所述步驟1中，填充用石蠟由復合石蠟與松香按質(zhì)量比10:1-5:1配置而成，填充體積大于所述減重腔體積的一半。
3.根據(jù)權利要求2所述的碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法，其特征在于，所述復合石蠟的原料為每1kg精煉石蠟加入：棕櫚酸10g-20g、硬脂酸60g-80g、花生酸10g-20g、聚丙烯2g-5g、聚乙烯8g-15g、蜂蠟30g-60g；
所述精煉石蠟為58#精煉石蠟、60#精煉石蠟按任意質(zhì)量比混合。
4.根據(jù)權利要求3所述的碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法，其特征在于，所述復合石蠟的原料為每1kg精煉石蠟加入：棕櫚酸16.6g、硬脂酸62.5g、花生酸14.9g、聚丙烯3.3g、聚乙烯9.2g、蜂蠟49.5g；
所述精煉石蠟為58#精煉石蠟、60#精煉石蠟按質(zhì)量比1：3混合。
5.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法，其特征在于，所述步驟2中，所述數(shù)控加工中心使用Φ10-Φ12mm的聚晶金剛石銑刀，且采用螺旋方式進刀。
6.根據(jù)權利要求5所述的碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法，其特征在于，所述步驟2中，初始的進給量為1200mm/min，進刀量為0.1mm，進給量及進刀量隨著加工的進行逐漸減小，且均與凹槽底部的厚度成正比，最終進給量減小至600mm/min，進刀量減小至0.05mm。
7.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法，其特征在于，所述步驟3中，烘烤的溫度為100-120℃，石蠟脫除過程中溫度需緩慢升高至烘烤溫度，且升溫速率應保持3-5℃/min。
8.根據(jù)權利要求7所述的碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法，其特征在于，所述步驟3中，回收脫除的石蠟，并重復利用。
9.使用權利要求1至8任一所述的碳化硅方鏡素坯凹槽加工方法加工成形的碳化硅方鏡，其特征在于，該碳化硅方鏡底部具有復雜的減重結(jié)構，正面設有凹槽，凹槽直徑大于Φ378mm，深度大于5mm，底部厚度小于等于6mm，底部距離減重腔上表面中空距離大于60mm，要求加工精度±0.2mm。